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聯(lián)電嚴(yán)肅對待美方指控 全力應(yīng)對這場訴訟

電子工程師 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-11-13 08:40 ? 次閱讀
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兩周前美國商務(wù)部、司法部接連出手,先是制裁中國福建晉華集團(tuán),接著是起訴晉華及合作伙伴聯(lián)華電子(簡稱聯(lián)電),指控二者涉嫌盜竊美光的DRAM內(nèi)存專利,給美光公司造成了高達(dá)90億美元的損失。此后聯(lián)電及晉華集團(tuán)分別發(fā)表聲明,否認(rèn)盜竊美光商業(yè)機(jī)密。聯(lián)電公司日前又發(fā)布了新的聲明,詳細(xì)解釋了聯(lián)電在DRAM技術(shù)上的積累,強(qiáng)調(diào)聯(lián)電已經(jīng)有超過15年的DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗,聯(lián)電開發(fā)的DRAM技術(shù)與美光公司的DRAM設(shè)計完全不同。此外,聯(lián)電還指出美光的25nm DRAM技術(shù)并不是自己開發(fā)的,而是購買了***瑞晶及日本爾必達(dá)公司的25nm DRAM技術(shù)。

聯(lián)電本月初發(fā)布的聲明強(qiáng)調(diào)會嚴(yán)肅對待美方指控,全力應(yīng)對這場訴訟。日前發(fā)布的第二份官方聲明則更像是一個科普,因為聯(lián)電要讓不了解情況的外界明白一件事——外界存在錯誤的印象,認(rèn)為聯(lián)電沒有DRAM技術(shù),而美光是全球知名的DRAM技術(shù)公司,所以爆出專利侵權(quán)訴訟時很多人一邊倒地相信沒有DRAM技術(shù)的聯(lián)電盜竊美光技術(shù)是成立的,而聯(lián)電這個聲明的目的就是向外界說明自己是有DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗的。

聯(lián)電公司詳細(xì)聲明如下:

聯(lián)華電子是國際公認(rèn)、***起家的半導(dǎo)體公司。38年來,在全球的供應(yīng)鏈上,已經(jīng)成為不可或缺的一員,先進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)達(dá)14奈米。對比之下,美光公司爭執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù),是32奈米,在聯(lián)華電子的計畫啟動當(dāng)時,已經(jīng)是落后幾個世代的技術(shù)。

社會上有一個錯誤的印象,認(rèn)為聯(lián)華電子沒有任何DRAM的知識或經(jīng)驗,這不是事實,而且是極端的不實。從1996年到2010年,聯(lián)華電子積累了近15年制造DRAM產(chǎn)品的經(jīng)驗。甚至在某個時間點上,聯(lián)華電子內(nèi)部DRAM團(tuán)隊人數(shù),超過150人。

聯(lián)華電子是一個有組織的企業(yè)機(jī)構(gòu),藉由堅實而穩(wěn)定的團(tuán)隊,掌握并保存了豐富的DRAM知識和經(jīng)驗。舉個例子來說,現(xiàn)任聯(lián)華電子共同總經(jīng)理之一的簡山杰,是1996年時開發(fā)DRAM產(chǎn)品的RAM制程開發(fā)經(jīng)理。

另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯(lián)華電子公司授權(quán)合作DRAM伙伴之一,該公司是一家總部位于美國的DRAM晶片設(shè)計公司,藉由聯(lián)華電子的技術(shù)進(jìn)行DRAM制造。除了傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)外,2009年聯(lián)華電子更成功開發(fā)了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術(shù),這比制造標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的過程要復(fù)雜得多。

聯(lián)華電子同意與晉華公司聯(lián)合開發(fā)DRAM制程,這是一個與聯(lián)華電子晶圓專工服務(wù)完全分開的單獨項目,在做成決策當(dāng)時,只是一個符合所有合理商業(yè)考量的單純商業(yè)交易,已經(jīng)向***政府正式提出申請,主管機(jī)關(guān)亦已于2016年4月核準(zhǔn)整個項目。值得一提的是,那時還未聽說有中美貿(mào)易戰(zhàn)。

自從聯(lián)華電子開始為晉華公司開發(fā)DRAM制程技術(shù),履行合約義務(wù),聯(lián)華電子已經(jīng)花費了數(shù)億新臺幣。盡管這個專案的研發(fā)團(tuán)隊成員接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象,聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計,是完全不同于美光公司的設(shè)計。簡而言之,聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲存單元,這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發(fā)了25奈米的DRAM技術(shù)。事實是,美光公司在2010年初,購買了***的瑞晶公司和日本的爾必達(dá)公司的25奈米DRAM技術(shù)。

聯(lián)華電子不要「在報刊上」進(jìn)行這場訴訟,但聯(lián)華電子要向我們的客戶和投資人保證,聯(lián)華電子對于任何子虛烏有的控訴和誤認(rèn)事實的指責(zé),將全力并積極地自我防衛(wèi)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:聯(lián)電澄清內(nèi)存專利:有15年DRAM經(jīng)驗,美光25nm技術(shù)才是買的

文章出處:【微信號:IC-008,微信公眾號:半導(dǎo)體那些事兒】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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