TPS51100 是一款 3A 灌電流/拉電流跟蹤終端穩壓器。該設備是 專為空間有限的低成本、低外部元件數系統而設計 獎賞。

該TPS51100保持快速瞬態響應，僅需 20 μF（2 × 10 μF）的 陶瓷輸出電容。TPS51100 支持遙感功能和所有功能 需要根據 JEDEC 規范為 DDR 和 DDR2 VTT 總線終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟關閉 對于 S5 中的 VTT 和 VTTREF（掛起到磁盤）。TPS51100 的熱效率 10 引腳 MSOP PowerPAD? 封裝，額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
*附件：tps51100.pdf

特性

• 輸入電壓范圍：4.75 V 至 5.25 V
• VLDOIN 電壓范圍：1.2 V 至 3.6 V
• 3A 灌電流/拉電流端接穩壓器
  包括壓降補償
• 僅需 20μF 陶瓷輸出
  電容
• 支持 S3 中的 Hi-Z 和 S5 中的 Soft-Off
• 1.2V 輸入 （VLDOIN） 有助于降低總
  功耗
• 集成分頻器可跟蹤 VTT 和 VTTREF 的
  0.5 VDDQSNS
• 遙感 （VTTSNS）
• VTT 和 VTTREF 的精度為 ±20mV
• 10mA 緩沖基準 （VTTREF）
• 內置軟啟動、UVLO 和 OCL
• 熱關斷
• 支持 JEDEC 規范

參數

方框圖

一、概述

TPS51100是一款專為DDR、DDR2、DDR3內存系統設計的3A源/匯跟蹤終端調節器。它集成了高性能、低壓差線性調節器（LDO），能夠提供快速的瞬態響應，并支持JEDEC規范。TPS51100適用于需要低成本和低外部組件數的系統，如筆記本電腦。

二、核心特性

1. 源/匯能力

• ?3A電流能力?：TPS51100能夠源出或吸入高達3A的電流，滿足DDR內存系統的需求。
• ?快速瞬態響應?：采用快速響應反饋回路，即使在小陶瓷電容下也能保持對VTTREF的跟蹤在±40mV以內。

2. VTTREF緩沖參考輸出

• ?10mA輸出能力?：VTTREF塊包含一個1/2分壓器、低通濾波器（LPF）和緩沖器，能夠提供高達10mA的源電流。
• ?穩定操作?：通過0.1μF陶瓷電容旁路到GND，確保VTTREF的穩定輸出。

3. 控制與保護功能

• ?S3和S5控制?：支持S3（suspend to RAM）和S5（suspend to disk）狀態控制，將VTT置于高阻態或軟關閉狀態。
• ?軟啟動?：通過電流鉗位實現軟啟動功能，避免啟動時的浪涌電流。
• ?過流保護?：具有恒定的過流限制（OCL），在異常情況下保護LDO。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：監測VIN電壓，當電壓低于閾值時關閉VTT調節器。
• ?熱關機?：監測IC溫度，超過閾值時關閉VTT和VTTREF調節器。

4. 低外部組件需求

• ?僅需20μF陶瓷輸出電容?：簡化設計，減少板上空間占用。
• ?遠程感應?：提供VTTSNS引腳，實現遠程感應功能，以最小化布線電阻的影響。

三、應用

• ?DDR/DDR2/DDR3內存系統?：為DDR、DDR2、DDR3內存提供VTT總線終止電壓。
• ?SSTL-2、SSTL-18和HSTL終止?：支持多種信號標準的終止。

四、封裝與尺寸

• ?封裝?：采用10引腳MSOP PowerPAD?封裝，尺寸為3.00mm x 3.00mm。
• ?熱效率?：PowerPAD封裝提供良好的熱傳導性能，有助于散熱。

五、設計指南

• ?電容選擇?：推薦在VTT輸出端使用兩個并聯的10μF陶瓷電容，以最小化ESR和ESL的影響。
• ?布局建議?：提供詳細的布局指南，包括電容放置、感應引腳連接等，以確保最佳性能。
• ?熱設計?：討論了熱考慮因素，包括功率耗散計算和熱阻對布局的影響。

六、文檔支持

• 提供數據手冊、應用指南、技術文檔和軟件工具，幫助用戶進行設計、驗證和測試。

七、注意事項

• 在設計和使用過程中，需嚴格遵守絕對最大額定值和推薦工作條件。
• 注意處理靜電敏感器件，防止靜電損壞。
• 在實際應用中，需根據具體需求進行電容選擇和布局設計，以確保系統的穩定性和可靠性。