近來，DRAM、NAND型閃存報價走勢超優，市場調研機構IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預估值拉高近一倍，從原本的8%一口氣上修至15%。

IC Insights 昨日發表研究報告指出，今年DRAM均價遠優于預期，估計將較去年跳增36%，延續去年大漲81%的上升走勢，而去年均價跳漲45%的NAND，今年報價也有望續增10%。相較之下，DRAM、NAND今年的位出貨量成長率則只將達到1%、6%。

基于上述預測，IC Insights認為，今年DRAM的全球市場規模有望成長37%，遠優于先前估計的13%，而NAND則將成長17%、也高于先前估計的10%。

報告稱，2018年DRAM市場的整體規模預料會達到996億美元，比NAND的621億美元大幅超出375億美元，成為IC業界規模最大的產品類別。從該機構制作的圖表（如上）可以看出，過去五年來，DRAM已成為左右全球IC成長的關鍵因素。

美國內存大廠美光受惠DRAM報價看俏、NAND型閃存毛利增加，去年股價狂飆87.57%后，今年以來又續漲45.38%。

另據CNBC、路透社等外電報導，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發表研究報告指出，年初以來，內存報價僅下滑3%，跌幅遠不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，預估未來六個月報價有望上揚10%。研究顯示，供貨商應該會在Q2、Q3開始漲價，跟市場原本預測的未來四季報價每季會跌5-6%大相徑庭。

分析師Romit Shah認為，美光股價順利突破3-4個月的盤整期，目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項對美光有利的因素，當中包括DRAM報價有望自第2季起恢復揚升走勢、公司將在5月首度宣布股利發放和庫藏股計劃、NAND的毛利率持續擴張，以及有關整并的討論增多等。

不過，日前，三星工廠停電或導致全球NAND供應短期受阻。

據韓國當地媒體報道，上周五三星位于平澤的NAND工廠突然遭遇30分鐘的意外停電。盡管備用的不間斷電源可以應對20分鐘左右的突發狀況，但是在CVD（化學氣相沉積）、擴散、蝕刻和離子注入等工藝中，60分鐘的停電可能將影響60％的輸入晶圓片（即等待加工的晶圓片）。一般情況下，超過20分鐘的任意停電將導致一半以上的輸入晶圓報廢。由于平澤工廠此次停電事故，預計3月份全球NAND供應將暫時收緊，同時預計這次事故會降低全球NAND庫存水平。

花旗銀行分析，三星3月份11%的NAND產能預計將受到影響。目前，三星平澤工廠一層每月NAND產能為90k片晶圓，二層DRAM/NAND裝備則正在安裝中。盡管有不間斷電源備用，預計此次停電事故仍將影響到60%的產能。如果以三星NAND總產能514k片/月來計算，估計三星3月份NAND芯片出貨量的11％將報廢。目前全球每月NAND產能為1,557k片/月，因此預計2018年3月全球NAND供應量將下降3.5%。

不過三星有事故保險，因此停電事故對其影響有限。三星的內存晶圓廠都投了事故保險，此次意外停電可獲得一筆保險賠償，因此對三星的利潤影響不大。此外，由于其有充足的NAND庫存準備，相信三星的銷售和運營也不會受到影響。

花旗銀行指出，受服務器DRAM采用1xnm和1ynm驅動，預計三星將繼續保持強勁增長。SK Hynix方面，預計2018年強勁的服務器DRAM和SSD需求將使該公司創下新的盈利紀錄。