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高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費(fèi)下載

向上 ? 2025-02-27 18:06 ? 次閱讀

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié)

一、概述

  • ?重要性?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。
  • ?內(nèi)容概覽?:本文檔詳細(xì)介紹了如何準(zhǔn)確測量高速GaN E-HEMT的性能,包括電流和電壓的測量技術(shù)、雙脈沖開關(guān)測試、開關(guān)能量測量等。

這里給大家?guī)砻赓M(fèi)的下載地址:

*附件:高速GaN E-HEMT的測量技巧.pdf

二、測量技術(shù)

1. 短環(huán)路的重要性

  • ?原因?:長地線會引入不必要的電感,導(dǎo)致信號上升和下降沿出現(xiàn)過沖和振鈴。對于具有極快上升/下降時間的GaN E-HEMT,地環(huán)路的長度尤為重要。
  • ?建議?:使用具有短地夾的示波器探頭,確保測試環(huán)路盡可能短。

2. 低側(cè)電壓測量

  • ?工具?:推薦使用高帶寬無源探頭(建議300 MHz或更高),確保地線短接,使用兩個鍍通孔(PTH)作為測試點(diǎn)。

3. 高側(cè)浮動電壓測量

  • ?工具?:使用高壓差分探頭,關(guān)注帶寬、共模抑制比(CMRR)和輸入阻抗等規(guī)格。
  • ?注意?:不建議使用隔離變壓器來浮動示波器地,因?yàn)閷τ诟遜V/dt信號,線頻隔離變壓器并非完全隔離。

4. 高速GaN E-HEMT的電流感應(yīng)

  • ?方法?:使用電流分流電阻、電流變壓器或Rogowski線圈電流探頭。每種方法各有優(yōu)缺點(diǎn),需根據(jù)具體應(yīng)用選擇。

三、雙脈沖開關(guān)測試

  • ?目的?:用于表征硬開關(guān)的開通和關(guān)斷。
  • ?設(shè)置?:包括被測設(shè)備(DUT)的開通和關(guān)斷,以及電感電流的續(xù)流過程。
  • ?示例?:提供了400V/30A硬開關(guān)開通和關(guān)斷的測試結(jié)果,展示了GaN E-HEMT的清潔開關(guān)邊緣和快速開關(guān)速度。

四、開關(guān)能量Eon/Eoff測量

  • ?技術(shù)?:詳細(xì)介紹了Vgs、Vds、Ids的探測技術(shù),以提高測量準(zhǔn)確性。
  • ?損失分布?:包括外部測量損失(如Eqoss和Eoss)和器件內(nèi)部損失。
  • ?示例?:提供了400V/30A條件下的Eon/Eoff測試結(jié)果,強(qiáng)調(diào)了通道去偏斜對于準(zhǔn)確測量的重要性。

五、總結(jié)與結(jié)論

  • ?要點(diǎn)?:準(zhǔn)確表征GaN E-HEMT的超快開關(guān)速度需要注意測試方法。本文檔提供了適當(dāng)?shù)臏y量設(shè)備和技術(shù)的概述,并展示了兩個常見的晶體管表征測試及其結(jié)果。
  • ?意義?:為電力電子設(shè)計師提供了準(zhǔn)確表征GaN E-HEMT并設(shè)計優(yōu)化性能電力系統(tǒng)的指導(dǎo)。

六、附錄:帶寬要求

  • ?帶寬影響?:測量帶寬由示波器和探頭的性能決定。有限帶寬會導(dǎo)致延遲,影響測量結(jié)果。
  • ?建議?:對于GaN E-HEMT的超快開關(guān)轉(zhuǎn)換和低寄生電容,需要使用高帶寬設(shè)備進(jìn)行測量。

通過遵循這些測量技巧,電力電子設(shè)計師可以準(zhǔn)確評估高速GaN E-HEMT的性能,并設(shè)計出性能更優(yōu)的電力系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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