時源芯微 EMC抗擾措施
降共模電流：電機引線加共模濾波器；減小電機引線與設備框架間接地環路面積。
降輻射與傳導噪聲：電機端子間加100pF - 100nF陶瓷去耦電容；PWM控制選電容考慮諧振頻率遠離PWM頻率；用時源芯微TSI集成濾波器。
機殼接地：電機機殼接地可微小改進EMC，不能替代元器件EMI抑制。
優化PCB設計：最大化PCB接地面積降接地電感；組件按功能分組，信號走線在規定區域。
合理排PCB層：多層PCB層排列影響EMC，如4層PCB應交替接地層與信號層。
添加去耦電容：IC附近加去耦電容，減少開關噪聲傳播并引至地面。
避免串擾：避免90°走線，防止特性阻抗變化；相鄰/平行走線間距大于等于3倍走線寬度。
優化開關電源設計：選合適MOSFET參數、增柵極電阻和外部電容等，降dv/dt和di/dt，改善EMI。
采用濾波與屏蔽技術：電源輸入電路增EMC濾波器節數并調參；變壓器磁屏蔽。
合理布局與傳輸信號：干擾電路用雙線傳輸，導線長四分之一波長考慮阻抗匹配；減小高頻電流回路面積。
審核編輯 黃宇
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