12月16日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲在半導體發展戰略研討會上表示，2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期。到2025年，第三代半導體器件將在移動通信、高效電能管理中國產化率占50%；LED通用照明市場占有率達到80%，核心器件國產化率達到95%；第三代半導體器件在新能源汽車、消費類電子領域實現規模應用。

第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。目前，第一代、第二代半導體技術在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升已經逼近材料的物理極限，難以支撐新一代信息技術的可持續發展，難以應對能源與環境面臨的嚴峻挑戰，難以滿足高新技術及其產業發展，迫切需要發展新一代半導體技術。

中微半導體副總經理季華認為，第三代半導體產業化需要從全產業鏈考慮，不僅是制造和設備，還包括關鍵零部件。同時，國產設備企業需要參與全球競爭，才能夠實現健康穩健發展。

吳玲還稱，我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟，處于重要窗口期。但目前仍面臨多重緊迫性。其中，光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處于并跑狀態；功率半導體材料和器件、射頻材料和器件與國際先進水平相比處于跟跑狀態。目前國際上已經有近10家企業具有商業化產品，英飛凌量產器件2018年將大規模推出。此外，還有產業化生產線薄弱、技術團隊缺乏等問題。

乾照光電董事長金張育表示，第三代半導體憑借其寬禁帶、高熱導帶、高擊穿電場、高抗輻射性能等特點，市場應用潛力巨大。公司預計通過投資和并購的方式，吸收優秀人才與研發力度走在行業前端。

興業證券認為，2018年第三代半導體設備行業將迎來景氣拐點。本輪投資以大陸本土企業為主導，國產設備公司將進入訂單和業績兌現期。半導體行業作為戰略新興產業，技術突破與下游投資加速，將帶來設備需求規模快速擴張。

2016年，國務院印發《“十三五”國家科技創新規劃》，發布面向2030年的6項重大科技項目和9項重大工程，第三代半導體是“重點新材料研發及應用”重大項目的組成部分。同年，國務院成立國家新材料產業發展領導小組，貫徹實施制造強國戰略，加快推進新材料產業發展。