TPS7A37 系列線性低壓降 (LDO) 穩壓器在一個電壓隨耦器配置中使用一個 N 溝道金屬氧化物半導體 (NMOS) 導通元件。 該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低,從而實現多種負載配置。 負載瞬態響應出色,即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。 NMOS 拓撲結構也可實現極低壓降。
*附件:TPS7A37 具有反向電流保護功能的1%高精度、1A低壓降穩壓器.pdf
TPS7A37 系列使用一個先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝,可在傳送極低壓降電壓和低接地引腳電流的同時產生高精度。 未使能狀態下的電流消耗小于 20nA,非常適合便攜式 應用。 這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
特性
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容搭配工作時保持穩定
- 輸入電壓范圍:2.2V 至 5.5V
- 超低壓降電壓:
- 1A 時的最大電壓為 200mV
- 出色的負載瞬態響應 - 即使與僅為 1μF 的輸出電容搭配使用也依舊出色
- NMOS 拓撲結構可提供低反向泄漏電流
- 出色的精度:
- 0.23% 標稱準確度
- 整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為 1%
- 關斷模式下的 I
Q典型值小于 20nA - 用于故障保護的熱關斷和電流限制
參數
方框圖
一、產品概述
TPS7A37是一款具有反向電流保護功能的1%高精度、1A低壓降(LDO)穩壓器。它采用NMOS拓撲結構,適用于便攜式設備、數字信號處理器(DSP)、現場可編程門陣列(FPGA)等需要高精度、低反向泄漏電流和超低壓差的應用。
二、主要特性
- ?高精度?:整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為1%,標稱準確度為0.23%。
- ?超低壓差?:1A負載下的最大壓差電壓為200mV。
- ?反向電流保護?:NMOS拓撲結構提供低反向泄漏電流,保護電路免受反向電流損害。
- ?快速瞬態響應?:即使與僅為1μF的小型陶瓷輸出電容搭配使用,也能實現出色的負載瞬態響應。
- ?低功耗?:關斷模式下的靜態電流典型值小于20nA,適合便攜式應用。
- ?熱關斷和電流限制?:提供熱關斷和折返電流限制保護,防止器件在過載或短路條件下損壞。
三、電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:2.2V至5.5V。
- ?輸出電壓范圍?:固定電壓版本包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V等多種選擇;可調電壓版本輸出范圍更靈活。
- ?輸出電流?:最大1A。
- ?壓差電壓?:1A負載下典型值為200mV。
- ?靜態電流?:關斷模式下典型值為20nA。
- ?熱關斷溫度?:約160°C。
四、功能描述
- ?內部電流限制?:提供內部電流限制功能,保護器件在過載或短路條件下不受損壞。折返電流限制在輸出短路時進一步減少電流,防止器件過熱。
- ? 使能引腳(EN) ?:EN引腳用于控制穩壓器的開啟和關閉。當EN引腳電平低于0.5V時,穩壓器進入關斷模式,靜態電流降至約20nA。
- ?反向電流保護?:NMOS導通元件的拓撲結構使得TPS7A37具有固有的反向電流保護能力。當輸入電壓降至低于輸出電壓時,可防止電流從輸出流向輸入。
五、應用信息
- ?電容選擇?:建議在輸入端連接一個0.1μF至1μF的低ESR陶瓷電容,以改善瞬態響應、噪聲抑制和紋波抑制。輸出端需要至少1μF的陶瓷電容以確保穩定性。
- ?布局建議?:為了優化性能,應將輸入和輸出電容盡可能靠近穩壓器放置,并使用短而寬的走線連接電容和穩壓器引腳。同時,應避免使用長走線和過孔,以減少寄生電感和電容。
- ?散熱設計?:根據功率耗散和封裝類型,合理設計PCB布局以確保器件的工作結溫不超過最大允許值(125°C)。對于高功率應用,可能需要使用散熱片或風扇等附加散熱措施。
六、封裝與尺寸
- 提供WSON-6封裝選項,封裝尺寸為2.00mm x 2.00mm。
- 具體封裝尺寸和引腳布局詳見數據表中的封裝尺寸圖。
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