眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認證計算機和服務器內部電源效率的重要標準指標，而2011年推出的鈦金作為其最嚴苛的效率標準，也于2025年1月，由最新的紅寶石 “Ruby”標準替代。“紅寶石”要求電源在原鈦金標準下，所有負載條件下的系統效率額外提升1%（50%負載時提升0.5%），達到96.5%的效率新基準。

這一全新標準為行業指明了效率提升的路徑，為數據中心應對云存儲、商業領域需求演變及解決高負載AI計算對電網產生的巨大的壓力提供了指南。例如，每臺通過紅寶石標準認證的3.2kW CRPS185電源在3年生命周期內，可節省高達420kWh電力，相當于減少超過400kg二氧化碳排放。

憑借著深厚的氮化鎵和碳化硅技術積累，以及專設的數據中心設計中心的工程經驗，納微半導體成功推出了一系列AI數據中心和大規模計算專用的服務器電源產品，并均已成功超越最嚴苛的80PLUS紅寶石標準。

今日，慕尼黑上海電子展于新國際博覽中心盛大開幕！納微半導體聯手戰略合作伙伴兆易創新，共同向觀眾描繪了最新AI數據中心電源技術路線圖，首次向行業公開亮相12kW OCP服務器電源參考設計！

全球獨家！行業首款12kW OCP電源

繼全球首發8.5kW OCP電源后，納微再次刷新服務器電源天花板高度，在本次慕尼黑上海電子展全球首秀12kW OCP電源。該方案采用了納微GaNSafe高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件混合設計，并結合兆易創新GD32G5系列先進MCU，以85W/in3的超高功率密度和超97.5%的峰值效率，不僅輕松超越最新80 PLUS紅寶石標準，更重要的是其能使數據中心和超大規模運營商能夠實現單機架120kW的超高功率密度。

該電源針對AI數據中心優化的輸出電壓為50V的服務器電源，符合開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規范。

創新亮點

創新拓撲：基于納微第三代快速碳化硅MOSFET打造的50 kHz三相交錯連續導通模式（CCM）圖騰柱PFC拓撲，配合120kHz三相全橋LLC架構及GaNSafe氮化鎵功率芯片，實現超高效率、精簡元件數量，并顯著降低紋波電流和電磁干擾（EMI）。

行業首創：PFC與LLC所采用三相拓撲的設計為納微獨家技術，該技術是納微繼8.5kW OCP電源后的又一成功應用。

智能控制技術：搭載納微專利的IntelliWeave雙環路雙前饋交錯數字控制技術，確保全負載范圍內實現零電壓開關（ZVS），較現有CCM方案減少30%功率損耗。

全球首款8.5kW OCP電源

為開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規范打造的50V服務器電源，納微GaNSafe和GeneSiC混合設計與兆易創新GD32G5系列先進MCU深度協作，可實現84.6W/in3的超高功率密度和98%的峰值效率，同樣輕松超越紅寶石標準。

創新亮點

其拓撲采用三相交錯PFC和三相LLC架構, 以確保實現最高效率和最佳性能，將無源器件數量降至最低，同時為PFC和LLC帶來行業內最低的紋波電流和EMI。

與最接近的競品（兩相交錯PFC，器件并聯方案）相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數量要少25%，進而降低了整體成本。

該電源的輸入電壓范圍為180至305Vac，待機輸出電壓為50V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時的保持時間為20ms。

全球最高功率密度！

CRPS185 4.5kW紅寶石電源

同樣采用氮化鎵和碳化硅混設計，搭配兆易創新GD32G5系列先進MCU，以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

創新亮點

納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了“溝槽輔助平面柵”技術，使其能夠在不同溫度下為實際應用帶來最高系統效率和可靠性。

運用在LLC拓撲中的650V 納微GaNSafe氮化鎵功率芯片，憑借高度集成的功率、保護、控制和驅動功能，以及易于使用、堅固耐用、散熱性能出色的TOLL封裝，是大功率應用獨特的理想之選。

GaNSafe氮化鎵功率芯片擁有極低的開關損耗和高達800V的瞬態電壓性能，以及低門極電荷（Qg）、低輸出電容（COSS）和無反向恢復損耗（Qrr）等高速開關優勢。

本屆慕尼黑電子展，納微半導體的3款先進AI數據中心電源方案，特別呈現于兆易創新的展臺（上海新國際博覽中心N5館701展位），誠邀您蒞臨參觀，與兆易創新及納微技術團隊現場探討數據中心電源技術的未來創新。