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美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-05-28 12:46 ? 次閱讀

將于6月5日至7日在PCIM歐洲電力電子展的6號展廳318展臺展示具有高重復(fù)性無箝制感性開關(guān)功能和高短路耐受能力的SiC解決方案。

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產(chǎn)品系列中的其它最新器件。

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其SiC產(chǎn)品系列的開發(fā)工作,已經(jīng)成為向市場提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業(yè) 和汽車市場中的多種應(yīng)用,包括混合動力車(HEV)/電動車(EV)充電、插電/感應(yīng)式車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動車動力系統(tǒng)/牽引控制。它們也可用于醫(yī)療、航天、國防和 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的開關(guān)模式電源、光伏(PV)逆變器電機(jī)控制

美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理Leon Gross表示:“對于電動車充電、DC-DC轉(zhuǎn)換器、動力系統(tǒng)、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備以及航空驅(qū)動等應(yīng)用,若要SiC解決方案快速獲得采用,這些系統(tǒng)中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極管系列將會通過AEC-Q101資質(zhì)認(rèn)證以確保高可靠性水平,而且其高重復(fù)性無箝制感應(yīng)開關(guān)(UIS)能力在額定電流下不會出現(xiàn)退化或失效,可見其穩(wěn)健性。”

市場研究機(jī)構(gòu)Technavio指出,面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約5.405億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)超過18%。該公司還預(yù)測2021年前全球汽車半導(dǎo)體應(yīng)用SiC器件市場的年復(fù)合增長率將達(dá)到20%左右。美高森美在這些發(fā)展趨勢中處于有利地位,其SiC MOSFET和肖特基勢壘二極管器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能,能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)健工作,并具有充足功能來滿足這些不斷增長的應(yīng)用趨勢。

與競爭Si/SiC二極管/MOSFET和IGBT解決方案相比,美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片,以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶極具吸引力的巨大優(yōu)勢,包括可在更高的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)更高效的開關(guān)運(yùn)作,以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健可靠的運(yùn)作。例如,SiC MOSFET器件的開發(fā)重點(diǎn)是平衡特定導(dǎo)通電阻、低柵極電阻和熱阻,以及低柵極閾值電壓電容,從而實(shí)現(xiàn)可靠的工作。這些器件針對高良率工藝和低溫度范圍參數(shù)變化而設(shè)計(jì),在高結(jié)溫(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案) 工作,能夠擴(kuò)展HEV/EV及其它應(yīng)用中的電池系統(tǒng)。

這些新器件樣品正在進(jìn)行AEC-Q101認(rèn)證,并已通過了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時間依賴性介質(zhì)擊穿(TBBD)測試,證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其它主要特性包括:

· 比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力,實(shí)現(xiàn)雪崩穩(wěn)健性;

· 比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能,實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)健的工作;

· 針對中子敏感性,在額定電壓下的失效時間(FIT)較同類Si IGBT器件降低10倍;性能與中子輻照有關(guān)的SiC競爭產(chǎn)品相當(dāng);以及

· 與Si器件相比,SiC器件具有更高的功率密度,充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件,從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的外形尺寸,降低整體系統(tǒng)成本。

6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進(jìn)行演示

美高森美產(chǎn)品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上展示其下一代SiC解決方案,重點(diǎn)展品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產(chǎn)品。

產(chǎn)品供貨

美高森美現(xiàn)在提供下一代1200 V SiC MOSFET器件和裸片以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件樣品。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 為通信、國防和安保、航空航天和工業(yè)市場提供全面的半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案,產(chǎn)品包括高性能、耐輻射模擬混合集成電路,可編程邏輯器件(FPGA) ;可定制系統(tǒng)級芯片(SoC) 與專用集成電路(ASIC);功率管理產(chǎn)品;時鐘同步設(shè)備以及精密定時解決方案為全球的時鐘產(chǎn)品設(shè)定標(biāo)準(zhǔn);語音處理器件;RF解決方案;分立組件;企業(yè)存儲和通信解決方案;安全技術(shù)和可擴(kuò)展反篡改產(chǎn)品;以太網(wǎng)解決方案; 以太網(wǎng)供電 (PoE) IC與電源中跨 (Midspan) 產(chǎn)品;以及定制設(shè)計(jì)能力與服務(wù)。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數(shù)約4,800人。

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