5月27日，中國半導體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產(chǎn)后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國的半導體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力。

在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的性能，如高耐壓、高溫穩(wěn)定性等，被廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域。近年來，國內(nèi)外SiC廠商紛紛布局8英寸生產(chǎn)線，力求在襯底、外延、器件、設備等方面取得突破。芯聯(lián)集成作為一家專注于晶圓制造與代工的企業(yè)，緊跟行業(yè)趨勢，積極布局8英寸SiC市場，并取得了顯著成果。

自2021年起，芯聯(lián)集成持續(xù)投入SiC MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)能建設。經(jīng)過不懈努力，該公司已成功實現(xiàn)車載主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET器件和模塊的量產(chǎn)，并在2023年實現(xiàn)了月產(chǎn)出超過5000片的產(chǎn)能。這一成績不僅彰顯了芯聯(lián)集成的技術(shù)實力和市場競爭力，也為我國碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了有力支撐。

與此同時，國內(nèi)多家碳化硅企業(yè)也在8英寸SiC領(lǐng)域積極布局。三安與意法半導體的合資項目已全面封頂，總投資高達70億元;湖南項目也在穩(wěn)步推進中，計劃于今年三季度投產(chǎn)，屆時將形成年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。天岳先進、合盛硅業(yè)等企業(yè)也在8英寸碳化硅襯底領(lǐng)域取得了顯著進展，南砂晶圓、希科半導體等企業(yè)亦在積極布局8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化項目。

國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的成功下線，不僅標志著我國在先進半導體制造領(lǐng)域取得了新的突破，也為我國新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了強大動力。隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，我國在全球半導體領(lǐng)域的競爭地位將進一步提升。