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存儲電源芯片又一重要玩家,打破DDR5 PMIC壟斷

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2025-03-21 09:05 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)最近,思遠半導體首次參加MemoryS展,重磅展出存儲相關電源芯片系列產品,包括DDR5 PMIC、SSD PMIC、高精度溫度傳感器等產品,引起市場廣泛關注。思遠半導體是移動電源、TWS耳機等領域電源管理芯片的知名供應商,在TWS耳機充電倉SoC芯片市場占有率排名第一。如今,思遠半導體進軍存儲電源芯片領域,實力滿滿,力爭成為AI存儲浪潮下PMIC芯片的頭部企業(yè)。

DDR5 PMIC

“思遠半導體兩三年前就開始部署存儲電源PMIC產品,研發(fā)團隊在電源低功耗方面有著十多年的技術積累,做了大電流設計的技術儲備,并擴充存儲市場銷售團隊。”思遠半導體市場銷售部總監(jiān)劉江濤表示。

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圖:思遠半導體市場銷售部總監(jiān)劉江濤(左一)


DDR5作為最新一代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),憑借在數據傳輸速率、帶寬和能效等方面的優(yōu)勢,逐漸成為內存的主流選擇,尤其是AI大模型應用將加速DDR5的市場進程。思遠半導體的存儲PMIC芯片最先切入DDR5這一賽道,在時間點上非常適合。

據了解,此前DDR5 PMIC主要供應商來自歐美、日系、臺系廠商,鮮有大陸廠商推出相關產品。此次思遠率先推出SY5888、SY5887兩款DDR5 PMIC方案,實現了超頻性能與穩(wěn)定供電的雙突破。

其中,思遠推出的SY5888、SY5887是用于DDR5 SODIMM和UDIMM的PMIC,集成3個高效降壓DC-DC轉換器SWA/SWB/SWC和兩個LDO。兩個LDO為:VOUT1_1.8V / VOUT2_1.0V,分別給SPD集線器和溫度傳感器供電,提供FC-QFN-28(3mmx4mm)封裝,無鹵無鉛,符合RoHS標準。其中,SY5888支持內存條超頻至8000Mbps以上,SY5887滿足JESD301-2 V1.0.3規(guī)范。

DDR5內存的高性能帶來了更復雜的供電挑戰(zhàn)。劉江濤表示,相較于傳統DDR4,DDR5采用多通道設計且高頻負載波動較大,對電壓精度要求極高,并且需要實時動態(tài)調節(jié)電源輸出。

思遠半導體DDR5 PMIC支持多路輸出,滿足高頻運行需求,電壓調節(jié)精度和動態(tài)響應速度表現出色,確保內存模塊高負載下的穩(wěn)定性。“我們設計了一個穩(wěn)定的參考電壓,保證靜態(tài)工作時電壓的穩(wěn)定性和精確性,采用動態(tài)電壓調整技術調節(jié)輸出電壓。”他說道。

目前,思遠半導體DDR5 PMIC產品已經拓展了國內外多家客戶,以其產品的高性能和本地化的快速響應服務受到客戶認可。

SSD PMIC

除了DDR5 PMIC市場之外,思遠半導體也針對SSD固態(tài)硬盤發(fā)布了兩款電源管理芯片。

思遠半導體SY5881是一款針對固態(tài)硬盤、穿戴設備、移動設備及嵌入式計算平臺應用的電源管理芯片。SY5881功率部分集成四個DC-DC轉換器和兩個LDO,可以最小化外部元件,從而簡化有限的PCB布局。DC-DC轉換器具有高精度、高效率和高靈活性。

SY5881采用I2C接口對芯片寄存器操作,并有8個GPIO可以靈活配置芯片的基礎功能。SY5881集成輸出過流、輸出過壓、輸出欠壓、短路、輸入過壓和過溫等故障保護。無鹵無鉛,符合RoHS標準,WLCSP-36 (2.4 mm x2.4 mm)封裝。

思遠半導體SY5882是一款針對固態(tài)硬盤、穿戴設備、移動設備及嵌入式計算平臺應用的電源管理芯片。SY5882功率部分集成三個DC-DC轉換器和兩個LDO,采用FCQFN 3mm*3mm封裝,增加散熱性能。

SY5882通過I2C接口對芯片寄存器操作及3個可靈活配置的GPIO。SY5882集成輸出過流、輸出過壓、輸出欠壓、短路、輸入過壓和過溫等故障保護。無鹵無鉛,符合RoHS標準。

劉江濤表示,從存儲接口規(guī)格來看,PCIe4.0已經成為主流,思遠這一代SSD PMIC能夠很好地支持PCIe4.0 SSD的高效能電源管理的需求,未來隨著SSD的速率越來越高對PMIC提出更高要求,為此思遠半導體也在積極研發(fā)支持PCIe5.0 SSD的PMIC,預計很快可以給客戶送樣,至于PCIe6.0也會密切與存儲原廠、模組廠商配合,積極開展研發(fā)。

針對企業(yè)級DDR5的布局

企業(yè)級DDR5 RDIMM上標配了兩顆溫度傳感器,以及PMIC、RCD等芯片。此次思遠半導體推出了一款高精度數字溫度計傳感器TS5110。采用6腳CSP封裝(0.85mmx1.35mm),完全符合 JEDEC JESD302-1標準。在-40°C至+125°C工作溫度范圍內,TS5110提供+/-0.25°C典型精度。

劉江濤指出,這顆傳感器在精度上遠超JEDEC的要求,可以說思遠做到了超前設計,另外算法方面,做了應力補償算法,有助于量產的穩(wěn)定性和一致性。

至于企業(yè)級DDR5 PMIC的開發(fā),思遠半導體也已經有所布局。公司將不斷完善存儲PMIC芯片的產品線,拓寬存儲客戶群。

今年以來DeepSeek為存儲行業(yè)帶來了無限的機會,劉江濤認為DeepSeek能夠用更低的成本部署AI,更多人使用AI帶動了數據量的需求增長,就需要更多的SSD和內存條,好的電源管理芯片就是以更高的效能助力AI的普及。


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