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什么是3.5D封裝?它有哪些優(yōu)勢(shì)?

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來(lái)源:逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化 ? 2024-10-28 09:47 ? 次閱讀

以下文章來(lái)源于逍遙設(shè)計(jì)自動(dòng)化 ,作者逍遙科技

引言

半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,不斷推動(dòng)芯片設(shè)計(jì)和制造的邊界。隨著逐漸接近傳統(tǒng)平面縮放的極限,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為持續(xù)提升性能的關(guān)鍵推動(dòng)力。在這些技術(shù)中,3.5D封裝作為當(dāng)前2.5D解決方案和完全3D集成之間的折中方案,正在獲得廣泛關(guān)注。本文將探討3.5D封裝的概念、優(yōu)勢(shì)、挑戰(zhàn)以及對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)未來(lái)的潛在影響。

什么是3.5D封裝?

3.5D封裝是一種結(jié)合了2.5D和3D集成技術(shù)元素的混合方法。在3.5D配置中,邏輯chiplet垂直堆疊,然后與其他組件一起鍵合到共享基板上。這種方法在廣泛采用的2.5D技術(shù)和更復(fù)雜的完全3D-IC之間提供了一個(gè)中間地帶,而業(yè)界已經(jīng)努力將后者商業(yè)化近十年。

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圖1:三星的異構(gòu)集成路線圖,展示了封裝技術(shù)的演變。(來(lái)源:三星代工廠)

3.5D封裝的主要優(yōu)勢(shì)

熱管理 :通過(guò)在組件之間創(chuàng)建物理分隔,3.5D封裝有效解決了困擾更密集3D配置的熱耗散和噪聲問(wèn)題。

增加SRAM集成 :由于SRAM縮放落后于數(shù)字晶體管縮放,3.5D允許通過(guò)垂直堆疊chiplet將更多SRAM添加到高速設(shè)計(jì)中。這對(duì)于維持處理器緩存性能非常重要。

改善信號(hào)傳輸 :減薄處理元件和內(nèi)存之間的接口縮短了信號(hào)需要傳輸?shù)木嚯x,與平面實(shí)現(xiàn)相比顯著提高了處理速度。

靈活性和可擴(kuò)展性 :3.5D組件提供了更大的靈活性來(lái)添加額外的處理器核心,并通過(guò)允許已知良好的裸片單獨(dú)制造和測(cè)試來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的良率。

異構(gòu)集成 :這種方法使用不同制程節(jié)點(diǎn)制造的芯片可以組合在一起,優(yōu)化性能和成本。

實(shí)施策略

最常見(jiàn)的3.5D配置涉及將處理器堆疊在SRAM上。這種安排簡(jiǎn)化了冷卻,因?yàn)楦呃寐侍幚碓a(chǎn)生的熱量可以通過(guò)散熱器或液體冷卻來(lái)移除。減薄的基板允許信號(hào)傳輸更短的距離,減少了處理器和內(nèi)存之間數(shù)據(jù)移動(dòng)的功耗。

有趣的是,SRAM不一定需要與先進(jìn)處理器處于相同的制程節(jié)點(diǎn)。這種靈活性有助于提高良率和可靠性。例如,三星提出了一個(gè)路線圖,顯示在不久的將來(lái),2nm chiplet堆疊在4nm chiplet上,并計(jì)劃到2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm chiplet堆疊在2nm chiplet上。

英特爾的3.5D技術(shù)方法涉及在帶有硅橋的基板上實(shí)現(xiàn)。這種方法以成本效益高的方式使用薄硅片來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間互連,包括堆疊芯片間互連。這種方法提供了硅密度和信號(hào)完整性性能的優(yōu)勢(shì),而無(wú)需使用大型、昂貴的單片互連層。

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圖3:當(dāng)前互連層技術(shù)支持高I/O數(shù)量和精細(xì)間距。(來(lái)源:日月光集團(tuán))

挑戰(zhàn)和持續(xù)發(fā)展

3.5D封裝提供了眾多優(yōu)勢(shì),但也面臨著挑戰(zhàn)。一些關(guān)鍵的持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域包括:

熱管理 :盡管相比完全3D設(shè)計(jì)有所改善,但在3.5D組件中管理熱量仍然是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。業(yè)界正在探索各種冷卻解決方案,包括浸沒(méi)式冷卻、局部液體冷卻和蒸汽室。

互連技術(shù) :隨著我們推動(dòng)更高的密度,業(yè)界正在向更精細(xì)的凸點(diǎn)間距解決方案和混合鍵合技術(shù)發(fā)展。目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)25到20微米的凸點(diǎn)間距,混合鍵合可能實(shí)現(xiàn)小于10微米的間距。

共面性 :在數(shù)千個(gè)微凸點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)所需的平整度水平對(duì)傳統(tǒng)鍵合方法是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。這正推動(dòng)人們對(duì)混合鍵合等替代方法產(chǎn)生興趣。

時(shí)序收斂 :隨著在3.5D配置中添加更多元素,確保信號(hào)在正確的時(shí)間到達(dá)正確的位置變得越來(lái)越復(fù)雜。這需要復(fù)雜的熱感知和IR感知時(shí)序分析。

數(shù)據(jù)管理 :設(shè)計(jì)和分析這些復(fù)雜系統(tǒng)所涉及的數(shù)據(jù)量正在爆炸性增長(zhǎng)。有效處理這些數(shù)據(jù)并減少模擬和分析運(yùn)行時(shí)間是一個(gè)主要關(guān)注領(lǐng)域。

組裝復(fù)雜性 :物理組裝這些器件涉及管理具有不同厚度和熱膨脹系數(shù)的各種裸片的熱、電和機(jī)械連接。這需要進(jìn)行密集的熱機(jī)械認(rèn)證工作。

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圖4:先進(jìn)封裝路線圖,說(shuō)明互連技術(shù)的演變。(來(lái)源:安靠科技)

商業(yè)化的道路

3.5D封裝的最終目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)的"即插即用"方法,設(shè)計(jì)者可以從菜單中選擇chiplet,并迅速將連接到經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的架構(gòu)中。雖然這一愿景可能需要數(shù)年時(shí)間才能完全實(shí)現(xiàn),但可能在未來(lái)幾年內(nèi)看到商用chiplet出現(xiàn)在先進(jìn)設(shè)計(jì)中,從高帶寬內(nèi)存與定制處理器堆疊開(kāi)始。

實(shí)現(xiàn)這一愿景需要在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域取得進(jìn)展:

EDA工具 :電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具需要發(fā)展以處理3.5D設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。這包括同時(shí)考慮熱、信號(hào)完整性和功率完整性問(wèn)題,以及改善IC設(shè)計(jì)師和封裝專家之間的協(xié)作。

工藝/組裝設(shè)計(jì)套件 :3.5D工藝和組裝的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)套件非常重要。這些可能會(huì)在代工廠和外包半導(dǎo)體組裝和測(cè)試(OSAT)提供商之間分配。

標(biāo)準(zhǔn)化 :為可以預(yù)先構(gòu)建和預(yù)先測(cè)試的內(nèi)容設(shè)置現(xiàn)實(shí)的參數(shù)將是提高組裝速度和便利性的關(guān)鍵。像UCIe(通用chiplet互連快車)這樣的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)就是朝這個(gè)方向邁出的步伐。

工藝一致性 :確保3.5D組裝各個(gè)步驟的工藝一致性非常重要。這需要為每個(gè)工藝步驟定義可接受的輸出,并開(kāi)發(fā)實(shí)時(shí)優(yōu)化配方的方法,以保持結(jié)果在所需范圍內(nèi)。

結(jié)論

3.5D封裝代表了半導(dǎo)體集成的重要進(jìn)步,在3D-IC的性能優(yōu)勢(shì)和當(dāng)前2.5D解決方案的實(shí)用性之間提供了平衡。隨著業(yè)界趨向于這種方法,可以期待在設(shè)計(jì)工具、制造工藝和標(biāo)準(zhǔn)化努力方面的快速發(fā)展。

在熱管理和互連技術(shù)等領(lǐng)域仍然存在挑戰(zhàn),但3.5D封裝的潛在優(yōu)勢(shì)正在推動(dòng)大量投資和創(chuàng)新。隨著這些技術(shù)的成熟,有望在從高性能計(jì)算到人工智能等廣泛應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)新的性能和功能水平。

實(shí)現(xiàn)完全的3.5D封裝及其他更高集成的旅程將需要整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的持續(xù)合作。從EDA供應(yīng)商到代工廠、OSAT和系統(tǒng)集成商,每個(gè)參與者在將這項(xiàng)技術(shù)推向市場(chǎng)方面都發(fā)揮著重要作用。隨著我們向前發(fā)展,3.5D封裝可能成為連接當(dāng)前技術(shù)與未來(lái)完全3D-IC的橋梁,開(kāi)啟半導(dǎo)體創(chuàng)新的新時(shí)代。

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原文標(biāo)題:3.5D封裝:2.5D和完全3D集成之間找到的平衡點(diǎn)

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    <b class='flag-5'>3.5D</b> Chiplet技術(shù)典型案例解讀
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