隨著全球對電動化、智能化和便攜式設備需求的不斷增加，鋰離子電池作為主流能源來源，已成為各類消費電子產品和電動工具的核心。在這一發展過程中，鋰離子電池的保護電路正面臨著更高的要求。特別是在快充技術日益成熟的今天，如何實現高效的電池管理，確保電池在高負載條件下的安全性和穩定性，成為設計者亟待解決的關鍵問題。

MOSFET作為電池管理系統的重要元件，其性能的提升直接影響到整個系統的功效和穩定性。東芝一直致力于為鋰離子電池保護電路提供高性能的MOSFET解決方案，尤其在降低導通電阻方面，SSM14N956L代表了公司在這一領域的又一重要創新進展。

低導通電阻，提升功率效率

SSM14N956L是東芝MOSFET產品系列中的新成員，是一款專為移動設備鋰離子電池組設計的低導通電阻產品，與此前發布的SSM10N954L和SSM6N951L類似，均采用了微工藝技術，但在此基礎上進一步降低了導通電阻。

SSM14N956L與SSM10N954L的主要規格對比

SSM14N956L的源極-漏極通道電阻的典型值為RSS(ON)＝1.1 mΩ（@VGS＝3.8 V），這一特性使其在高電流條件下能夠顯著降低功率損耗，在鋰電池保護電路中，低導通電阻能夠最大限度地減少電流通過MOSFET時的電壓降，從而提升整體系統的能效。

SSM14N956L的RSS(ON)與柵源電壓（VGS）關系的圖示

在快充應用場景中，電流密度較高，對MOSFET的導通電阻要求更加嚴格。低導通電阻不僅有助于減小熱量產生，還能提高電池的充電效率。這對于提高充電速度、延長電池壽命以及提升設備安全性至關重要。

SSM14N956L的其他亮點解析

除低導通電阻外，SSM14N956L還具備低柵源漏電流，即使在較高的柵源電壓下，其漏電流依然保持在非常低的水平，IGSS最大值僅為±1 μA（@VGS＝±8 V）。在鋰電池保護電路中，MOSFET的柵源漏電流對待機功耗有著直接影響。較低的漏電流意味著在設備處于待機模式時，系統能耗更低，從而有效延長電池的使用時間。

SSM14N956L IGSS與VGS之間的關系

這一特性對于便攜式設備尤為重要，尤其是智能手機、平板電腦等需要長時間待機的應用場景。隨著設備對低功耗技術要求的提高，SSM14N956L憑借其低柵源漏電流，為電池管理系統提供了更高效的能量管理方案。

超薄封裝設計，滿足小型化需求

現代移動設備不斷追求更小巧、更輕便的設計，因此電子元件的體積和厚度成為了產品設計中不可忽視的因素。

SSM14N956L采用的TCSPED-302701封裝，尺寸為2.74 mm×3.0 mm，厚度僅為0.085 mm（典型值）。這一超薄小型化封裝，不僅滿足了空間受限的設計需求，還能有效降低電路板上的布局復雜度。此外，這種封裝還支持更高的散熱效率，避免了過熱對系統穩定性和電池性能的負面影響。

TCSPED-302701封裝和引腳布局

SSM14N956L采用的共漏極結構，由于其較低的開關損耗和簡化的驅動需求，特別適合用于高效、可靠的電池保護電路設計。

應用場景

自2023年5月發布以來，SSM14N956L已經在市場中得到廣泛應用，并取得了積極的市場反饋。SSM14N956L可廣泛應用于家用電器、消費類電子產品以及辦公和個人設備中，特別是采用鋰離子電池的智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器等。

總結

東芝SSM14N956L MOSFET優異的性能和小型化封裝使其成為移動設備電池保護電路的理想選擇。未來，東芝將持續致力于MOSFET技術的研發與創新，不斷推出更高性能、更具競爭力的產品，以滿足市場日益增長的需求。

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