國外研究成果

808nmVCSEL難以實現高功率輸出的重要原因是由于GaAs材料對808nm的強吸收。隨著VCSEL的不斷發展，808nmVCSEL的性能得到了極大的改善。

2004年德國U-L-Mphotonics制備了808nm陣列作為泵浦源，單管的出光口徑為25um，輸出功率是25mW，電光轉換效率大于25%。

在研制980nm以及808nm波段的VCSEL陣列方面，美國的PrincetonOptronics公司位于世界前列。

2009年，該公司對高功率808nmVCSEL進行了深入的研究和樣品開發，使用頂發射氧化限制結構制備了單管效率達到49%的樣品。

因為GaAs對于808nm波段有強烈的吸收，該公司對頂發射工藝步驟進行了優化，在制備過程中，使用較復雜的襯底去除法，如圖不但使工藝制備、材料生長的難度提高,同時使工藝成本增加且使成品率降低。

在室溫條件下，器件直徑為15μm的單管,閾值電流為0.98mA,斜率效率75.2%，串聯電阻65.79。其電光轉換效率在6mA時達到最大為49.2%，這也是當時808nmVCSEL最高的轉換效率。

該公司實現了808nmVCSEL陣列在連續激射狀態下，連.續輸出功率為120W，如圖所示為該陣列的特性曲線，器件的輸出功率隨單元數量和陣列面積的增加而增加，所需電流也越來越大，電源成為限制功率的主要因素。

在2011年，該公司提出了把器件進行串聯的想法，這大大地降低了器件所需要的電流，從而獲得了高輸出功率，該公司將9個808nm陣列串聯起來，以制造出3X3的陣列模塊,如圖是串聯陣列的封裝示意圖和測試功率曲線,當電流為67A時，輸出功率高達300W。

2013年，PrincetonOptronics公司使用兩個1.2kW808nmVCSEL泵浦模塊泵浦Nd:YAG晶體棒得到946nm激光輸出，再通過倍頻得到473nm的藍光輸出，在125μs.的脈寬、300Hz的調制頻率下，得到準連續的輸出功率為6.1W的946nm激光。

國內研究成果

2010年長春理工大學郝永芹等人，為了改善VCSEL中載流子的聚集效應，使工作電流僅僅通過邊緣環形區域很窄的通道注入到有源區，激光功率密度分布不均勻的現象，提出了一種新結構。

這種結構增大了器件的有效發光面積，并用這種新型結構成功研制出808nm高功率大孔徑VCSEL。

在室溫工作條件下，出光孔徑為300um的器件輸出激光功率P隨注入電流變化的曲線和光譜圖如圖,從圖中看出，當注入電流為1A時，輸出功率能夠達到0.3W，實現了較高的光功率輸出。

2011年，長春光機所等人對808nmVCSEL的芯片結構進行了詳細的設計，確定了量子阱的組分和寬度,以及漸變型DBR的對數和反射率，并給出了芯片結構

2013年，該團隊研究了溫度對808nmVCSEL陣列輸出特性的影響，并使用變溫塞耳邁耶爾方程對InGaAIAs量子阱VCSEL的溫漂系數進行計算。

通過調整熱沉的溫度，測量了不同溫度下的閾值電流、激射波長和光功率，測試結果如圖所示,結果顯示在溫度達到50"C以上時,輸出功率迅速降低，實驗測得的溫度漂移系數與理論計算吻合。

相比于邊發射激光器，808nm面陣因具有較小的溫漂，更適合用作YAG激光器的泵浦光源。

2014年，長春光機所張金勝等人為了實現808nmVCSEL的高功率輸出，對DBR結構進行了優化設計，制備了非閉合環結構的2X2VCSEL陣列。

對VCSEL陣列的功率進行了測量，當脈沖寬度是20ns時，重復頻率為100Hz，注入電流為110A,輸出功率的最大峰值達到30W。

當脈沖寬度是60ns時，重復頻率為100Hz，注入電流為30A，最大功率達到9W。通過測量陣列的近場和遠場，激光的水平和垂直發散角半高全寬分別為17.6°和16.9°。

國內外研究成果分析

通過對國內外有關808nmVCSEL對比分析可以看出，早在2009年，美國普林斯頓大學的公司就在連續激射狀態下實現了輸出功率為120W的808nmVCSEL陣列。

國內主要是長春理工大學和長春光機所進行了808nmVCSEL的相關研究，主要在優化單管大孔徑器件和陣列器件單元的結構方面進行研究，陣列器件的研制水平與國外仍有較大差距。

其中最重要的因素就是808nmVCSEL的頂發射結構使其陣列器件的熱問題更加嚴重，因此有必要對其熱特性進行深入的研究，探求改善高功率808nmVCSEL陣列器件熱特性的有效途徑。

審核編輯 黃宇