隨著DoE 六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨。PN8308因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝并無需散熱片，被廣泛應用于12V2A-12V3A六級能效適配器。

本期芯朋微技術團隊將為大家分享PN8308的關鍵技術及應用要點，與大家一起探討：

為什么要用CCM模式同步整流？

CCM模式同步整流技術是否成熟？

如何正確選型及應用CCM模式同步整流？

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封裝圖

PN8308x封裝圖

典型應用圖

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TOPIC

01

同步整流如何分類，技術是否成熟？

反激同步整流技術分類如下圖：

DCM模式同步整流雖然技術成熟，但應用場合一般受限于小功率充電器。 CCM模式同步整流支持任何模式原邊芯片，因此應用功率更大、應用場合更廣！

CCM模式同步整流的技術難點在于如何精確關斷，PN8308集成了控制器及功率MOSFET，控制器實時跟蹤功率MOSFET電流，實現50ns內快速關斷，避免關斷點靠前(Ta之前，如預測關斷技術)或靠后(Tb之后，如傳統快速關斷技術)，引起的Vds尖峰和EMC問題。

Ta之前預關斷，即減弱驅動；

[Ta,Tb]區(qū)間大電流關閉SR；

內置高開關速度智能MOSFET，進一步加快關斷速度。

PN8308通過內置Tonmin、Toffmin，增加SR開通限制條件等措施徹底避免SR誤開通造成的直通問題。Chipown該項技術成熟可靠，被行業(yè)多個標桿客戶所采用。

TOPIC

02

相比肖特基，CCM模式同步整流有何優(yōu)勢？

SR提高功率密度

實現電源小型化，并降低系統成本。以12V3A電源為例，TO220肖特基+散熱片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上。

SR提高轉換效率

肖特基和同步整流的導通損耗理論計算如下：

由于Rdson(mΩ)和VF(V)不在一個數量級，因此SR可顯著提高效率，以12V2A、12V3A電源為例，效率對比如下，可見同步整流提高效率2~3個點。

SR改善EMC

以12V3A適配器為例，PN8308H與肖特基的EMC特性對比如下：

PN8308HEMC特性略高于肖特基。

TOPIC

03

PN8308的選型及應用要點？

PN8308系列適用于輸出電壓9-15V的電源，內置80V智能功率MOSFET，具有如下特點：

易搭配原邊主控芯片：ns級速度關斷SR， 支持150kHz工作頻率，支持CCM/DCM/QR工作模式；

EMC性能卓越：獨特電流跟蹤技術顯著降低dV/dt，EMC特性優(yōu)于肖特基；

可實現零外圍工作：Low side架構，單邊SW貼片封裝，方便PCB Layout；

全面的智能保護功能：UVLO、防誤開啟、防誤關斷功能。

根據輸出電流，選型列表如下：

應

用

要

點

SW與GND引腳增加RC吸收，減小CCM模式下Vds尖峰；

VDD與GND引腳增加RC低通濾波，增強系統的ESD能力；

合理設計變壓器匝比及感量，確保預關斷點應在Ta之前；

減緩原邊MOSFET開通速度，使[Ta,Tb]時間＞50ns。