由上述InP系列材料面射型雷射發展可以發現，要制作全磊晶結構的長波長面射型雷射難度較高，因此在1990年中期開始許多光通訊大廠及研究機構均投入大量資源開發與砷化鎵基板晶格匹配的主動層發光材料，希望能在砷化鎵基板上成長晶格匹配的材料或結構，同時獲得發光波長范圍在1310nm甚至1550nm的較長波段。

一般來說在面射型雷射制作上，反射器之選擇以半導體材料較常用，主要考量有兩點，第一是晶格匹配的問題；第二是導電難易度的問題。采用半導體分布布拉格反射器的原因在于通?；钚詫硬牧闲枰砷L在晶格匹配的基板或磊晶層上，才能有效避免因為晶格不匹配造成的缺陷，導致活性層品質劣化。因此一般會在基板或緩沖層上先成長與活性層材料晶格匹配的分布布拉格反射器，而通常選用會導電且品格匹配的半導備才料，例如AlGalnP、GaAs、InGaAs和InGaAsN四種材料分別可以作為紅光（650nm）、近紅外光（850mm）和紅外光（980nm）以及長波長1.3μm面射型雷射的半導體活性層材料，但是卻可以使用相同的碑化鎵/砷化鋁鎵（GaAS/AlGaAs） 系統來制作半導體分布布拉格反射器，因為由圖6-4可以觀察到，這四種活性層材料均與砷化鎵材料系統晶格匹配，因此可以直接利用砷化鎵/砷化鋁鎵材料系統的高折射率差異來制作高品質的反射鏡同時還可以具有良好的導電能力，可以避免后續金屬電極制作的困難，又可以采用高鋁含量AlGaAs作為選擇性氧化電流局限層，獲得更好的面射型雷射操作特性。

利用砷化鎵基板成長AlGaAs/GaAs分布布拉格反射器后繼續成長晶格匹配的活性層發光區，然后可以直接在活性層材料上繼續進行頂部半導體DBR磊晶步驟，稱為單石技術（Monolithic），好處是磊晶成長過程中不需要將晶片在活性層成長完畢后重新傳送到不同的薄膜蒸鍍設備沉積介電質或金屬反射鏡，可避免晶片污染；另外作為反射器的半導體材料通常其晶格常數與熱膨脹系數也與活性層材料較為相近，因此可以減低元件在操作時因溫度上升而受熱膨脹不均形成應力，甚至造成缺陷而影響雷射操作特性及壽命；而且半導體材料在摻雜之后導電度良好，可以有效傳導電流到活性層以達成載子數量反轉分布，滿足雷射操作條件，因此目前大多數量產面射型雷射均采用半導體分布布拉格反射器即基于上述考量。不過有些特殊應用在制作高功率面射型雷射元件時，會設計某一側的布拉格反射器反射率較低，并且外加一個外部共振腔結構，以期能提高元件輸出功率。

盡管如圖6-4中預期將InGaAs中的In莫耳分率提高到0.4就可以發出波長在1.3微米范圍的紅外光，但是實際上這樣高的銦含量使得晶格常數與砷化鎵基板差異太大，磊晶層超過特定厚度（critical thickness）時容易形成缺陷差排，因此原先預期需要成長在In0.2Ga0.8As基板上才有可能獲得高品質的磊晶層足供導體雷射使用。但是實際上應用在作為發光層結構時，由于量子井厚度一般都在10nm以內，因此可以形成高應變量子井結構（highly strained quantum well），不至于因為晶格常數差異過大導致磊晶層破裂或差排形成。瑞典皇家理工學院J.Malmquist團隊在2002年首次在砷化鎵基板上成長Al0.88Ga0.12As/GaAs DBR，發光區增益介質由1λ共振腔中In0.39Ga0.61As（8.1nm）/GaAs（20nm）/In0.39Ga0.61As（8.1nm）雙重量子井結構所組成，元件可以在室溫下連續波操作發光波長為1260nm，并且在85°C時有最低閾值電流1.6mA，最長發光波長為120°C操作溫度下所測得之1269nm，這個結果凸顯了與InP系列材料最大的差異在于InGaAs/GaAs具有較高元件操作溫度（因為導帶能隙差異較高因此載子局限效果較好）同時采用砷化鎵基板直接成長高反射率AlGaAs/GaAs DBR還可以利用選擇性氧化局限來獲得更低的閾值電流值，這是InP材料系統所欠缺的優勢。