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高壓放大器在電場傳感器基本傳感特性研究中的應(yīng)用

測試技術(shù)分享 ? 來源:測試技術(shù)分享 ? 作者:測試技術(shù)分享 ? 2025-02-11 11:18 ? 次閱讀
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實(shí)驗(yàn)名稱:基于微環(huán)諧振器傳感器制備及傳感特性

測試目的:以第仿真優(yōu)化后器件結(jié)構(gòu)與參數(shù)為基礎(chǔ),研究合理的加工順序和加工參數(shù),對基于電光聚合物和硅基微環(huán)諧振器的電場傳感器進(jìn)行微加工制備,并搭建直流電場傳感試驗(yàn)平臺,通過試驗(yàn)測試分析直流電場傳感器的傳感特性。

測試設(shè)備:高壓放大器、任意函數(shù)發(fā)生器、傳感器、光譜儀、偏振控制器等。

實(shí)驗(yàn)過程:

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圖1:測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖

搭建了如圖1所示的傳感試驗(yàn)平臺。該試驗(yàn)平臺根據(jù)設(shè)備的性質(zhì),可以分為光路部分和電路部分。首先是光路部分,將C波段寬帶光源(中心波長為1535nm-1560nm)作為光源,通過單模光纖與偏振控制器相連,經(jīng)過偏振控制器后的基模偏振態(tài)光通過錐形單模透鏡光纖垂直耦合進(jìn)入芯片的輸入端,并通過直波導(dǎo)耦合進(jìn)入環(huán)形波導(dǎo)中產(chǎn)生諧振,隨后直波導(dǎo)的輸出端再通過錐形單模透鏡光纖耦合出去,并與光譜分析儀相連,以顯示和存儲(chǔ)芯片的輸出光信號。另一板塊是電路部分,為了輸出用于制造強(qiáng)電場的高電壓,采用高壓放大器對任意函數(shù)發(fā)生器的低壓信號進(jìn)行放大。

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圖2:傳感器輸出響應(yīng)譜線隨電場幅值的變化情況

使用任意函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生直流信號,經(jīng)過高壓放大器放大后施加在平板電極上,產(chǎn)生均勻直流電場,分別施加不同的直流電場,通過光譜分儀記錄傳感器的輸出光信號。電場傳感器在不同直流電場下的透射光譜如圖2所示。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

測試結(jié)果表明,基于10μm半徑的微環(huán)傳感器輸出光譜的自由光譜寬度為8.16nm,品質(zhì)因子是6276,消光比為8.05dB。然而根據(jù)3.2.1小節(jié)中的仿真研究結(jié)果可知,微環(huán)諧振器半徑為10μm時(shí),理想中的自由光譜寬度為9nm,品質(zhì)因子是9200,與實(shí)際試驗(yàn)獲得的數(shù)據(jù)相差較大,導(dǎo)致這結(jié)果的原因可能是電光聚合物薄膜上包層影響了光波傳輸,導(dǎo)致傳播損耗增大,其次波導(dǎo)的微加工制備工藝的技術(shù)問題也會(huì)影響波導(dǎo)傳輸。

進(jìn)一步,從圖2中可以看出,當(dāng)電場振幅變化時(shí),傳感器諧振波向長波長方向顯著漂移。這可以解釋為在電場作用下,電光聚合物的折射率變大,導(dǎo)致波導(dǎo)有效折射率變大,微環(huán)諧振波長發(fā)生右移。在相同的恒溫恒濕實(shí)驗(yàn)環(huán)境下,對沒有電光聚合物上包層的微環(huán)諧振器進(jìn)行了測驗(yàn),當(dāng)改變所施電場幅值時(shí),沒有觀察到輸出諧振波長有漂移,因此其該變量僅與電光聚合物有關(guān)。

高壓放大器推薦:ATA-7050

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圖:ATA-7050高壓放大器指標(biāo)參數(shù)

本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布,更多案例及產(chǎn)品詳情請持續(xù)關(guān)注我們。西安安泰電子Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線,且具有相當(dāng)規(guī)模的儀器設(shè)備供應(yīng)商,樣機(jī)都支持免費(fèi)試用。高壓放大器https://www.aigtek.com/products/bk-gyfdq.html

審核編輯 黃宇

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