來源：功率半導體社

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串聯感性負載時，在單次脈沖(工作到關斷)狀態下，所能承受的最大能量消耗，單位是焦耳(J)，其值越大，器件在電路中遭遇瞬間過電壓或過電流情況時越不容易損壞。

一、測試方法

1）在MOSFET上串聯電感L，設定母線電壓VDD。

2）在柵極與源極之間加脈沖電壓VGS（一般為10V）,當VGS=10V時，器件完全開啟，VDD給電感L充電。當流過電感電流達到IAS（單脈沖雪崩電流，受脈沖占空比控制）時， VGS=0V器件關斷。

3）由于電感L存在，電流IAS不會突變，電感中儲存的能量就會對MOSFET進行釋放。

如下圖：

測試EAS極限值時，一般固定電感L，逐漸增加IAS電流（提高脈沖占空比），直至MOS管失效，根據失效前IAS電流值，計算EAS:

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不同廠家產品規格書EAS測試條件不同，因此不能通過規格書直接比較。

二、失效模式

EAS失效模式主要有兩種：寄生二極管雪崩燒毀、寄生三極管（BJT）開啟，兩種失效模式都是破壞性的。

1、 寄生二極管雪崩燒毀

在MOSFET的結構中，存在一個寄生二極管，如下圖：

當MOSFET器件外接感性負載時，器件關斷后漏極（D）電流不會突變，這時處于關斷狀態下的MOSFET器件內寄生二極管反偏電壓被瞬間抬升，進入雪崩擊穿狀態。流過二極管的大電流及兩端高電壓會在器件內部產生熱量，散熱不及時就會導致MOSFET過熱燒毀失效（電流路徑如上圖黃線）。

2、 寄生三極管（BJT）開啟

在MOSFET的結構中，還存在一個寄生三極管（BJT），如下圖：

正常情況下，流過RB的電流很小，RB兩端電壓差幾乎為0（寄生三極管的VBE小于正向開啟電壓），三極管是處在關閉狀態。

但是當寄生二極管發生雪崩擊穿時，流過RB的電流變大（圖中黃線），使RB兩端電壓差大于三極管VBE的開啟電壓時，寄生三極管開啟，大電流便會從 N-區經過 P-區流向 N+（電流路徑如上圖紅線）， MOSFET無法正常關斷，導致短路而損壞MOSFET。

MOSFET的設計中通常會減小P-中的橫向電阻RB，來抑制寄生三極管的開啟。

目前MOSFET的EAS失效，大多數為寄生二極管雪崩擊穿過熱失效。

為什么MOSFET器件EAS燒毀的點大多都在柵PAD附近？

MOSFET靠柵極控制開通與關斷，距離柵PAD越近的單胞寄生電阻和電容越小，關斷速度越快，越先發生雪崩擊穿。