UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距，從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電壓。

UCC2154x 系列可配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。輸入側(cè)通過(guò) 5.7kVRMS 隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21540a.pdf

保護(hù)功能包括：電阻器可編程死區(qū)時(shí)間、同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出的禁用功能，以及輸入引腳上高達(dá) –5V 尖峰的負(fù)電壓處理，持續(xù) 50 ns。所有電源均具有 UVLO 保護(hù)。

特性

• 寬體封裝選項(xiàng)
  • DW SOIC-16：引腳 2 引腳轉(zhuǎn) UCC21520
  • DWK SOIC-14：3.3 mm Ch-2-Ch 間距
• 高達(dá) 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
• 高達(dá) 18V VDD 輸出的驅(qū)動(dòng)電源
  • 5V 和 8V VDD UVLO 選項(xiàng)
• CMTI 大于 125V/ns
• 切換參數(shù)：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 6ns 最大脈寬失真
  • 10μs 最大 VDD 上電延遲
• 電阻器可編程死區(qū)時(shí)間
• TTL 和 CMOS 兼容輸入
• 安全相關(guān)認(rèn)證（計(jì)劃）：
  • 符合 DIN EN IEC 60747-17 （VDE 0884-17） 的 8000VPK 增強(qiáng)型隔離
  • 5700VRMS 隔離，持續(xù) 1 分鐘，符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 認(rèn)證

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC0A是一款隔離雙通道門(mén)驅(qū)動(dòng)器，具有高達(dá)4A的峰值源電流和A的峰值漏電流，適用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、IGBT和GaN晶體管。該驅(qū)動(dòng)器具有寬體封裝選項(xiàng)，提供增強(qiáng)的電氣隔離和多種保護(hù)功能，適用于隔離AC-DC和DC-DC電源、服務(wù)器、電信、IT和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?寬體封裝選項(xiàng)?：提供DW SOIC-6和DWK SOIC-4封裝，DWK封裝具有.mm的通道間間距，便于高總線電壓應(yīng)用。
• ?高峰值電流?：高達(dá)4A的峰值源電流和A的峰值漏電流。
• ?高輸出驅(qū)動(dòng)能力?：支持高達(dá)V的VDD輸出驅(qū)動(dòng)供應(yīng)，提供5V和V VDD UVLO選項(xiàng)。
• ?高CMTI?：大于5V/ns的共模瞬態(tài)免疫能力，增強(qiáng)抗干擾性能。
• ?快速開(kāi)關(guān)性能?：3ns的典型傳播延遲，6ns的最大脈沖寬度失真，適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過(guò)電阻編程死區(qū)時(shí)間，防止功率器件直通。
• ?多種保護(hù)功能?：包括UVLO保護(hù)、禁用功能和負(fù)電壓處理能力。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 隔離AC-DC和DC-DC電源
• 服務(wù)器、電信、IT和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能逆變器
• 工業(yè)交通運(yùn)輸

四、功能描述

• ?輸入和輸出隔離?：通過(guò).kV RMS的隔離屏障實(shí)現(xiàn)輸入和輸出之間的電氣隔離。
• ?輸出級(jí)結(jié)構(gòu)?：采用P-channel MOSFET和N-channel MOSFET并聯(lián)的拉高結(jié)構(gòu)，提供強(qiáng)大的源電流能力；拉低結(jié)構(gòu)采用N-channel MOSFET，實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷。
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過(guò)DT引腳外接電阻實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間的可編程，防止半橋應(yīng)用中的功率器件直通。
• ?禁用功能?：DIS引腳高電平有效，可同時(shí)禁用兩個(gè)輸出，提高系統(tǒng)安全性。
• ?UVLO保護(hù)?：具有輸入和輸出側(cè)的UVLO保護(hù)功能，確保在供電電壓異常時(shí)驅(qū)動(dòng)器不會(huì)誤動(dòng)作。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC0A在半橋配置中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求、詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟、功率損耗計(jì)算和布局指南。

六、電源推薦

• ?VCCI供電電壓?：推薦范圍為3V至.V，需使用低ESR/ESL的旁路電容。
• ?VDDA/VDDB供電電壓?：推薦范圍為V至V，同樣需使用低ESR/ESL的旁路電容。

七、布局指南

• ?組件放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近供電引腳放置，以減小電源噪聲。
• ?接地考慮?：將高峰值電流路徑限制在最小物理區(qū)域內(nèi)，減小環(huán)路電感，降低噪聲。
• ?高壓考慮?：確保隔離性能，避免在隔離屏障下方放置任何PCB走線或銅層。
• ?熱考慮?：優(yōu)化PCB布局以消散熱量，降低結(jié)溫，提高系統(tǒng)可靠性。