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LM74501-Q1 具有集成 VDS 箝位的汽車類 3.2V 至 65V 反極性保護控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-08 13:51 ? 次閱讀
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LM74501-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為低損耗反極性保護解決方案。該器件支持 3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍。3.2V 輸入電壓支持特別適合汽車系統中嚴格的冷啟動要求。該器件可以承受并保護負載免受低至 –18 V 的負電源電壓的影響。LM74501-Q1 沒有反向電流阻斷功能,適用于負載的輸入反極性保護,這些負載可能會將能量輸送回輸入電源,例如汽車車身控制模塊電機負載。
*附件:lm74501-q1.pdf

LM74501-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動。LM74501-Q1 具有獨特的集成功能,使系統能夠滿足汽車 ISO7637 脈沖 1 瞬態要求,而無需額外的 TVS 二極管(TVS 更少)。LM74501-Q1 具有一個集成開關,可通過外部電阻分壓器實現電池電壓監控。當使能引腳為低電平時,控制器處于關閉狀態,僅消耗約 1 μA 的電流,因此在進入休眠模式時可提供較低的系統電流。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動)
  • –18V 反向電壓額定值
  • 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 柵極放電定時器:滿足汽車 ISO7637-2 脈沖 1 瞬態要求,無需額外的 TVS 二極管(TVS 較?。?/li>
  • 1μA 關斷電流(EN = 低)
  • 80μA 典型工作靜態電流(EN = 高)
  • 20V VDS 箝位(EN = 低)
  • 集成電池電壓監控開關 (SW)
  • 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90 mm × 1.60 mm

參數
image.png

方框圖
image.png

1. 概述

LM74501-Q1是一款針對汽車應用的反向電池保護控制器,通過外部N溝道MOSFET實現低損耗的反向極性保護。該設備符合AEC-Q100標準,適用于汽車車身電子、信息娛樂系統、ADAS域控制器等應用。

2. 主要特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:3.2V至65V(啟動電壓3.9V)
  • ?高反向電壓額定值?:-18V
  • ?集成電荷泵?:為外部N溝道MOSFET提供柵極驅動電壓
  • ?門極放電定時器?:滿足汽車ISO7637-2脈沖1瞬態要求,無需額外TVS二極管
  • ?低靜態電流?:1μA(關斷模式),80μA(典型工作模式)
  • ?小型封裝?:8引腳SOT-23,2.90mm × 1.60mm

3. 應用

  • ?汽車車身電子?:如車身控制模塊(BCM)、雨刮器模塊
  • ?汽車信息娛樂系統?:如數字駕駛艙處理單元
  • ?ADAS域控制器?

4. 功能描述

  • ? 輸入電壓(SOURCE) ?:用于為LM74501-Q1供電,支持寬范圍輸入電壓。
  • ? 電荷泵(VCAP) ?:為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅動電壓,通過外部電容充電。
  • ? 使能(EN) ?:允許通過外部信號啟用或禁用LM74501-Q1,EN引腳可承受高達±65V的電壓。
  • ? 門極驅動(GATE) ?:控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓,實現低損耗的反向極性保護。
  • ? 電池電壓監測(SW) ?:通過SW引腳和外部電阻分壓器實現電池電壓監測。
  • ?門極放電定時器?:在ISO7637-2脈沖1事件期間,通過外部電容保持MOSFET導通一段時間,實現TVS-less操作。

5. 設備功能模式

  • ?關斷模式?:當EN引腳電壓低于指定閾值時,LM74501-Q1進入關斷模式,電荷泵和門極驅動器均被禁用。
  • ?全導通模式?:當滿足特定條件時,LM74501-Q1進入全導通模式,外部MOSFET完全導通。
  • ?VDS鉗位模式?:當DRAIN和SOURCE之間的電壓差超過VDS鉗位閾值時,LM74501-Q1自動將外部MOSFET導通,以防止電壓過高。

6. 典型應用電路

  • 提供了針對12V電池保護的典型應用電路,展示了如何使用LM74501-Q1與外部N溝道MOSFET實現反向極性保護。
  • 詳細說明了電路中的元件選擇和參數計算,包括MOSFET的選擇、門極放電定時器電容(CT)的選擇等。

7. 布局指南

  • 建議將SOURCE、GATE和DRAIN引腳與MOSFET的相應引腳緊密連接。
  • 使用厚銅跡線以減少源極和漏極的電阻損耗。
  • 將輸入電容放置在SOURCE引腳附近,以減小長地環路的影響。
  • 將電荷泵電容(VCAP)遠離MOSFET放置,以降低熱效應對電容值的影響。

8. 文檔支持

  • 提供了數據手冊、應用指南和相關應用筆記的支持鏈接。
  • 用戶可以訂閱文檔更新通知,以獲取最新產品信息。

通過以上總結,用戶可以全面了解LM74501-Q1的主要特性、應用、功能描述、設備功能模式、典型應用電路、布局指南以及文檔支持。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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