來源：芯片封裝綜述

翹曲（Warpage）是結構固有的缺陷之一。晶圓級扇出封裝（FOWLP）工藝過程中，由于硅芯片需通過環氧樹脂（EMC）進行模塑重構成為新的晶圓，使其新的晶圓變成非均質材料，不同材料間的熱膨脹和收縮程度不平衡則非常容易使重構晶圓發生翹曲。

根據ASTM F1390，翹曲的定義為：

warpage = RPDmax-RPDmin

本期借助JCET（長電科技）公司Hu Zhen、Zhao Wei、Gu Xiao等人發表在Journal of Microelectronics and Electronic Packaging期刊的標題為Numerical Simulation on the Warpage of Reconstructed Wafer During Encapsulation Process的文章內容，分享他們的一種低翹曲扇出重構方案。

這種晶圓重構方法是先將晶圓分割成單個芯片，將單個芯片面朝下放置在臨時鍵合載體上，然后將單個芯片通過臨時鍵合膜粘貼在金屬臨時載體上，通過模壓、整平和硅載板鍵合工藝完成最終構建的晶圓，工藝流程如上圖所示。

這種方案就是在晶圓重構過程中，采用Face down工藝進行EMC重構，但是在常規重構工藝后又增加了一次平坦化與永久鍵合工藝，重構細節流程如下

這種方案最關鍵的問題還是需要確定適用多大尺寸的芯片、芯片重構間距怎么控制、EMC模塑厚度的影響以及用于支撐的硅載板厚度影響等。

他們采用有限元方法研究了芯片厚度、扇出面積、封裝材料性能和硅載板固化后對翹曲的影響。結果表明，晶圓翹曲隨著塑封材料厚度的增加而逐漸增加，而低模量、小熱膨脹系數的塑封材料會提高翹曲度。高模量、較厚的硅載板在減少翹曲方面具有顯著作用，而較大的CTE硅載板也可以有效地減少晶圓翹曲，因為較大CTE的硅載板降低了與封裝CTE的不匹配程度，更薄的芯片和更高的扇出面積往往會降低重構晶圓的翹曲。

有篇專利也講述類似這種的翹曲降低方案（記不得哪家的專利和專利號了，僅供參考），專利中的翹曲降低方案是在Face down貼片后，在芯片背面通過粘接材料粘貼一層超薄金屬網（粘接材料專利沒寫，應該是附帶導熱性能，采用金屬網一方面是增加韌性降低翹曲，應該也有導熱作用），然后EMC塑封。方案思路也是通過背面增加負載降低變形程度。

（注：如果有人懷疑粘貼金屬網后可能影響塑封工藝，那也可以做兩次塑封，第一次封到芯片等高（可通過研磨實現），然后粘貼金屬網，然后再進行第二次塑封，專利內容記不太清，參考一下創新思路就行）