在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

向欣電子 ? 2025-04-25 13:09 ? 次閱讀

作者|Taylor出品|芯片技術(shù)與工藝

半導(dǎo)體行業(yè),每一次制程工藝的突破都如同一場科技革命,它不僅重新定義了芯片性能的邊界,更為電子設(shè)備的智能化、高效能運算等領(lǐng)域注入了強(qiáng)大的活力。而就在近期,TSMC在2025年北美技術(shù)研討會上正式宣布其A14工藝將于2028年量產(chǎn)的消息,無疑再次將行業(yè)推向了新的高潮。我將結(jié)合最新的論文和國內(nèi)外相關(guān)研究,為大家深入剖析TSMCA14工藝的技術(shù)亮點及其對行業(yè)的深遠(yuǎn)影響。


#01

A14工藝:技術(shù)亮點深度剖析


1、晶體管技術(shù)升級:從FinFET到GAAFET


6a2f1d5c-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png


A14工藝采用的第二代GAAFE納米片晶體管相較于傳統(tǒng)的FinFET晶體管,在性能和功耗方面有顯著優(yōu)勢。GAAFE能夠更好地控制leakage,提高晶體管的開關(guān)速度和性能,nanosheet的設(shè)計使得電流控制更加精細(xì),從而實現(xiàn)更高的性能和更低的功耗。


6a466ca0-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png


在最新的IEEE論文中,研究人員指出,GAAFET技術(shù)在1.4nm制程下能夠顯著降低短溝道效應(yīng)的影響,這對于維持晶體管的高性能至關(guān)重要。與FinFET相比,GAAFET在相同尺寸下能夠?qū)崿F(xiàn)更高的電流密度和更低的漏電,這對于高性能計算和低功耗應(yīng)用來說是一個巨大的進(jìn)步。



2、性能提升的多維度影響


A14工藝在相同功耗下能夠提供高達(dá)15%的速度提升,或者在相同速度下減少最多30%的功率消耗。這一性能提升不僅意味著芯片運算速度加快,對于支持高性能計算和復(fù)雜算法的設(shè)備,如數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器、科研機(jī)構(gòu)的超級計算機(jī)等,能夠更快地處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計算任務(wù),大幅提升工作效率。


在移動設(shè)備領(lǐng)域,如智能手機(jī)和平板電腦,功率消耗的減少尤為重要。它不僅可以延長電池續(xù)航時間,還能降低設(shè)備的散熱壓力,提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。根據(jù)國內(nèi)外的研究,低功耗設(shè)計已經(jīng)成為未來移動設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵趨勢,而A14工藝的低功耗特性正好契合了這一需求。


3、邏輯密度提升的意義


A14工藝的邏輯密度提高了20%以上。這意味著在相同芯片面積上可以集成更多的晶體管,從而實現(xiàn)更復(fù)雜的功能和性能提升。這為芯片設(shè)計提供了更大的靈活性,能夠滿足各種不同應(yīng)用場景對芯片功能的要求。


例如,人工智能芯片需要在有限的芯片面積上集成大量的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算單元,以實現(xiàn)高效的圖像識別、語音識別等功能。A14工藝的高邏輯密度特性使得這種集成變得更加可行,為人工智能技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展提供了硬件支持。



#02

A14工藝的制造流程分析


1、硅片制備


非常成熟工藝,和其他制程差別不大,不過多介紹。


2、光刻與刻蝕


光刻是半導(dǎo)體制造中最為關(guān)鍵的步驟之一。在光刻過程中,光刻機(jī)Mask上的圖案投影到涂有光刻膠的硅片上,通過曝光和顯影工藝,將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。隨后,刻蝕工藝?yán)没瘜W(xué)或物理方法去除光刻膠未覆蓋的硅片部分,從而在硅片上形成所需的圖案。


對于A14工藝,極紫外光刻(EUV)技術(shù)的應(yīng)用至關(guān)重要。EUV光刻能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的圖案轉(zhuǎn)移,滿足1.4nm高精度要求。然而,EUV設(shè)備的升級和維護(hù)成本極高,這也是A14工藝量產(chǎn)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)之一。


3、TF


薄膜沉積是半導(dǎo)體制造中的另一個關(guān)鍵步驟。在薄膜沉積過程中,通過CVD、ALD或PVD等方法,在硅片表面形成所需的薄膜。


對于GAAFET,薄膜沉積的質(zhì)量直接影響到晶體管的性能。例如,nanosheet,以確保柵極對溝道的有效控制。此外,薄膜沉積過程中還需要考慮材料的兼容性和熱穩(wěn)定性,以避免在后續(xù)工藝中出現(xiàn)缺陷。


6a8bb076-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png


由于量子限制效應(yīng)、圓角效應(yīng)和薄溝道效應(yīng),需要多大量的DOE和設(shè)計質(zhì)量控制。對工藝質(zhì)量協(xié)調(diào)一致要求要求很高。


4、互連與封裝


互連和封裝是半導(dǎo)體制造的最后兩個步驟。互連工藝通過金屬線將芯片上的各個晶體管連接起來,實現(xiàn)電路的功能。封裝工藝則將芯片封裝在保護(hù)外殼中,提供機(jī)械保護(hù)、散熱和電氣連接等功能。


6a99a000-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png


6aac0952-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png

對于A14工藝,互連和封裝技術(shù)也需要進(jìn)行相應(yīng)的升級。例如,CoWoS封裝技術(shù)的推進(jìn),9.5倍光罩尺寸的提升是一個巨大的進(jìn)步。更大尺寸的光罩能夠整合更多的HBM堆疊,HBM(高帶寬存儲器)在數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練等領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用。通過增加HBM堆疊數(shù)量,可以大幅提高數(shù)據(jù)傳輸速率和存儲容量,滿足高性能計算對數(shù)據(jù)存儲和傳輸?shù)母咭螅嵘麄€系統(tǒng)的處理效率和性能。



#03

技術(shù)布局的全面性和前瞻性


1、封裝技術(shù)的突破


TSMC計劃在2027年開始量產(chǎn)9.5倍光罩尺寸的CoWoS封裝技術(shù)。這一技術(shù)能夠整合12個或更多的HBM(高帶寬存儲器)堆疊,這對于數(shù)據(jù)中心和人工智能訓(xùn)練等領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用。


HBM在高性能計算中扮演著關(guān)鍵角色,它能夠提供極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和存儲容量。通過增加HBM堆疊數(shù)量,CoWo可以大幅提高系統(tǒng)的處理效率和性能。根據(jù)IEEE的相關(guān)研究,這種封裝技術(shù)的進(jìn)步將為未來高性能計算架構(gòu)的設(shè)計提供新的思路。


2、多領(lǐng)域技術(shù)協(xié)同發(fā)展


該公司透露其在2024年第四季度開始生產(chǎn)基于性能增強(qiáng)型N3P(第三代3nm級)工藝技術(shù)的芯片。N3X芯片預(yù)計將于今年下半年量產(chǎn)。與N3P相比,N3X有望在相同功率下將最大性能提高5%,或在相同頻率下將功耗降低7%,并支持高達(dá)1.2V的電壓。


6abc8584-2193-11f0-9434-92fbcf53809c.png


TSMC在不同領(lǐng)域的技術(shù)布局體現(xiàn)了其對半導(dǎo)體行業(yè)多領(lǐng)域發(fā)展趨勢的精準(zhǔn)把握。N4C RF射頻技術(shù)、N3A技術(shù)以及N4e工藝等的應(yīng)用,覆蓋了智能手機(jī)、汽車電子IoT等多個重要領(lǐng)域。


在智能手機(jī)領(lǐng)域,N4CRF技術(shù)支持新興的無線通信標(biāo)準(zhǔn),如WiFi-8。這將為用戶帶來更高速、更穩(wěn)定的無線網(wǎng)絡(luò)連接,同時也為設(shè)備制造商提供了更大的創(chuàng)新空間。根據(jù)國內(nèi)外的研究,無線通信技術(shù)的不斷進(jìn)步將推動智能手機(jī)向更智能化、更便捷化的方向發(fā)展。


IoT領(lǐng)域,N4e工藝的發(fā)展致力于提高邊緣AI技術(shù)的能源效率。這對于IoT設(shè)備在能源受限環(huán)境下的廣泛應(yīng)用具有重要意義。根據(jù)IEEE的相關(guān)論文,低功耗、高性能的芯片設(shè)計是未來IoT發(fā)展的關(guān)鍵,而TSMC的這一技術(shù)布局正好契合了這一需求。




#04

A14工藝在Robot領(lǐng)域的應(yīng)用與影響



1、HPC與Robot


TSMC在技術(shù)研討會上展示了一張人形機(jī)器人注了所需的各種先進(jìn)芯片。這表明,A14工藝的高性能和低功耗特性使其成為Robot技術(shù)的理想選擇。Robot,尤其是人形機(jī)器人的傳感器,需要處理大量的傳感器數(shù)據(jù)、進(jìn)行復(fù)雜的運動控制和實時決策,這都需要強(qiáng)大的計算能力。A14工藝能夠提供高達(dá)15%的速度提升和30%的功耗降低,這對于Robot在電池續(xù)航和實時性能方面是一個巨大的進(jìn)步。


2、高密度集成與Robot


A14邏輯密度提升了20%以上,這意味著可以在更小的芯片面積上集成更多的功能。這對于Robot的設(shè)計尤為重要,因為Robot需要在有限的空間內(nèi)集成多種功能,如傳感器、處理器通信模塊等。高密度集成不僅可以提高Robot的性能,還可以減小Robot的體積,使其更適合在各種環(huán)境中工作。


3、Robot行業(yè)的前景


隨著Robot技術(shù)的不斷發(fā)展,對高性能、低功耗芯片的需求也在增加。A14推出將為Robot行業(yè)帶來新的機(jī)遇。例如,人形機(jī)器人更強(qiáng)大算力來實現(xiàn)更自然的人機(jī)交互和更復(fù)雜的任務(wù)執(zhí)行。




#05

對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響


1、芯片制造


TSMC作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠,其A14工藝的量產(chǎn)將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這將吸引更多客戶訂單,提升市場份額和盈利能力。同時,也將激勵其他芯片制造商加快技術(shù)研發(fā)和制程升級,推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和競爭發(fā)展。


2、芯片設(shè)計公司


A14工藝的高性能和低功耗特點將為芯片設(shè)計公司提供更強(qiáng)大的設(shè)計平臺。芯片設(shè)計公司可以利用TSMC的先進(jìn)工藝,優(yōu)化芯片架構(gòu)和功能,提高芯片的競爭力和市場價值。


3、設(shè)備制造商


半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步對半導(dǎo)體設(shè)備提出了更高的要求。A14工藝的量產(chǎn)將帶動相關(guān)設(shè)備制造商的研發(fā)和生產(chǎn),如光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等。設(shè)備制造商需要不斷升級和創(chuàng)新設(shè)備。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28687

    瀏覽量

    233919
  • TSMC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    178

    瀏覽量

    85304
  • GAA
    GAA
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    38

    瀏覽量

    7689
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展,可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?339次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?441次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?391次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?411次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    簡單認(rèn)識第二代高通3D Sonic傳感器

    目前,已有多款搭載驍龍8至尊版移動平臺的新機(jī)陸續(xù)發(fā)布,其中不少機(jī)型采用第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖,為用戶帶來了更為便捷、高效的解鎖體驗。作為高通新一超聲波指紋解鎖解決方案,第二代
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:05 ?763次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列器件的主要應(yīng)用

    隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載持續(xù)呈指數(shù)級增長,存儲層也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件為各種存儲應(yīng)用提供了巨大優(yōu)勢,包括企業(yè)級 SSD、加密/壓縮加速器
    的頭像 發(fā)表于 01-15 14:03 ?520次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列產(chǎn)品亮點

    第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲器和數(shù)據(jù)帶寬,具備 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能,可滿足當(dāng)今和未來數(shù)據(jù)中心、通信
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:50 ?647次閱讀

    新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

    新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一技術(shù)的優(yōu)勢為
    的頭像 發(fā)表于 11-29 01:03 ?424次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b> CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

    簡單認(rèn)識第二代高通Oryon CPU

    在不久前的2024驍龍峰會上,備受矚目的新一驍龍旗艦移動平臺——驍龍8至尊版正式發(fā)布。這款以“至尊版”命名的全新平臺也是首個采用第二代高通Oryon CPU的移動平臺。憑借領(lǐng)先的CPU、GPU
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:43 ?1075次閱讀

    AMD推出第二代Versal Premium系列

    近日,AMD(超威,納斯達(dá)克股票代碼:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,這款自適應(yīng) SoC 平臺旨在面向各種工作負(fù)載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:27 ?826次閱讀

    一加正式發(fā)布第二代東方屏,獲全球首個DisplayMate A++認(rèn)證

    顯示素質(zhì)、高亮可見、護(hù)眼能力以及流暢體驗四個維度再次帶來巔峰體驗。第二代東方屏以刷新 21 項世界紀(jì)錄的成績,成為全球首個獲得 DisplayMate A++ 認(rèn)證的頂級好屏。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 17:32 ?670次閱讀

    第二代AMD Versal Prime系列自適應(yīng)SoC的亮點

    第二代 Versal Prime 系列自適應(yīng) SoC 是備受期待的 Zynq UltraScale+ MPSoC 產(chǎn)品線的繼任產(chǎn)品,該產(chǎn)品線已廣泛應(yīng)用于廣播與專業(yè)音視頻行業(yè)的設(shè)備中。第二代
    的頭像 發(fā)表于 09-14 15:32 ?875次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Prime系列自適應(yīng)SoC的亮點

    新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器

    新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器應(yīng)用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅(qū)動器板。設(shè)計用于評估采用
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:03 ?605次閱讀
    新品 | 采用<b class='flag-5'>第二代</b>1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器

    TMS320第二代數(shù)字信號處理器數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TMS320第二代數(shù)字信號處理器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-02 09:55 ?0次下載
    TMS320<b class='flag-5'>第二代</b>數(shù)字信號處理器數(shù)據(jù)表

    第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff

    第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:53 ?987次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
    主站蜘蛛池模板: 99伊人 | 国产精品主播在线 | 久久99爰这里有精品国产 | 黄录像欧美片在线观看 | 欧美成人 一区二区三区 | 综综综综合网 | 国产亚洲精品线观看77 | 女人张开腿给人桶免费视频 | 国产成人精品免费视频大全可播放的 | 五月婷婷狠狠 | 人人干人人爽 | 久久精品福利 | 久久精品国产精品亚洲婷婷 | 性欧美高清短视频免费 | 欧美三级视频在线 | 亚洲黄色高清视频 | 日本特黄特色免费大片 | 你懂的在线视频网站 | 午夜在线视频观看 | 伊人久久大香线蕉综合bd高清 | 国产亚洲高清在线精品不卡 | 亚洲合集综合久久性色 | 国产成人高清一区二区私人 | 亚洲综合一区二区 | 天天做天天添婷婷我也去 | 99久久伊人一区二区yy5099 | 涩五月婷婷 | 久久久久久88色偷偷 | 97爱sese | 亚洲欧美在线视频免费 | 一级做a爰片久久毛片看看 一级做a爰片久久毛片毛片 | 五月婷婷丁香在线 | 99久久伊人| 制服丝袜在线一区 | 日韩毛片网站 | 2017av在线| 免费看黄视频网站 | 欧美视频xxxxx | 欧美四级在线 | 国产人人爱 | www.色老头.com |