Custom MMIC公司推出多款超低噪聲放大器

美國Custom MMIC公司在賓夕法尼亞州費城舉行的2018年國際微波研討會（IMS）上討論了幾項新的GaN和GaAs單片微博集成電路（MMIC）技術突破。公司表示采用業界首款超低噪聲放大器（ULNA）MMIC打破了MMIC形式的噪聲障礙。

Custom MMIC公司表示，他們推出了業界首款超低噪聲放大器（ULNA）MMIC，打破了MMIC內的噪音障礙。CMD283C3型號MMIC提供0.6 dB的噪聲系數，優于所有其他LNA MMIC，并能與分立元件相媲美。它工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz（S＆C頻段），輸出IP3為+26 dBm。

新型GaAs MMIC數字衰減器系列的也有四款產品。CMD279和CMD280為5位衰減器運行頻率高達30 GHz，衰減范圍高達15.5 dB。另兩個為2位衰減器，即DC-35 GHz CMD281和DC-40 GHz CMD282，分別以2dB和4 dB步長提供較粗略的控制。所有四款器件都提供+ 42 dBm的輸入IP3。

最新的分布式放大器DC-20 GHz CMD249P5提供正增益斜率，標稱12 dB增益。GaAs器件具有+ 30 dBm的輸出Psat和+38 dBm的輸出IP3。

Custom MMIC也在增強其低相位噪聲放大器（LPNA）系列。響應客戶的要求以協助減少不需要的相位噪聲并提高軍用雷達系統中的信號完整性和目標采集能力，這些LPNA工作頻率高達40 GHz，在10 kHz偏移時提供低至-165 dBc / Hz的低相位噪聲性能。它們用作各種相控陣雷達、電子戰、軍事無線電、儀器儀表和航空航天通信設計中的本地振蕩器（LO）驅動器或接收機放大器。

來自Custom MMIC公司的MMIC包括更多的超低噪聲放大器和數字衰減器，以及寬帶分布式功率放大器和GaN混頻器。

日本Integra公司在IMS 2018上展示新型GaN/SiC器件

日本Integra Technologies公司在賓夕法尼亞州費城舉辦的今年國際微波研討會上展示幾種新型GaN / SiC射頻功率器件，瞄準C波段和L波段系統

IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空電子系統的50ΩGaN / SiC射頻功率模塊，可在0.960 - 1.215 GHz的瞬時帶寬內工作。該集成放大器模塊在2.5ms脈沖寬度和20％占空比的條件下提供至少1000 W的峰值脈沖功率，同時提供高熱穩定性。

IGT5259L50是一款50歐姆的GaN / SiC晶體管，在脈沖C波段雷達應用中提供5W至5GHz的50W功率。

IGN1214L500B是一款高功率GaN / SiC HEMT晶體管，在1.2 - 1.4 GHz時提供500 W功率，并提供50 V漏極偏壓，15.5 dB增益和65％效率。該晶體管專為長脈沖L波段雷達應用而設計。