這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器、下一代游戲電競(jìng)系統(tǒng)、500 W 太陽(yáng)能微型逆變器、1.2 kW 數(shù)據(jù)中心 SMPS 和4 kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

NV6169是最先進(jìn)的納微第三代氮化鎵平臺(tái)中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率芯片具有行業(yè)首創(chuàng)，無(wú)損電流感應(yīng)和最快的短路保護(hù)，實(shí)現(xiàn)“檢測(cè)到保護(hù)”的速度僅為30ns，比分立解決方案快6倍。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，與IGBT相比，氮化鎵功率芯片可節(jié)省高達(dá)40%的能源，消除30個(gè)外部組件，并將系統(tǒng)效率提高8%。
*附件：NV6169 產(chǎn)品手冊(cè)和介紹.pdf

一、核心參數(shù)與性能

1. 基礎(chǔ)參數(shù)
   • 導(dǎo)通電阻（Rds(on)） ： 45毫歐（mΩ） ，較上一代降低36%。
   • 封裝 ：采用 8×8 mm PQFN封裝 ，支持高功率密度設(shè)計(jì)。
   • 電壓規(guī)格 ：
     • 額定工作電壓 ：650V。
     • 峰值電壓 ：800V，適用于瞬態(tài)高壓場(chǎng)景（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變）。
2. 算力與能效
   • 節(jié)能優(yōu)勢(shì) ：
     • 相比IGBT， 節(jié)省40%能源 ，減少30個(gè)外部組件，系統(tǒng)效率提升8%。
     • 通過(guò)無(wú)損電流感應(yīng)和自動(dòng)待機(jī)模式，降低待機(jī)功耗。
   • 開(kāi)關(guān)頻率 ：支持高頻開(kāi)關(guān)（如2MHz），優(yōu)化電源效率。

二、技術(shù)特點(diǎn)與創(chuàng)新

1. GaNSense技術(shù)
   • 無(wú)損電流感應(yīng) ：
     • 內(nèi)置逐周期電流檢測(cè)，無(wú)需外部采樣電阻，減少傳導(dǎo)損耗和PCB發(fā)熱。
     • 30ns短路保護(hù) ：從檢測(cè)到保護(hù)僅需30納秒，比分立方案快6倍。
   • 集成保護(hù)功能 ：
     • 過(guò)流保護(hù)（OCP）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）、靜電放電（ESD）防護(hù)（2kV等級(jí)）。
     • 自動(dòng)待機(jī)模式，空閑時(shí)降低功耗。
2. 高可靠性設(shè)計(jì)
   • 散熱優(yōu)化 ：
     • 源極散熱焊盤(pán)設(shè)計(jì)，配合PCB銅箔和散熱孔實(shí)現(xiàn)高效散熱。
     • 支持高功率密度應(yīng)用（如數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車）。
   • 零故障記錄 ：
     • 累計(jì)出貨超5000萬(wàn)顆氮化鎵芯片，無(wú)現(xiàn)場(chǎng)故障報(bào)告（截至2022年）。
3. 兼容性與易用性
   • 集成驅(qū)動(dòng)與控制 ：
     • 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，兼容主流拓?fù)洌ㄈ鐖D騰柱PFC、LLC）。
     • 支持PWM輸入和標(biāo)準(zhǔn)接口，適配多種控制器。

三、應(yīng)用場(chǎng)景與市場(chǎng)定位

1. 目標(biāo)市場(chǎng)
   • 高功率領(lǐng)域 ：
     • 電動(dòng)汽車（EV） ：車載充電器（OBC）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器。
     • 工業(yè)電源 ：太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、服務(wù)器電源。
     • 消費(fèi)電子 ：高端快充充電器（如100W以上多口氮化鎵充電器）。
2. 競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
   • 性能對(duì)比 ：
     • 功率密度 ：相比硅基方案，體積縮小50%，重量減輕40%。
     • 成本效益 ：減少外部組件數(shù)量，降低系統(tǒng)BOM成本。
   • 擴(kuò)展性 ：
     • 可并聯(lián)多顆芯片提升功率，支持千瓦級(jí)應(yīng)用（如800V高壓平臺(tái)）。

四、行業(yè)地位與案例

1. 市場(chǎng)認(rèn)可
   • 技術(shù)領(lǐng)先性 ：
     • 全球首款集成智能傳感與保護(hù)的氮化鎵功率芯片（2021年GaNSense技術(shù)發(fā)布）。
     • 納微半導(dǎo)體是唯一實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制全集成的廠商。
   • 專利布局 ：
     • 擁有超100項(xiàng)專利，覆蓋功率晶體管、驅(qū)動(dòng)器、單片集成等領(lǐng)域。
2. 應(yīng)用案例
   • 消費(fèi)電子 ：
     • 綠聯(lián)、貝爾金、聯(lián)想等品牌的100W+氮化鎵充電器（如綠聯(lián)100W 2C1A）。
   • 工業(yè)與汽車 ：
     • 適用于數(shù)據(jù)中心電源、太陽(yáng)能逆變器，但具體客戶案例未公開(kāi)（知識(shí)庫(kù)未提及）。

五、總結(jié)

GaNFast NV6169是納微半導(dǎo)體在高功率氮化鎵芯片領(lǐng)域的旗艦產(chǎn)品，憑借 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù) ，成為數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和工業(yè)電源的優(yōu)選方案。其集成化設(shè)計(jì)與高可靠性，進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在高功率場(chǎng)景的普及。隨著電動(dòng)汽車和可再生能源需求增長(zhǎng)，NV6169有望在2025年及以后的市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。