三星擬應用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝
據韓國媒體TheElec報導，三星已著手在下一代DRAM極紫外線（EUV）光刻工藝中引入金屬氧化物抗蝕劑（MOR）技術。
據悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現已無法滿足當前晶圓制造的產業標準。
因此，三星計劃在第6代10納米DRAM（1c DRAM）中采用MOR技術，并在六至七層運用EUV PR。預計相關產品將在今年下半年實現量產。
此外，三星還計劃從多家供應商處采購EUV MOR光刻膠材料，包括Inpria、杜邦、東進半導體以及三星SDI等公司均在進行相關研發與測試工作。
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