適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kVRMS隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET?？梢则寗拥蛡群透邆裙β?FET，與基于光耦合器的柵極驅動器相比，FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。嚴格的過程控制會導致較小的零件間偏差。輸入級是模擬二極管 （e-diode），與傳統 LED 相比，這意味著長期可靠性和出色的老化特性。IGH 性能和可靠性非常適合用于所有類型的電機驅動器。更高的工作溫度為傳統光耦合器不支持的應用提供了機會。
*附件：ucc23513.pdf

特性

• 具有光兼容輸入的單通道隔離式柵極驅動器
• 引腳對引腳、直接升級，適用于光電隔離柵極驅動器
• 峰值輸出電流
• 14V 至 33V 輸出驅動器電源電壓
  • 8V （B） 和 12VCC UVLO 選項
• 軌到軌輸出
• 105ns（最大值）傳播延遲
• 25ns（最大值）器件間延遲匹配
• 35ns（最大值）脈寬失真
• 150kV/μs（最小值）共模瞬態抗擾度 （CMTI）
• 隔離柵壽命 >50 年
• 輸入級具有 13V 反極性電壓處理能力
• 具有 >8.5mm 爬電距離和間隙的加長 SO-6 封裝
• 工作結溫，T J ： –40°C 至 +150°C
• 安全相關認證：
  • 8000 伏PK符合 DIN V VDE V0884-11：2017-01 的增強隔離
  • 5.7kV 電壓RMS隔離 1 分鐘，符合 UL 1577 標準
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認證

參數

一、產品概述

UCC3是一款高性能的單通道隔離門驅動器，專為IGBT、MOSFET和SiC MOSFET設計。該驅動器具有.-kV RMS的隔離評級，適用于工業電機控制、工業電源、UPS和太陽能逆變器等應用。UCC3采用光耦兼容輸入，提供4.5-A源電流和5.3-A漏電流，并支持高達-V的輸出驅動電壓。

二、主要特性

• ?高隔離電壓?：.-kV RMS隔離電壓，符合UL 7和CQC認證標準。
• ?寬輸出電壓范圍?：支持4-V至-V的輸出驅動電壓，適用于雙極電源配置。
• ?高性能?：低傳播延遲（最大5 ns）、小脈沖寬度失真（最大5 ns）和高共模瞬態免疫（CMTI）能力（最小0 kV/μs）。
• ?高可靠性?：采用模擬二極管（e-diode）輸入階段，提供長期可靠性和優異的老化特性。
• ?光耦兼容?：提供與標準光耦隔離門驅動器的引腳對引腳兼容性。
• ?操作溫度范圍廣?：結溫范圍為-0°C至+°C。

三、應用領域

• 工業電機控制驅動器
• 工業電源和UPS
• 太陽能逆變器
• 感應加熱

四、功能描述

• ?輸入階段?：采用e-diode輸入，無需外部電源，提供穩定的輸入電流和電壓特性。
• ?輸出階段?：具有混合拉高結構，結合P溝道MOSFET和N溝道MOSFET，提供強大的源電流能力。拉低結構由N溝道MOSFET實現，確?？焖訇P斷。
• ?保護功能?：包括欠壓鎖定（UVLO）、有源下拉和短路鉗位，保護功率半導體免受損壞。
• ?增強型隔離?：采用SiO電容隔離技術，提供增強的電氣隔離和優異的CMTI性能。

五、典型應用

文檔提供了UCC3在驅動IGBT時的典型應用電路，包括設計要求和詳細設計步驟。設計步驟包括選擇輸入電阻、門驅動器輸出電阻、估計門驅動器功率損耗和估算結溫等。

六、電源推薦

• 推薦使用4-V至-V的輸出供電電壓（Vcc），并需要在Vcc和Vee引腳之間連接旁路電容以支持高峰值電流。

七、布局指南

• ?組件放置?：旁路電容應盡可能靠近Vcc和Vee引腳，以減少噪聲和支持高峰值電流。
• ?接地考慮?：限制高峰值電流充電和放電的晶體管柵極到最小物理區域，以減小環路電感和最小化晶體管柵極上的噪聲。
• ?高壓隔離?：確保隔離屏障下方沒有PCB走線或銅層，以防止污染并確保隔離性能。
• ?熱考慮?：增加連接到Vcc和Vee引腳的PCB銅層，以提高熱傳導性。

八、文檔支持

文檔提供了詳細的規格表、電氣特性、開關特性、典型特性曲線、參數測量信息、應用指南、布局示例、PCB材料推薦、機械包裝和可訂購信息。此外，還提供了設備支持資源鏈接、相關文檔、接收文檔更新通知的方法、社區資源、靜電放電注意事項和術語表等。