LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （GATE） 驅動第一個 MOSFET，以取代肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。具有快速導通和關斷比較器的強大升壓穩壓器可確保在汽車測試（例如 ISO16750 或 LV124）期間實現穩健高效的 MOSFET 開關性能，其中 ECU 會受到輸入短時中斷和高達 200kHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。低靜態電流 35 μA（最大值），支持始終開啟的系統設計。在電源路徑中具有第二個 MOSFET，該器件允許使用 EN 引腳進行負載斷開控制。當 EN 為低時，靜態電流降至 3.3 μA（最大值）。該器件具有使用 OV 引腳的可調過壓截止或過壓箝位保護。
*附件：lm74722-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護
• 低靜態電流 35 μA（最大值）
• 3.3μA（最大值）的低關斷電流（EN = 低）
• 具有 13mV A 至 C 正向壓降調節的理想二極管作
• 驅動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 集成 30mA 升壓穩壓器
• 高達 200 kHz 的有源整流
• 對反向電流阻斷的快速響應：0.5 μs
• 快進 GATE 導通延遲：0.72 μs
• 可調過壓保護
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態要求
• 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數

方框圖

概述

LM74722-Q1 是一款專為汽車應用設計的低功耗理想二極管控制器，具有200kHz的主動整流功能和負載轉儲保護。它驅動并控制外部背對背N溝道MOSFETs，以模擬理想二極管整流器，并提供電源路徑的通斷控制和過壓保護。

主要特性

• ?寬輸入范圍?：支持3V至65V的輸入電壓，適用于12V和24V汽車電池供電的ECU。
• ?低功耗?：工作模式下最大靜態電流為35μA，關斷模式下最大靜態電流為3.3μA。
• ?理想二極管操作?：正向電壓降調節至13mV，零反向電流。
• ?主動整流?：高達200kHz的主動整流功能。
• ?快速響應?：反向電流阻斷響應時間為0.5μs，正向GATE開通延遲為0.72μs。
• ?過壓保護?：具有可調過壓保護和負載轉儲保護功能。
• ?AEC-Q100認證?：符合汽車應用標準，適用于-40°C至+125°C的工作溫度范圍。

應用

• ?汽車電池保護?
• ?ADAS域控制器?
• ?高端音頻放大器?
• ?車載娛樂系統?

功能描述

• ?雙門控輸出?：GATE和PD兩個獨立的門控輸出，分別用于控制背對背N溝道MOSFETs。
• ?反向電池保護?：集成反向輸入保護，可承受低至-65V的負供電電壓。
• ?負載斷開控制?：PD引腳提供50μA驅動和88mA峰值下拉強度，用于控制負載斷開開關。
• ?過壓保護?：通過OV引腳實現可調過壓閾值，提供過壓切斷或過壓鉗位保護。
• ?電池電壓監測?：集成電池電壓監測功能，可通過VSNS和SW引腳連接電阻分壓器進行電池電壓監測。

封裝與尺寸

• ?封裝類型?：12引腳WSON
• ?封裝尺寸?：3.00mm × 3.00mm

引腳功能與配置

• ?GATE?：二極管控制器門極驅動輸出，連接至外部MOSFET的GATE。
• ?A?：理想二極管的陽極，連接至外部MOSFET的源極。
• ?VSNS?：電壓監測輸入。
• ?SW?：電壓監測斷開開關終端，與VSNS內部連接。
• ?OV?：可調過壓閾值輸入。
• ?EN?：使能輸入，連接至A或C引腳以實現常開操作。
• ?GND?：系統接地。
• ?PD?：下拉連接，用于外部HSFET的控制。
• ?LX?：內部升壓調節器的開關節點。
• ?CAP?：升壓調節器輸出，用于驅動理想二極管階段的門極驅動器和HSFET的驅動電源。
• ?C?：理想二極管的陰極和供電電壓引腳，連接至外部MOSFET的漏極。
• ?RTN?：暴露的熱墊，保持浮動，不連接至GND平面。

電氣特性

• ?工作電壓范圍?：3V至65V。
• ?靜態電流?：工作模式下最大35μA，關斷模式下最大3.3μA。
• ?GATE驅動電壓?：9.5V至13V。
• ?升壓調節器輸出?：13V至15.5V。
• ?過壓閾值?：可調，典型值為1.23V。

應用與實施

• ?典型應用電路?：提供了12V反向電池保護和過壓保護的典型應用電路。
• ?設計考慮?：包括MOSFET選型、電容和電感選擇、過壓保護和電池監測電阻計算等。
• ?布局指南?：提供了PCB布局建議，以確保最佳性能和穩定性。

文檔支持

• ?相關技術文檔?：包括數據手冊、應用筆記等。
• ?支持資源?：提供TI E2E支持論壇鏈接，方便用戶獲取幫助。