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除了固晶工藝還有哪些封裝連接技術(shù)?錫膏為何成為高端制造的 “剛需”?

深圳市傲牛科技有限公司 ? 2025-04-12 09:37 ? 次閱讀

半導(dǎo)體封裝的復(fù)雜流程中,固晶工藝堪稱 “芯片的奠基儀式”—— 它是將裸芯片精準(zhǔn)固定在基板上的關(guān)鍵工序,如同為芯片搭建 “穩(wěn)固地基”,直接影響器件的散熱能力、機械強度與長期可靠性。這項看似基礎(chǔ)的工藝,究竟在哪些制造環(huán)節(jié)中不可或缺?與引線鍵合、倒裝芯片等技術(shù)相比有何不同?錫膏在其中又扮演怎樣的關(guān)鍵角色?本文將從錫膏廠家研發(fā)工程師視角帶你逐一解析。

一、固晶工藝:定義與核心應(yīng)用場景

固晶工藝,即 “芯片粘貼工藝”(Die Bonding),核心是通過粘合劑或焊料,將微米級的裸芯片固定在PCB、陶瓷基板或引線框架上。這是封裝流程的第一步,解決 “芯片如何穩(wěn)定立足” 的基礎(chǔ)問題。

早期工藝多使用銀膠(環(huán)氧樹脂混合銀粉),依賴膠水的粘性固定芯片,雖成本低但性能有限 —— 導(dǎo)熱率僅5-15W/m?K,耐溫不超過150℃,且長期使用易因膠水老化導(dǎo)致芯片脫落。

現(xiàn)代高端制造中,固晶工藝已升級為 “金屬焊接時代”:通過固晶錫膏(如SnAgCu合金焊料),在回流焊中形成冶金結(jié)合,實現(xiàn)高強度、高導(dǎo)熱連接。這種升級在三大領(lǐng)域尤為關(guān)鍵:

1、LED與顯示器件。Mini LED芯片(尺寸<100μm)與陶瓷基板的連接,需要錫膏的超細粉末(5-15μm)填充5-50μm的間隙,確保發(fā)光芯片受力均勻,減少光衰;

2、功率半導(dǎo)體。IGBT模塊、SiC功率芯片依賴錫膏的高導(dǎo)熱性(60-70W/m?K),快速導(dǎo)出200W/cm2 的熱流密度,避免過熱失效;

3、傳感器MEMS器件。柔性基板上的加速度計芯片,需低黏度錫膏(50-80Pa?s)適應(yīng)彎曲變形,保障振動環(huán)境下的信號穩(wěn)定性。

二、固晶工藝 VS其他封裝工藝:連接技術(shù)的分工與協(xié)同

固晶工藝并非孤立存在,而是與多種封裝工藝共同構(gòu)成 “連接矩陣”,每種工藝解決不同維度的問題:

1、引線鍵合(Wire Bonding):通過金線或銅線,連接芯片焊盤與基板引腳,是最普及的電氣連接技術(shù)。它的優(yōu)勢是成本低、兼容性強,適合消費電子中的通用芯片;所需材料為金線(99.99%純金)或銅線,依賴超聲焊接形成機械與電氣連接。

2、倒裝芯片(Flip Chip):將芯片倒置,通過焊球(如SnAgCu焊球)直接焊接基板焊盤,實現(xiàn)高密度互連。其核心優(yōu)勢是縮短信號路徑,降低延遲,適合AI芯片、智能手機AP等高性能器件;所需材料為預(yù)成型焊球或焊膏,依賴高精度對準(zhǔn)技術(shù)(±2μm)確保焊點位置精度。

3、底部填充(Underfill):在芯片與基板間隙填充環(huán)氧樹脂,增強焊點抗疲勞能力。這一工藝常與固晶、倒裝芯片配合,尤其適合汽車電子等高振動場景;材料為低模量環(huán)氧樹脂,需控制填充速度避免氣泡,提升焊點壽命3倍以上。

對比之下,固晶工藝是 “物理支撐的起點”,解決芯片的固定與基礎(chǔ)導(dǎo)熱;引線鍵合與倒裝芯片負責(zé) “電氣連接”,前者經(jīng)濟通用,后者高密度高性能;底部填充則是 “可靠性加固”,四者環(huán)環(huán)相扣,缺一不可。

工藝類型

核心原理

優(yōu)勢

典型應(yīng)用

與固晶的關(guān)系

固晶工藝芯片與基板的直接粘貼 / 焊接奠定物理支撐與基礎(chǔ)導(dǎo)熱路徑所有需要芯片固定的場景封裝流程的起點,影響后續(xù)工序
引線鍵合金線 / 銅線連接芯片焊盤與基板引腳成本低、兼容性強消費電子、通用集成電路固晶后的電氣連接工序
倒裝芯片(Flip Chip)芯片焊球直接焊接基板焊盤高密度互連、低信號延遲智能手機 AP、AI 芯片固晶的 “升級形態(tài)”,省略引線
底部填充(Underfill)填充芯片與基板間隙的環(huán)氧樹脂增強焊點抗疲勞能力高振動場景(如汽車電子)固晶 + 焊接后的加固工序

三、錫膏在固晶工藝中的四大核心價值

在高端固晶場景中,固晶錫膏的性能遠超傳統(tǒng)銀膠,成為 “升級首選”:

1、高強度連接:錫膏通過回流焊形成金屬間化合物(IMC)層,焊點剪切強度可達40MPa以上,是銀膠的2-3倍。例如,汽車電子的IGBT模塊需承受50G振動,錫膏焊點的抗疲勞壽命達500萬次,遠超銀膠的100萬次,滿足AEC-Q200認證要求。

2、高效導(dǎo)熱通道:錫基合金的導(dǎo)熱率達 60-70W/m?K,是銀膠的5-10倍。某SiC功率芯片使用固晶錫膏后,結(jié)溫從125℃降至105℃,模塊壽命延長30%,適配新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的高熱需求。

3、精密間隙填充:T6級超細粉末(5-15μm)搭配低黏度配方,能填滿0.05mm以下的狹窄間隙,填充率超過98%。在Mini LED封裝中,這種能力確保芯片與基板緊密貼合,避免因空洞導(dǎo)致的死燈現(xiàn)象。

4、環(huán)境適應(yīng)性:高溫型錫膏(熔點≥217℃)支持200℃長期工作,解決發(fā)動機艙的高溫老化問題;無鹵素配方的殘留物表面絕緣電阻>10^14Ω,在高濕環(huán)境中避免電化學(xué)遷移,適合戶外LED與航空器件。

四、固晶錫膏的類型與選型邏輯

根據(jù)合金成分與場景需求,固晶錫膏可分為三大類:

1、高溫型(SnAgCu合金):適合耐溫>150℃的功率芯片,如IGBT、硅基模塊,通過添加Ni、Co等增強相,提升焊點抗蠕變能力,確保200℃下長期穩(wěn)定。

2、中溫型(SnBi/SnAgBi合金):適用于LED、CIS傳感器等耐溫≤150℃的元件,重點關(guān)注粉末顆粒度(T6級5-15μm),保障0.3mm以下焊盤的成型精度。

3、高導(dǎo)型(添加 Cu/Ni增強相):專為200W以上大功率器件設(shè)計,導(dǎo)熱率突破70W/m?K,常搭配銅基板使用,目標(biāo)將焊點熱阻控制在0.5℃/W以下,滿足固態(tài)激光雷達等極致散熱需求。

四、小結(jié):固晶工藝 —— 高端制造的 “第一焊點” 密碼

從 LED的微米級芯片固定到功率半導(dǎo)體的高強度連接,固晶工藝是高端制造無法繞過的 “第一關(guān)”。傳統(tǒng)銀膠適合低成本場景,而固晶錫膏憑借金屬級連接性能,成為高溫、高功率、高可靠性場景的必選項。它與引線鍵合、倒裝芯片、底部填充等工藝協(xié)同,構(gòu)建起完整的封裝連接體系,每一步都在為器件的性能與壽命 “加碼”。

選擇合適的固晶方案,本質(zhì)是為芯片選擇 “優(yōu)質(zhì)地基”—— 因為在半導(dǎo)體封裝的微觀世界里,每一個穩(wěn)固的焊點,都是設(shè)備長期可靠運行的起點。

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