KLA InstrumentsTM小課堂

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旗下產(chǎn)品包括：探針式/光學輪廓儀、納米壓痕儀、薄膜測厚儀、方阻測量儀等測量儀器。

本期課程：

利用KLA的納米壓痕技術(shù)評估襯底和膜層的脆性

（關(guān)鍵詞： 納米壓痕；脆性；彈性模量；硬度；斷裂韌性；劃痕測試）

半導體制造中使用的許多材料在加工和應用過程中可能發(fā)生開裂，即表現(xiàn)出脆性失效。雖然“脆”的概念很容易理解，但給出某種材料或者材料體系的“脆性”值并不容易，因為“脆性”并非材料性質(zhì)[1]。在此，我們提出了一套簡明的納米壓痕實驗的組合，旨在評估襯底和外延層的脆性，并為半導體制造商提供反饋，以減少在制造過程中可能產(chǎn)生和擴展的潛在缺陷。

為評估脆性，我們提出了下圖所示的“脆性三角形”。通過測量（1）硬度與彈性模量之比（2）斷裂韌性（3）劃痕臨界載荷，我們將能夠了解一個材料系統(tǒng)受圖中所示的這些外力作用時將有何表現(xiàn)。

脆性不是一個可以通過這3個測量結(jié)果的方程來計算的物理量。對于復雜的材料系統(tǒng)，當三角形中的三個參數(shù)“匹配”時，其脆性最適合應用。脆性是三個測量參數(shù)的組合，就像一張美麗的臉是由其各個元素組合而成的。

本文中，我們將主要討論基于納米壓痕試驗的這兩項測量（1）彈性模量和硬度（2）斷裂韌性。

脆性的首個衡量指標是硬度與彈性模量之比，我們需要測量H(硬度)和E(彈性模量)來計算它們的比值。實際上，H和E是納米壓痕測試中最常見也可能最重要的力學性能。通常，這兩個參數(shù)會在同一測試中同時獲得?？刂茐侯^壓入材料，并連續(xù)記錄載荷、深度、接觸剛度等信息。利用測得的數(shù)據(jù)和經(jīng)典的Oliver-Pharr模型，即可計算出H和E。

然而，在測量薄膜時，基底效應的存在讓測試變得困難。這是指測量值易受下層基底的影響，換句話說，測量值是薄膜及其基底的混合結(jié)果。壓入深度越大，基底的影響也就越大。薄膜在半導體器件中無處不在。由于基底效應，很難評估工藝或材料成分的變化對薄膜力學性能的影響。

我們的解決方案是AccuFilm Ultra。KLA納米壓痕器團隊的Jennifer Hay和Crawford Bryan提出了一種明智的方法，可以從測量值中扣除基底的影響，從而得到薄膜本身的模量。模型和方程如下。

利用這個方程，我們可以根據(jù)測量值（表觀模量）計算出目標參數(shù)——薄膜模量。該方程的其他輸入?yún)?shù)通常為已知值，包括薄膜厚度、基底模量、接觸深度等。在我們的軟件中，所有計算都由AccuFilm Ultra方法自動完成。

那么，AccuFilm Ultra技術(shù)的優(yōu)勢是什么呢

讓我們通過例子來了解這一點。

以上圖片展示了硅片上厚度約500nm的low-k膜的測試結(jié)果。橙色的一組曲線是受基底影響的模量結(jié)果。其數(shù)值隨深度變大而增加，這是因為基底的影響逐漸變大。在曲線中，通常人們只能按照行業(yè)標準的指導，取約膜厚10%處的平臺的數(shù)值作為薄膜性能，即約7.5GPa。

圖中平直的彩色曲線是采用AccuFilm方法得到的薄膜模量。壓入深度達到膜厚的40%時，測試結(jié)果仍能避免基底的影響。這使我們能夠在更大的深度（例如薄膜厚度的25%）獲取模量值，即約6GPa。

值得指出的是，在較深位置取值能產(chǎn)生切實的幫助。在非常小的深度下（如10納米）進行壓痕測量，結(jié)果更易受到樣品表面粗糙度、環(huán)境噪聲、針尖缺陷等因素的影響。隨著測量深度的增加，標準偏差從0.36GPa降至0.17GPa，這意味著測量精度提高了50%以上。

因此，使用AccuFilm算法，靈敏度得到了大幅提升。當薄膜配方發(fā)生微小變化而產(chǎn)生需要測量的力學性能差異時，這一算法非常有用。

當薄膜厚度進一步減小至超薄時，如100納米金膜，我們的薄膜方法仍能給出可信的測試結(jié)果。

上圖（左）展示了未經(jīng)處理的的表觀模量結(jié)果。測量值持續(xù)上升，不存在數(shù)值穩(wěn)定的平臺以讀取薄膜的性能。但經(jīng)過AccuFilm分析后，在深度約為膜厚的10%處很容易識別出一個平臺。該平臺的值與金的標稱模量非常吻合，即使在深度小至8nm時也能獲得準確的結(jié)果。

以上是關(guān)于硬度與模量之比的內(nèi)容，其是衡量脆性的第一個指標。接下來是衡量脆性的第二個指標——斷裂韌性。

在器件和材料的使用過程中，裂紋可能會產(chǎn)生并“長大”。斷裂韌性是有關(guān)裂紋擴展的關(guān)鍵參數(shù)，它與裂紋形成后擴展裂紋所需的能量有關(guān)。簡而言之，斷裂韌性較大的材料，其裂紋往往較小。

如上圖所示，斷裂韌性的定義十分直觀。通常使用立方角壓頭或玻氏壓頭對壓入材料以產(chǎn)生裂紋，壓頭幾何形狀決定了公式里的常數(shù)，對于立方角壓頭，該常數(shù)為0.036。然后，測量載荷P下產(chǎn)生的裂紋長度c。此外還需要使用玻氏壓頭測量樣品的彈性模量E和硬度H。通過這四個值，可以計算得出斷裂韌性。

斷裂韌性是材料的固有屬性，因此許多已知材料已有相關(guān)數(shù)據(jù)。然而，文獻中的斷裂韌性數(shù)值通?；趬K體、多晶材料。對于單晶或外延層，傳統(tǒng)的材料增韌機制不再適用，往往會使這些類型的材料變得更脆，需要進行額外的測試。

接下來，我們來看一些例子。

TEOS可以用于芯片制造和先進封裝過程中的晶圓對晶圓鍵合。它起到保護層和緩沖層的作用。TEOS的沉積方式多種多樣。下一代技術(shù)將采用分層沉積，每層厚度約為5微米，堆疊至40微米。每層可交替施加壓應力或拉應力，以使最終涂層應力趨近于零。隨后，通過化學機械拋光（CMP）對涂層進行減薄處理。CMP過程中的主要問題是TEOS內(nèi)部以及TEOS與下方芯片之間的裂紋產(chǎn)生和裂紋擴展。

此外，TEOS還可能用于沉積到芯片之間的溝槽中。側(cè)壁和角落的沉積特性與平面不同，因此產(chǎn)生的材料特性也可能不同。測試對于了解材料的變形特性和斷裂韌性至關(guān)重要。

上圖是采用不同工藝制備的TEOS薄膜的測試結(jié)果。相同壓入載荷下，樣品5的裂紋長度明顯小于樣品2，表明其具有更優(yōu)的斷裂韌性。

不僅是薄膜樣品，當塊體材料的成分或晶體結(jié)構(gòu)與已知材料不同時，測量斷裂韌性也至關(guān)重要。例如，在SiC晶圓的熱機械加工過程中，準確測定其斷裂韌性和彈性模量非常重要，因為彈性模量用以評估應力狀態(tài)，而斷裂韌性用以判斷給定缺陷分布狀態(tài)下的應力極限。文獻中的數(shù)值并不一致因而無法采信，所以需要對特定晶圓測量其特性。納米壓痕技術(shù)能夠給出精確、可重復的斷裂韌性、楊氏模量等的測量結(jié)果，以供模擬軟件使用。

以上介紹了我們測量脆性的一些關(guān)鍵技術(shù)和方法。想要了解更多關(guān)于半導體制造中的材料脆性的研究，及相關(guān)納米壓痕產(chǎn)品的信息，可以登錄中文官網(wǎng)。