引言

在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度至關重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液

配方設計

低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護性能。其主要成分包括有機溶劑、堿性活性物質、銅緩蝕劑和表面活性劑。有機溶劑（如二甲基亞砜）可高效溶解光刻膠；堿性活性物質（如四甲基氫氧化銨）加速光刻膠分解；銅緩蝕劑（如苯并三氮唑及其衍生物）能在銅表面形成致密保護膜，抑制銅的腐蝕反應；表面活性劑可降低表面張力，增強剝離液對光刻膠的滲透能力 。

制備方法

在潔凈的反應容器中，先加入定量的有機溶劑，開啟攪拌裝置。緩慢加入堿性活性物質，充分混合均勻。接著，依次添加銅緩蝕劑和表面活性劑，持續攪拌 40 - 60 分鐘，確保各成分充分溶解且分散均勻。制備過程需嚴格控制溫度在 25 - 35℃，防止因溫度過高影響緩蝕劑等成分的性能。

低銅腐蝕光刻膠剝離液的應用

在 ARRAY 制程工藝中，該剝離液可有效去除光刻膠。以 TFT - LCD 面板制造為例，在銅布線光刻膠剝離過程中，低銅腐蝕光刻膠剝離液能快速溶解光刻膠，同時對銅布線的腐蝕速率極低，有效保障銅布線的完整性和導電性，避免因銅腐蝕導致的線路短路、斷路等問題，提高顯示面板的良品率和穩定性。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理，通過比較參考光束與樣品表面反射光束的光程差，將光強分布轉化為樣品表面高度信息，實現對光刻圖形形貌的高精度測量。其測量精度可達納米級，能夠滿足 ARRAY 制程工藝中微小光刻圖形結構的檢測需求。

測量過程

將 ARRAY 制程工藝后的待測光刻樣品放置于白光干涉儀載物臺上，利用儀器自帶顯微鏡初步定位測量區域。精確調節干涉儀的光路參數，獲取清晰的干涉條紋圖像。通過專業軟件對干涉圖像進行處理，運用相位解包裹等算法，精確計算出光刻圖形的深度、寬度、側壁角度等關鍵參數，為 ARRAY 制程工藝的優化提供數據支持。

優勢

白光干涉儀采用非接觸式測量，避免了對光刻圖形的物理損傷，適合 ARRAY 制程工藝中脆弱光刻結構的檢測；測量速度快，可實現對光刻圖形的快速批量檢測，滿足生產線上高效檢測需求；其三維表面形貌可視化功能，能直觀呈現光刻圖形的質量狀況，便于工程師及時發現并解決工藝問題 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇