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光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:睞芯科技LightSense ? 2024-10-18 15:11 ? 次閱讀
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文章來源:睞芯科技LightSense

原文作者:LIG

分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形,通過模擬計(jì)算確定最佳光照條件,以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window),這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行 。

在IC技術(shù)中,具有更分辨率、更大景深和更大的曝光容許度一直是光學(xué)曝光系統(tǒng)發(fā)展的挑戰(zhàn),這些需求一直用縮短曝光波長和發(fā)展新型光阻來應(yīng)對。同時(shí)許多分辨率增強(qiáng)技術(shù)也發(fā)展出來,使得光刻技術(shù)能夠適應(yīng)更小的尺寸。

不管是相移技術(shù)、還是光學(xué)鄰近修正,計(jì)算部分過于復(fù)雜,都是由計(jì)算光刻軟件完成的。

相移技術(shù)Phase-Shift Technology

相移光罩(phase-shift mask,PSM)是一項(xiàng)重要的分辨率增強(qiáng)技術(shù),如圖所示。對于傳統(tǒng)的光罩,光透過每個(gè)縫隙處的電場強(qiáng)度都是同相,如圖(a)所示,由于光的衍射——衍射是光經(jīng)過邊緣時(shí)所產(chǎn)生的彎曲現(xiàn)象,光的分布范圍比縫隙寬,一個(gè)縫隙在晶圓上的電場強(qiáng)度分布如虛線所示,相鄰縫隙的繞射光因重疊增強(qiáng)了縫隙間的電場強(qiáng)度,光強(qiáng)度正比于電場強(qiáng)度的平方,因此兩個(gè)光投影的影像彼此太接近就很難區(qū)分出來,限制了分辨率。

將相移層復(fù)蓋于相鄰的縫隙上,將使其電場反相,如圖(b)所示,相鄰縫隙的電場會因相位相差180°而互相抵消。因此,影像可以分辨出來。要得到180°的相位差,可用一透明材料,其厚度為d=λ/2(n-1),其中n為相移材料的折射率,λ為波長。

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光學(xué)鄰近修正Optical Proximity Correction

衍射效應(yīng)會嚴(yán)重影響光學(xué)投影成像,各自的圖案會與鄰近的圖案相互作用衍射相交疊的結(jié)果即所謂的光學(xué)鄰近效應(yīng),這種效應(yīng)在制程尺寸和其間距達(dá)到光學(xué)系統(tǒng)的分辨極限時(shí)變得越來越突顯。光學(xué)鄰近修正(optical proimity correction-OPC)是一種用來減小這種影響增強(qiáng)解析度的技術(shù),該方法利用光罩上幾何圖形的修正來補(bǔ)償因衍射效應(yīng)所產(chǎn)生的成像誤差,例如:一條寬度接近解析度極限的線,由于兩個(gè)角的繞射效應(yīng),出來的是一條帶有圓角的線,如左圖所示。右圖所示,為在線上的邊角上加一些額外的幾何圖案修正,將印出一條更精確的線。

wKgZoWcSClSAWaGPAAjb1-XgIDY639.jpg

計(jì)算光刻軟件包

計(jì)算光刻是依靠專用軟件包來實(shí)施的,這些軟件包都是由專門的供應(yīng)商提供的。軟件包都是要在GPU上運(yùn)算,于是,計(jì)算光刻技術(shù)軟件庫應(yīng)運(yùn)而生。

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原文標(biāo)題:光刻之分辨率增強(qiáng)技術(shù)

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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