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LM74701-Q1 具有集成 VDS 箝位的汽車類 3.2V 至 65V 電池反向保護理想二極管控制器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-08 14:44 ? 次閱讀
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LM74701-Q1 是一款符合 AEC Q100 標準的汽車級理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管,用于實現低損耗反極性保護,正向壓降為 20 mV。LM74701-Q1 適用于 12V 汽車系統的輸入保護。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統中的嚴苛冷啟動要求。
*附件:lm74701-q1.pdf

該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調節 20 mV 的正向壓降。該調節方案可在反向電流事件期間正常關閉 MOSFET,并確保零直流反向電流。對反向電流阻斷的快速響應 (< 0.75 μs) 使該器件適用于在ISO7637脈沖測試期間具有輸出電壓保持要求的系統以及電源故障和輸入微短路情況。LM74701-Q1 具有獨特的集成 VDS 箝位功能,使用戶能夠實現無 TVS 輸入極性保護解決方案,并在受限汽車系統中平均節省 60% 的 PCB 空間。

LM74701-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動。當使能引腳為低電平時,控制器關閉并消耗大約 1 μA 的電流。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動)
  • –33V 反向電壓額定值
  • 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20 mV 陽極到陰極正向壓降調節
  • 1μA 關斷電流(EN = 低)
  • 80μA 工作靜態電流(EN = 高)
  • 2A 峰值柵極關斷電流
  • 對反向電流阻斷的快速響應:< 0.75 μs
  • 集成電池電壓監控開關 (SW)
  • 滿足汽車ISO7637瞬態要求,無需額外的輸入 TVS 二極管(TVS 更少)
  • 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90 mm × 1.60 mm

參數

image.png

概述

LM74701-Q1 是一款汽車級反向電池保護理想二極管控制器,通過結合外部 N 溝道 MOSFET,實現低損耗的反向極性保護。該設備符合 AEC-Q100 標準,適用于 12V 汽車系統,特別是在冷啟動條件下表現優異。

主要特性

  • ?AEC-Q100 認證?:適用于汽車應用,溫度等級 1,工作溫度為 -40°C 至 +125°C。
  • ?寬輸入電壓范圍?:3.2V 至 65V(啟動電壓為 3.9V),反向電壓額定值為 -33V。
  • ?低損耗?:陽極到陰極的正向電壓降調節至 20mV。
  • ?快速響應?:反向電流阻斷響應時間 < 0.75μs。
  • ?集成電池電壓監測開關?:通過 SW 引腳實現。
  • ?符合 ISO7637 瞬態要求?:無需額外輸入 TVS 二極管。
  • ?小型封裝?:8 引腳 SOT-23 封裝,尺寸為 2.90mm × 1.60mm。

應用

  • ?汽車 ADAS 系統?:如攝像頭模塊。
  • ?汽車信息娛樂系統?:包括車頭單元和遙測控制單元。
  • ?汽車 USB 集線器?。
  • ?冗余電源供應的主動 ORing?。

功能描述

  • ?電荷泵?:為外部 N 溝道 MOSFET 提供門驅動電壓,最大可達約 12V。
  • ?門驅動?:根據陽極到陰極的電壓調整門極到陽極的電壓,實現正向電壓降的調節和反向電流的阻斷。
  • ?使能引腳?:控制設備的開啟和關閉,低電平關閉,低電流關斷狀態下僅消耗 1μA 電流。
  • ?電池電壓監測?:通過 SW 引腳和內部開關實現,當設備關閉時斷開電阻梯,減少泄漏電流。
  • ?VDS 鉗位?:在 ISO7637 脈沖 1 測試期間,將外部 MOSFET 用作有源鉗位元件,消散瞬態能量。

設備功能模式

  • ?關斷模式?:使能引腳電壓低于輸入低閾值時,門驅動和電荷泵均被禁用,設備進入低 IQ 操作。
  • ?傳導模式?:根據陽極到陰極的電壓,設備在正向調節模式、全導通模式和 VDS 鉗位模式之間切換。
  • ?反向電流保護模式?:當檢測到反向電流時,快速關斷外部 MOSFET,使用體二極管阻斷反向電流。

典型應用

  • ?12V 電池保護?:結合外部 N 溝道 MOSFET,實現反向極性保護,同時利用 VDS 鉗位功能實現 TVS 無需的反向極性保護解決方案。

布局指南

  • 輸入電容應靠近陽極引腳放置,以減小寄生電感。
  • 連接 LM74701-Q1 的門驅動、陽極和陰極引腳到 MOSFET 的門極、源極和漏極引腳,使用短走線。
  • 使用厚走線以最小化 MOSFET 的電阻性損耗。
  • 將電荷泵電容放置在遠離 MOSFET 的位置,以降低對電容值的熱影響。

文檔支持

  • 提供了接收文檔更新通知、支持資源、靜電放電警告等信息。
  • 提供了詳細的機械、包裝和可訂購信息。

通過上述總結,用戶可以全面了解 LM74701-Q1 的主要特性、應用、功能描述、設備功能模式、典型應用以及布局指南。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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