珠聯(lián)璧合，SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊
——BASiC基本股份賦能電力電子新未來(lái)

珠聯(lián)璧合，雙龍出擊

——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動(dòng)板重塑電力電子行業(yè)價(jià)值

傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊茜 微信&手機(jī)：13266663313

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

引言：能源革命的“效率之戰(zhàn)”

全球“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，電力電子行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)從“粗放式能耗”到“精細(xì)化能效”的深刻變革。傳統(tǒng)硅基器件受限于材料特性，在高溫、高頻場(chǎng)景中效率瓶頸凸顯。碳化硅（SiC）技術(shù)憑借寬禁帶特性，成為破局關(guān)鍵——但僅憑單一器件升級(jí)難以釋放其全部潛力。BASIC Semiconductor基本股份創(chuàng)新推出“SiC功率模塊+SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)板”協(xié)同方案，以“雙龍出擊”之勢(shì)，直擊系統(tǒng)級(jí)能效痛點(diǎn)，開(kāi)啟電力電子高效時(shí)代。

碳化硅技術(shù)的革新浪潮

在“雙碳”戰(zhàn)略與能源轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)下，電力電子行業(yè)正迎來(lái)高效率、高功率密度的技術(shù)革命。碳化硅（SiC）器件憑借其高頻、高溫、低損耗的先天優(yōu)勢(shì)，成為新能源、工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的核心推動(dòng)力。然而，SiC器件的性能潛力需要與匹配的驅(qū)動(dòng)技術(shù)協(xié)同釋放。BASiC半導(dǎo)體SiC功率模塊與SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，推出“SiC功率模塊+SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)板”雙龍組合，為行業(yè)提供全棧解決方案，開(kāi)啟高效能電力電子系統(tǒng)的新篇章。

雙劍合璧：BASiC基本股份 SiC模塊與SiC驅(qū)動(dòng)板的協(xié)同優(yōu)勢(shì)

1. BASiC基本股份 SiC功率模塊：性能卓越，定義行業(yè)標(biāo)桿

B2M/B3M系列產(chǎn)品：基于6英寸晶圓平臺(tái)，覆蓋650V至1700V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻低至11m，開(kāi)關(guān)損耗降低30%-70%，支持175℃高溫穩(wěn)定運(yùn)行，并通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證，滿(mǎn)足光伏逆變器、充電樁、新能源汽車(chē)等嚴(yán)苛場(chǎng)景需求。

工業(yè)模塊創(chuàng)新：Pcore?系列模塊采用Si3N4 AMB陶瓷基板與高溫焊料工藝，集成低損耗SiC SBD，功率密度提升30%，支持Press-Fit壓接與焊接工藝，適配高頻DCDC、儲(chǔ)能變流器（PCS）、高端工業(yè)電焊機(jī)等高功率應(yīng)用。

2. 基本股份2CD0210T12x0驅(qū)動(dòng)板：精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)，保駕護(hù)航

專(zhuān)為SiC定制：支持1200V SiC MOSFET，集成米勒鉗位功能，有效抑制開(kāi)關(guān)瞬態(tài)串?dāng)_；雙通道設(shè)計(jì)，峰值電流10A，可驅(qū)動(dòng)中大功率模塊。

高可靠保護(hù)：原副邊欠壓保護(hù)、寬壓輸入（16-30V）適配復(fù)雜電源環(huán)境，絕緣耐壓與靜電防護(hù)滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，確保系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

緊湊高效：雙通道緊湊型設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化PCB布局，降低系統(tǒng)復(fù)雜度，助力客戶(hù)快速實(shí)現(xiàn)高可靠性方案落地。

珠聯(lián)璧合，1+1＞2的技術(shù)突破

場(chǎng)景化性能提升

電力電子行業(yè)：BASiC工業(yè)SiC模塊搭配基本股份SiC驅(qū)動(dòng)板，為電力電子提供低損耗、高功率密度解決方案，全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

數(shù)據(jù)印證優(yōu)勢(shì)

BASiC SiC功率模塊在18V驅(qū)動(dòng)下，開(kāi)關(guān)損耗（Etotal）較國(guó)際競(jìng)品降低30%，搭配基本股份SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板后，系統(tǒng)整體效率提升2%-5%。

BASiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板的寬壓輸入（2CD0210T12C0）支持光伏系統(tǒng)波動(dòng)電壓，適配BASiC模塊的高溫穩(wěn)定性（175℃），確保戶(hù)外環(huán)境長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。

市場(chǎng)前景：雙龍出擊，領(lǐng)跑SiC生態(tài)

隨著全球SiC市場(chǎng)規(guī)模年均增長(zhǎng)超30%，BASiC基本功率模塊和驅(qū)動(dòng)的技術(shù)融合將加速?lài)?guó)產(chǎn)替代進(jìn)程：

技術(shù)自主：從芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝到驅(qū)動(dòng)方案，全鏈路國(guó)產(chǎn)化突破，降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

成本優(yōu)化：B3M系列芯片面積較B2M減少30%，驅(qū)動(dòng)板集成設(shè)計(jì)降低外圍元件成本，助力客戶(hù)降本增效。

生態(tài)共建：BASiC基本股份提供電力電子仿真、熱設(shè)計(jì)支持與定制化服務(wù)，縮短客戶(hù)研發(fā)周期，搶占市場(chǎng)先機(jī)。

結(jié)語(yǔ)：賦能未來(lái)，共贏綠色能源時(shí)代

BASiC基本股份的“SiC模塊+驅(qū)動(dòng)”組合，不僅是技術(shù)的珠聯(lián)璧合，更是對(duì)電力電子行業(yè)需求的深度響應(yīng)。在新能源革命與智能制造的雙重浪潮下，這一雙龍組合將以更高效率、更強(qiáng)可靠性、更優(yōu)性?xún)r(jià)比，助力客戶(hù)攻克技術(shù)壁壘，共同書(shū)寫(xiě)綠色能源的未來(lái)篇章！

即刻行動(dòng)，開(kāi)啟高效能電力電子新時(shí)代！
聯(lián)系傾佳電子楊茜，獲取專(zhuān)屬解決方案→

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊茜 微信&手機(jī)：13266663313

創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)能效，協(xié)同定義未來(lái)！

審核編輯 黃宇