美光近期發布公告，將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠，以引入頂尖EUV設備，預計最早于2027年末實現先進DRAM量產。

此項投資預計為6000億至8000億日元（約合38億至51億美元），項目將于2026年初啟動。資金主要用于打造先進制造設施，包括EUV設備的安裝。

早前，因市場環境不理想，美光原定于2024年投產的廣島工廠計劃被推遲。然而，隨著芯片市場復蘇及人工智能領域對DRAM芯片需求激增，美光決定重啟該項目。

廣島工廠自2013年美光收購日本DRAM巨頭爾必達（Elpida）以來一直由美光經營，擁有超過4000名工程師和技術人員。

美光日本區負責人Joshua Lee去年12月透露，廣島工廠將于2025年開始生產最先進的存儲芯片“1γ（Gamma）DRAM”，同時還將生產生成式AI用高帶寬存儲器（HBM）。

2023年10月，日本經濟產業省批準向美光廣島工廠提供高達1920億日元（約合13億美元）的補貼。

美光表示，未來幾年內將在日本投資最多5000億日元，其中廣島工廠是其研發和大規模生產的重要基地，用于推進其尖端DRAM技術的發展。