晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響
本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響
表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產物揮發性與刻蝕速率，表面形貌等。
聚合物沉積：工藝過程中產生的聚合物會在表面沉積，影響刻蝕速率和選擇性。溫度影響聚合物的沉積速率和穩定性，高溫可使沉積層分解或減少，低溫則會增加聚合物沉積。 選擇性 ：刻蝕材料和掩膜材料的選擇性對溫度非常敏感。溫度過高會降低刻蝕選擇性，因為刻蝕速率加速會同時刻蝕掩膜。 光刻膠：光刻膠流動在高溫下，光刻膠會發生軟化、流動甚至起泡，導致形貌失真。 產物揮發性與刻蝕速率 ：溫度影響化學反應的副產物揮發性，高溫下副產物更易揮發，有助于提高刻蝕速率。而低溫會導致副產物殘留，降低刻蝕效率。 刻蝕形貌：刻蝕溫度接近材料的玻璃化溫度 (Tg)，表面形貌均勻。刻蝕溫度遠低于玻璃化溫度，表面刻蝕不均勻，且粗糙度較大。
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原文標題：晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響？
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