UCC21530-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。

輸入側(cè)通過 5.7kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。兩個(gè)次級側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間的內(nèi)部功能隔離允許高達(dá) 1850V 的工作電壓。
*附件：ucc21530-q1.pdf

該器件可配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)具有可編程死區(qū)時(shí)間 （DT） 的半橋驅(qū)動(dòng)器。EN 引腳拉低可同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出，并允許在保持開路或拉高時(shí)正常運(yùn)行。作為故障安全措施，初級側(cè)邏輯故障會強(qiáng)制兩個(gè)輸出為低電平。

該器件接受高達(dá) 25V 的 VDD 電源電壓。3V 至 18V 的寬輸入 VCCI 范圍使驅(qū)動(dòng)器適合與模擬和數(shù)字控制器連接。所有電源電壓引腳均具有欠壓鎖定 （UVLO） 保護(hù)。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
  • 設(shè)備溫度等級 1
• 功能安全 質(zhì)量管理
  • 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 通用：雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器
• 寬體 SOIC-14 （DWK） 封裝
• 驅(qū)動(dòng)器通道之間的間距為 3.3mm
• 切換參數(shù)：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 20ns 最小脈沖寬度
  • 6ns 最大脈寬失真
• 共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
• TTL 和 CMOS 兼容輸入
• 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍
• 高達(dá) 25V VDD 輸出的驅(qū)動(dòng)電源
  • 8V、12V 和 17V VDD UVLO 選項(xiàng)
• 可編程重疊和死區(qū)時(shí)間
• 結(jié)溫范圍 –40 至 +150°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC0-Q是一款隔離型雙通道門驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET設(shè)計(jì)，適用于高達(dá)5MHz的開關(guān)頻率。該驅(qū)動(dòng)器具備A源電流和6A沉電流能力，并通過.kV RMS的強(qiáng)化隔離屏障實(shí)現(xiàn)輸入側(cè)與輸出側(cè)的隔離。

二、主要特性

• ?隔離與保護(hù)?：.kV RMS隔離屏障，最小5V/ns共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）。
• ?靈活配置?：可作為雙低邊、雙高邊或半橋驅(qū)動(dòng)器使用，支持可編程重疊和死區(qū)時(shí)間。
• ?寬輸入范圍?：VCCI輸入電壓范圍3V至8V，適用于數(shù)字和模擬控制器。
• ?多版本選擇?：提供8V、2V和7V UVLO選項(xiàng)，滿足不同應(yīng)用需求。
• ?高可靠性?：AEC-Q認(rèn)證，適用于汽車和其他安全關(guān)鍵型應(yīng)用。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• HEV和BEV電池充電器
• 太陽能串列和中央逆變器
• AC-to-DC和DC-to-DC充電樁
• AC逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器
• 能量存儲系統(tǒng)

四、功能描述

• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過DT引腳和接地電阻設(shè)置死區(qū)時(shí)間，防止半橋應(yīng)用中的直通現(xiàn)象。
• ?使能引腳?：EN引腳低電平關(guān)斷兩個(gè)輸出，高電平或懸空時(shí)正常工作。
• ?UVLO保護(hù)?：所有供電電壓引腳均具備欠壓鎖定保護(hù)，確保在電壓不足時(shí)關(guān)斷輸出。
• ?寬工作溫度范圍?：支持-0°C至+°C的工作溫度范圍。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC0-Q在半橋配置中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。設(shè)計(jì)步驟涵蓋了輸入濾波器設(shè)計(jì)、死區(qū)時(shí)間電阻和電容選擇、柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電阻選擇、柵極驅(qū)動(dòng)器功率損耗估計(jì)、結(jié)溫估計(jì)以及VCCI和VDD電容選擇等內(nèi)容。

六、電源推薦

• 推薦VCCI輸入電壓范圍為V至V。
• VDDA和VDDB的推薦電壓范圍取決于UVLO版本，最高可達(dá)5V。
• 需要在VDD和VSS之間、VCCI和GND之間分別連接旁路電容，以支持高峰值電流。

七、布局指南

• ?旁路電容放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近相應(yīng)的電源引腳和DT引腳，以最小化ESL和ESR。
• ?接地設(shè)計(jì)?：將高峰值電流限制在最小物理區(qū)域，以減小環(huán)路電感和最小化噪聲。
• ?高壓隔離?：確保隔離性能，避免在驅(qū)動(dòng)器下方放置PCB走線或銅層。
• ?熱設(shè)計(jì)?：增加連接到VDDA、VDDB、VSSA和VSSB引腳的PCB銅層面積，以改善熱性能。