這支來自奧地利林茨大學、倫敦大學學院、蘇黎世聯邦理工學院和瑞士洛桑聯邦理工學院的國際團隊將現有成熟的顯微技術——掃描微波顯微鏡（Scanning Microwave Microscopy, SMM）運用到對硅芯片中人工摻入雜質的檢測當中，整個成像過程不會對芯片產生任何損害（半導體中會被摻入雜質來增強其導電和光學性質）。

磷-硅材料成像

研究者使用掃描微波顯微鏡掃描樣本，具體探測了硅晶表層下成一定規律排列的磷原子的電學性質。在這一方法下，研究者成功檢測了在表面4-15納米之下的1900-4200個緊密排列的原子。

當然，諸如二次離子質譜分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）之類的技術也可以用于檢測半導體中人工參入的雜質，但是掃描微波顯微鏡的主要優勢是，它不會對樣本有任何損壞。

在 IEEE Spectrum 的一個郵件采訪中，本實驗的領導者、奧地利林茨大學的 Georg Gramse 表示：

SMM和VNA對材料的測量結果

Gramse最后說：