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LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器（DGATE）驅動第一個 MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護和輸出電壓保持。該器件在電源路徑中具有第二個 MOSFET，允許使用 HGATE 控制進行負載斷開（ON/OFF 控制）和過壓保護。該器件具有可調節的過壓截止保護功能。LM7480-Q1 有兩個變體，LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 采用使用線性穩壓和比較器方案的反向電流阻斷，而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，中點可用于使用另一個理想二極管的 OR-ing 設計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源拓撲中配置器件的外部 MOSFET，可以保護負載免受擴展過壓瞬變的影響，例如 24V 電池系統中的 200V 非抑制負載突降。
*附件：lm7480-q1.pdf

特性

符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
- 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類 2 級
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
3V 至 65V 輸入范圍
低至 –65 V 的反向輸入保護
在共漏極和共源極配置中驅動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調節（LM74800-Q1）的理想二極管作
低反向檢測閾值（–4.5 mV），具有快速響應（0.5 μs）
20mA 峰值柵極（DGATE）導通電流
2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
可調過壓保護
2.87μA 的低關斷電流（EN/UVLO=Low）
通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態要求
采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

?產品名稱?：LM7480-Q1 理想二極管控制器
?應用領域?：
- 汽車電池保護，如ADAS域控制器、攝像頭ECU、頭單元、USB HUB等
- 冗余電源的有源ORing
?特點?：
- AEC-Q100認證，適用于汽車應用
- 輸入電壓范圍寬（3V至65V）
- 反向輸入保護（低至-65V）
- 驅動外部背對背N溝道MOSFET，模擬理想二極管
- 可調過壓保護
- 低關機電流（2.87μA）
- 符合汽車ISO7637瞬態要求

2. 功能特點

?理想二極管操作?：
- 前向電壓降調節至10.5mV（LM74800-Q1）
- 低反向檢測閾值（-4.5mV），快速響應（0.5μs）
?過壓保護?：
- 可調過壓切斷保護
- 通過外部電阻設置過壓閾值
?電源路徑控制?：
- 通過HGATE控制實現負載斷開和過壓保護
- 支持常見漏極和常見源極配置
?熱關斷和能量限制?：
- 保護開關免受過度應力
- 自動禁用開關以防止損壞

3. 技術規格

?工作溫度范圍?：-40°C至+125°C
?靜電放電（ESD）等級?：
- HBM：±2000V
- CDM：±750V（角引腳），±500V（其他引腳）
?電氣特性?：
- 總系統靜態電流：397μA（典型值）
- 反向極性期間泄漏電流：1μA
- 使能閾值電壓：0.3V至0.93V
- 過壓閾值輸入電壓：1.195V至1.267V（上升），1.091V至1.159V（下降）

4. 應用與實現

?典型應用?：
- 12V反向電池保護
- 200V無抑制負載轉儲保護
?設計考慮?：
- MOSFET選型：基于最大連續漏極電流、漏源電壓、柵源電壓等參數
- TVS二極管選型：用于輸入瞬態鉗位和保護
- 電容選型：包括輸入電容、輸出電容、電荷泵電容等
?布局指導?：
- 推薦將關鍵引腳（如A、DGATE、C、HGATE、OUT等）靠近相應的MOSFET引腳放置
- 使用短而粗的走線以減少電阻損耗