UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23113 可以驅動低側和高側功率 FET。
*附件：ucc23113.pdf

與基于標準光耦合器的柵極驅動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。嚴格的過程控制會導致較小的零件間偏差。輸入級是仿真二極管 （e-diode），與光耦合器柵極驅動器中的傳統 LED 相比，這意味著具有長期可靠性和出色的老化特性。它采用爬電距離和間隙為 >8.5 mm 的拉伸 SO6 封裝，以及相對漏電起痕指數 （CTI） 為 600 V 的 I 組模塑料>。

UCC23113 的高性能和可靠性使其成為所有類型的電機驅動器、太陽能逆變器、工業電源和電器的理想選擇。更高的工作溫度為傳統光耦合器以前無法支持的應用提供了機會。

特性

• 具有光兼容輸入的 1.5kV 直流單通道隔離柵極驅動器
• 引腳對引腳、直接升級，適用于光電隔離柵極驅動器
• 5A 拉電流/5A 灌電流，峰值輸出電流
• 最大 30V 輸出驅動器電源電壓
• 12V VDD 欠壓鎖定
• 軌到軌輸出
• 105ns（最大值）傳播延遲
• 25ns（最大值）器件間延遲匹配
• 35ns（最大值）脈寬失真
• 100kV/μs（最小值）共模瞬態抗擾度 （CMTI）
• 輸入級上的 5V 反極性電壓處理能力，支持互鎖
• 具有 >8.5mm 爬電距離和間隙的加長 SO-6 封裝
• 工作結溫 TJ：–40°C 至 +150°C

參數

方框圖

一、產品概述

UCC3是一款單通道隔離柵極驅動器，專為IGBT、MOSFET和SiC MOSFET設計，具有A的源極和漏極峰值輸出電流，以及1.5kV DC的功能隔離。該驅動器采用光耦兼容輸入，是光耦隔離柵極驅動器的引腳對引腳升級替代品，提供了更高的性能和可靠性。

二、主要特性

• ?高隔離電壓?：.kV DC功能隔離。
• ?高峰值輸出電流?：5A源極和A漏極峰值輸出電流。
• ?寬供電電壓范圍?：最大0V輸出驅動器供電電壓。
• ?低傳播延遲?：最大5ns傳播延遲。
• ? 高共模瞬態免疫力（CMTI） ?：最小0kV/μs。
• ?光耦兼容輸入?：采用模擬二極管（e-diode）輸入，替代傳統LED，提高可靠性和穩定性。
• ?高工作溫度范圍?：操作結溫范圍-°C至+0°C。

三、應用領域

• 工業電機控制驅動器
• 太陽能逆變器
• 工業電源、UPS
• 感應加熱

四、功能描述

1. 輸入階段

• ?模擬二極管（e-diode）輸入?：無需供電，通過前向電流控制開關狀態。
• ?高反向電壓處理能力?：輸入階段支持高達5V的反向電壓，適用于互鎖架構。

2. 輸出階段

• ?高輸出電流能力?：支持A的源極和漏極峰值輸出電流。
• ?軌到軌輸出?：輸出電壓范圍從V_EE到V_DD。
• ?保護功能?：包括欠壓鎖定（UVLO）、有源下拉和短路鉗位。

3. 隔離技術

• ?高共模瞬態免疫力?：通過差分配置的高壓SiO電容器實現，提供最佳的CMTI性能。
• ?信號調制?：采用開關鍵控（OOK）調制方案，通過隔離屏障傳輸數字信號。

五、典型應用

文檔提供了UCC3在驅動IGBT的典型應用電路圖，并詳細討論了設計要求和布局指南，包括輸入電阻的選擇、輸出電阻的設計、功率損耗的估計以及布局注意事項。

六、電源推薦

• 輸出供電電壓V_DD推薦范圍為3V至0V，需考慮UVLO閾值和系統需求。
• 建議在V_DD和V_EE之間使用低ESR陶瓷旁路電容器，以支持高峰值電流并減少噪聲。

七、布局指南

• 柵極驅動器應盡可能靠近功率開關放置，以減小柵極驅動回路的寄生電感。
• 旁路電容器應盡可能靠近IC放置，以提供低阻抗路徑。
• 輸入和輸出信號跡線應分開，以減少噪聲耦合。
• 注意隔離區域的布局，避免污染隔離屏障。