據(jù)三名知情者透露，因發(fā)熱與能耗問題，三星最新款高帶寬存儲（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，這使得測試被迫中斷。這款有問題的芯片為HBM3，是當(dāng)前人工智能（AI）圖形處理器（GPU）中最常采用的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn)，同時也涉及到三星及其他競爭對手計(jì)劃于今年推出的第五代HBM3E芯片。

這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達(dá)測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”，并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。然而，對于具體客戶信息，三星并未作出回應(yīng)。英偉達(dá)同樣保持沉默。

HBM是一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，于2013年問世，通過芯片垂直堆疊以節(jié)約空間、降低能耗，適用于處理復(fù)雜AI應(yīng)用所產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)。隨著生成式AI的崛起，市場對復(fù)雜GPU的需求激增，HBM的需求也水漲船高。英偉達(dá)在全球AI應(yīng)用GPU市場占有約80%的份額。

據(jù)悉，自去年起，三星一直在全力爭取通過英偉達(dá)的HBM3和HBM3E測試。其中，三星8層和12層HBM3E芯片最近一次測試失敗的結(jié)果于4月份公布。相比之下，SK海力士作為英偉達(dá)的主要HBM芯片供應(yīng)商，自2022年6月起便開始供應(yīng)HBM3；而美光則表示將向英偉達(dá)提供HBM3E。

目前尚不確定三星能否順利解決上述問題，但消息人士指出，未能達(dá)到英偉達(dá)的要求已經(jīng)引發(fā)業(yè)內(nèi)和投資者的憂慮，他們擔(dān)心三星的HBM技術(shù)可能會進(jìn)一步落后于競爭對手SK海力士和美光。