SK海力士HBM3E內存良率已達80%
據了解，SK 海力士生產主管 Kwon Jae-soon近日向《金融時報》透露，其HBM3E存儲器的良率已接近80%。
相較于常規(guī)DRAM，HBM制造過程更為復雜，需在DRAM層間建立TSV硅通孔并進行多次芯片鍵合，一旦某層DRAM出現故障，則整組HBM都要作廢處理。這使得HBM，特別是多層堆疊的HBM3E產品在良率上相對DRAM較低。
早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
Kwon Jae-soon還表示，SK海力士已經將HBM3E的生產周期縮短了50%。這意味著更高的生產效率，能為下游客戶如英偉達提供更穩(wěn)定的供應。他進一步強調，今年SK海力士的主要任務是生產8層堆疊的HBM3E，因為此規(guī)格是當前市場需求的主流。
Kwon Jae-soon表示：“在人工智能時代，提高產量對于保持領先地位至關重要。”
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工商網監(jiān)
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