近日，半導(dǎo)體巨頭英飛凌宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓，標(biāo)志著其成為首家掌握20微米超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的企業(yè)。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White指出，隨著AI數(shù)據(jù)中心能源需求的急劇增長，能效已成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。這一趨勢(shì)為英飛凌帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，并預(yù)計(jì)其AI業(yè)務(wù)收入將在未來兩年內(nèi)突破10億歐元大關(guān)。

這款超薄晶圓的直徑為30毫米，厚度僅為20微米，相當(dāng)于頭發(fā)絲的四分之一，比當(dāng)前最先進(jìn)的40-60微米晶圓厚度減少了一半。這一突破性的技術(shù)不僅展現(xiàn)了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，同時(shí)也為行業(yè)帶來了新的挑戰(zhàn)，如傳統(tǒng)工藝的兼容性、晶圓翹曲等問題。

然而，超薄晶圓的優(yōu)勢(shì)顯而易見。與傳統(tǒng)硅晶圓相比，該技術(shù)不僅將晶圓厚度減半，還使得基板電阻降低了50%，功率系統(tǒng)中的功率損耗減少了15%以上。對(duì)于高端AI服務(wù)器應(yīng)用而言，這一技術(shù)尤為重要，因?yàn)樗軌蝻@著降低電壓，從而滿足功率轉(zhuǎn)換的更高需求。

目前，英飛凌已將這款超薄晶圓技術(shù)應(yīng)用于其集成智能功率級(jí)（直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，并成功交付給首批客戶。英飛凌表示，這項(xiàng)創(chuàng)新將大幅提升功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，適用于AI數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、電機(jī)控制和計(jì)算應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。

此外，英飛凌在半導(dǎo)體材料方面也積極布局，擁有全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合，包括基于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的器件。英飛凌不僅致力于推動(dòng)硅材料的發(fā)展，還在積極推進(jìn)SiC和GaN等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)進(jìn)步。

在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局中，英飛凌憑借其領(lǐng)先的技術(shù)和市場(chǎng)份額占據(jù)了一席之地。此次超薄晶圓技術(shù)的推出，有望進(jìn)一步鞏固英飛凌在全球市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，并推動(dòng)同行加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)的步伐。

隨著科技行業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)低能耗、小尺寸、超薄化芯片的需求不斷增長，超薄晶圓技術(shù)正逐漸成為行業(yè)發(fā)展的新趨勢(shì)。英飛凌預(yù)測(cè)，在未來三至四年內(nèi)，傳統(tǒng)晶圓技術(shù)將逐步被超薄晶圓技術(shù)所取代，特別是在低壓功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。

對(duì)于全球半導(dǎo)體行業(yè)而言，超薄晶圓技術(shù)的發(fā)展不僅推動(dòng)了技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)格局的變化，還對(duì)供應(yīng)鏈、制造工藝以及市場(chǎng)需求產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用將進(jìn)一步促進(jìn)低碳化和數(shù)字化的進(jìn)程，為半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展注入新的活力。