晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響
本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響
表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。
聚合物沉積：工藝過(guò)程中產(chǎn)生的聚合物會(huì)在表面沉積，影響刻蝕速率和選擇性。溫度影響聚合物的沉積速率和穩(wěn)定性，高溫可使沉積層分解或減少，低溫則會(huì)增加聚合物沉積。 選擇性 ：刻蝕材料和掩膜材料的選擇性對(duì)溫度非常敏感。溫度過(guò)高會(huì)降低刻蝕選擇性，因?yàn)榭涛g速率加速會(huì)同時(shí)刻蝕掩膜。 光刻膠：光刻膠流動(dòng)在高溫下，光刻膠會(huì)發(fā)生軟化、流動(dòng)甚至起泡，導(dǎo)致形貌失真。 產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率 ：溫度影響化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)物揮發(fā)性，高溫下副產(chǎn)物更易揮發(fā)，有助于提高刻蝕速率。而低溫會(huì)導(dǎo)致副產(chǎn)物殘留，降低刻蝕效率。 刻蝕形貌：刻蝕溫度接近材料的玻璃化溫度 (Tg)，表面形貌均勻。刻蝕溫度遠(yuǎn)低于玻璃化溫度，表面刻蝕不均勻，且粗糙度較大。
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