AI芯片需求猛增，CoWoS封裝供不應(yīng)求，HBM技術(shù)難度升級(jí)
據(jù)工商業(yè)日?qǐng)?bào)報(bào)道，AI芯片需求大幅增長(zhǎng)，硅中間層面積擴(kuò)大，間接影響了12寸晶圓的產(chǎn)量及CoWoS封裝供應(yīng)量，供需矛盾日益突出。
不斷壯大的芯片
行業(yè)觀察者預(yù)測(cè)，英偉達(dá)即將推出的B系列產(chǎn)品，如GB200， B100， B200等，將對(duì)CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報(bào)道，臺(tái)積電已計(jì)劃在2024年提高CoWoS產(chǎn)能至每月近4萬(wàn)片，較去年增長(zhǎng)逾150%。
預(yù)計(jì)2025年總產(chǎn)能將再翻番。然而，英偉達(dá)新款B100與B200芯片的中間層面積增大，使得12寸晶圓切割出的芯片數(shù)量減少，CoWoS封裝產(chǎn)能難以滿足GPU需求。
HBM的挑戰(zhàn)
業(yè)界人士指出，HBM同樣面臨諸多問(wèn)題。例如，SK海力士作為HBM市場(chǎng)占有率最高的企業(yè)，其EUV層數(shù)正逐漸增加。從1α階段的單層EUV，升級(jí)至1β階段，甚至有望將EUV使用量提升3~4倍。
此外，隨著HBM的多次迭代，DRAM數(shù)量亦隨之增加。HBM2中DRAM數(shù)量為4~8個(gè)，HBM3/3E則增至8~12個(gè)，而HBM4中DRAM數(shù)量將達(dá)到16個(gè)。
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