DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。最開(kāi)始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來(lái)相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，它采用的是BGA封裝，所有焊點(diǎn)是藏在芯片的底部的，測(cè)試起來(lái)非常不便，一般需要提前預(yù)留測(cè)試點(diǎn)。在DDR讀寫(xiě)burst分析之前，首先得把read burst和write burst分離出來(lái)，讀寫(xiě)雙向的數(shù)據(jù)全部都擱在DQS和DQ上。那么，DDR的手冊(cè)中，留下了那些線索供我們進(jìn)行都寫(xiě)的分離呢？要實(shí)現(xiàn)DDR的快速的便捷的分離，在讀寫(xiě)分離之前，我們必須得知道DDR讀寫(xiě)信號(hào)之間的特征差異。首先，看看SPEC里面的定義：

方法一：preamble的差異在每次的burst之前，DQS會(huì)從高阻態(tài)切換到一段負(fù)脈沖，然后才開(kāi)始正常的讀寫(xiě)。這段負(fù)脈沖，我們叫做preamble（preamble實(shí)際上是在讀寫(xiě)前，DQS提前通知DRAM芯片或者是controller的信號(hào)）。一般說(shuō)來(lái)，讀數(shù)據(jù)DQS的preamble寬度要大于寫(xiě)數(shù)據(jù)。對(duì)于DDR3,情況就更簡(jiǎn)單了。因?yàn)樵贒DR3中，讀數(shù)據(jù)的preamble是負(fù)脈沖，寫(xiě)數(shù)據(jù)的preamble是正脈沖。

方法二：幅度上的差異一般在DRAM端進(jìn)行測(cè)試，寫(xiě)數(shù)據(jù)從memory controller出來(lái)，經(jīng)過(guò)了主板PCB板，內(nèi)存插槽和內(nèi)存條PCB板，到達(dá)DRAM顆粒的時(shí)候，信號(hào)已經(jīng)被衰減了，而讀數(shù)據(jù)剛剛從DRAM出來(lái)，還沒(méi)有經(jīng)過(guò)任何的衰減，因此讀數(shù)據(jù)的幅度要大于寫(xiě)數(shù)據(jù)。如下圖所示方法三：寫(xiě)數(shù)據(jù)是DQS和DQ centre-align(中間對(duì)齊), 讀數(shù)據(jù)DQS和DQ是edge align(邊沿對(duì)齊)，memory controller在接收到內(nèi)存的讀數(shù)據(jù)時(shí)，在controller內(nèi)部把DQS和DQ的相位錯(cuò)開(kāi)90度，實(shí)現(xiàn)中間對(duì)齊來(lái)采樣（這個(gè)過(guò)程示波器就看不到咯）；方法四：斜率的差異:讀數(shù)據(jù)的斜率大于寫(xiě)數(shù)據(jù)。一般在DRAM端進(jìn)行測(cè)試，寫(xiě)數(shù)據(jù)從memory controller出來(lái)，經(jīng)過(guò)了主板PCB板，內(nèi)存插槽和內(nèi)存條PCB板，到達(dá)DRAM顆粒的時(shí)候，信號(hào)已經(jīng)被衰減了，所以，斜率也小一些；而讀數(shù)據(jù)剛剛從DRAM出來(lái)，還沒(méi)有經(jīng)過(guò)任何的衰減，因此讀數(shù)據(jù)的斜率要大于寫(xiě)數(shù)據(jù)。也可以從下圖得到區(qū)分。