隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展，為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng)，成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。

為了滿足由AI驅(qū)動、日趨旺盛的市場需求，英飛凌進一步擴展碳化硅(SiC)MOSFET的產(chǎn)品組合，推出了全新的400V CoolSiC MOSFET系列。該系列SiC MOSFET專為AI服務(wù)器的AC/DC級而開發(fā)，在滿足AI PSU日益增長的功率需求的同時，還有助于保持服務(wù)器機架的緊湊尺寸，實現(xiàn)更高能效的先進AI應(yīng)用，是英飛凌對PSU產(chǎn)品線的有力補充。

精選推薦

CoolSiC 400V G2

碳化硅MOSFET

01產(chǎn)品詳情

英飛凌推出的CoolSiC 400V MOSFET系列，是早些時候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiC技術(shù)的升級版。與市場現(xiàn)有的650V SiC和Si MOSFET相比，這一新產(chǎn)品系列具有超低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。

作為AI服務(wù)器電源裝置的AC/DC級，CoolSiC 400V MOSFET系列采用多級PFC，功率密度達到100W/in3以上，并且效率高達99.5%——與采用650V SiC MOSFET的解決方案相比，提高了0.3個百分點。

02升級系統(tǒng)解決方案性能

值得一提的是，由于在DC/DC級采用了CoolGaN晶體管，可讓系統(tǒng)解決方案性能進一步提升——通過這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源方案可提供8kW以上的功率，功率密度較現(xiàn)有解決方案提高了3倍以上。

CoolSiC 400V MOSFET產(chǎn)品組合共包含10款產(chǎn)品，其中5款RDS(on) 級(11~45mΩ)產(chǎn)品采用開爾文源TOLL和D2 PAK-7封裝，以及.XT封裝互連技術(shù)。在Tvj = 25°C時，其漏極-源極擊穿電壓為400V，因此非常適用于2級和3級轉(zhuǎn)換器以及同步整流。這些功率器件在苛刻的開關(guān)條件下具有很高的穩(wěn)健性，并且通過了100%的雪崩測試。

03應(yīng)用設(shè)計靈活

高度穩(wěn)定的CoolSiC技術(shù)與.XT互連技術(shù)相結(jié)合，使得半導(dǎo)體功率器件能夠應(yīng)對AI處理器功率突變所造成的功率峰值和瞬態(tài)，同時憑借連接技術(shù)和低正RDS(on)溫度系數(shù)，即便在結(jié)溫較高的工作條件下也能發(fā)揮出色的性能。

此外，CoolSiC MOSFET基于先進的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化可實現(xiàn)更低的應(yīng)用損耗和更高的運行可靠性。

總結(jié)

如今，隨著AI應(yīng)用日益普及，服務(wù)器電源需要更高級別的功率支持，用于AI訓(xùn)練的高級GPU每個處理器所需功率將高達3kW。考慮到每個AI服務(wù)器機架包含有多個GPU，因此PSU的額定功率將朝著8kW甚至更高級別邁進。

英飛凌新近推出了CoolSiC 400V G2碳化硅MOSFET，其優(yōu)異的產(chǎn)品性能有助于提高系統(tǒng)能效和成本效益，這一特性在考慮極端AI服務(wù)器負載配置情況下尤為重要。CoolSiC G2 MOSFET采用的新一代SiC技術(shù)能夠優(yōu)化設(shè)計成本，有助于設(shè)計出更加緊湊、可靠、高效的電源系統(tǒng)，直面未來AI數(shù)據(jù)中心更高功率的挑戰(zhàn)。

除了AI服務(wù)器外，該功率器件還可廣泛應(yīng)用于太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)、逆變器電機控制、工業(yè)和輔助電源，以及住宅中的固態(tài)斷路器等多個領(lǐng)域。