晶圓代工龍頭臺積電在法人說明會前夕發(fā)布2018年年報，董事長劉德音及總裁魏哲家在致股東報告書中提及，臺積電去年成功量產(chǎn)7納米制程，領(lǐng)先競爭同業(yè)至少一年，5納米已在第二季試產(chǎn)并將在明年進(jìn)入量產(chǎn)，3納米研發(fā)全面展開。

根據(jù)臺積電的信息，臺積電2018年全年合并營收為新臺幣1兆314億7000萬元，較前一年的9774億5000萬元增加5.5%；稅后淨(jìng)利為新臺幣3511億3000萬元，每股盈余為新臺幣13.54元，較前一年稅后淨(jìng)利3431億1000萬元及每股盈余13.23元均增加了2.3%。

若以美元計算，臺積電2018年全年合併營收為342億美元，稅后淨(jìng)利為116億4000萬美元，較前一年度的全年合并營收321億1000萬美元增加6.5%，較前一年度的稅后淨(jìng)利112億7000萬美元則增加了3.3%。

臺積電2018年毛利率為 48.3%，前一年為50.6%；營業(yè)利益率為37.2%，前一年則為39.4%。稅后純益率為34.0%，較前一年的稅后純益率35.1% 減少了1.1個百分點。

臺積電2018年晶圓出貨量為1080萬片12英寸等效晶圓（所有晶圓產(chǎn)量折算為12英寸產(chǎn)量），同比增長2.9%，其中28nm及以下工藝的先進(jìn)制程營收占比63%，高于前一年的58%。臺積電總計提供了261種不同的半導(dǎo)體工藝，為481個客戶生產(chǎn)了10436種不同的產(chǎn)品。

臺積電在全球晶圓代工市場的份額高達(dá)56%，是全球第一大晶圓代工廠商。

在先進(jìn)技術(shù)方面，2018年臺積電的7nm工藝快速量產(chǎn)，并創(chuàng)造了量產(chǎn)速度上的新紀(jì)錄，7nm工藝量產(chǎn)領(lǐng)先友商至少一年時間，此前已經(jīng)完成了超過40個芯片流片，今年預(yù)計還有100多個客戶芯片流片。

至于外界好奇臺積電創(chuàng)辦人張忠謀去年榮退后領(lǐng)了多少退休金，年報也給了答案：7,617萬元（約1654萬元RMB)。此外，資深副總經(jīng)理暨資訊長左大川、副總經(jīng)理暨技術(shù)長孫元成、副總經(jīng)理曾孟超與副總經(jīng)理金平中等四人陸續(xù)在去年3月到今年1月退休，共領(lǐng)取逾6,077萬元(約1320萬元RMB）退休金。

劉德音及魏哲家指出，去年是臺積電達(dá)成許多里程碑的一年，營收、凈利、每股盈余已連續(xù)七年創(chuàng)下新高紀(jì)錄，臺積電7納米量產(chǎn)并領(lǐng)先同業(yè)至少一年，這是業(yè)界首見最先進(jìn)的邏輯制程技術(shù)，臺積電比以往任何時候都處于更佳的苫置，以掌握未來成長的機會。

在現(xiàn)今世界中數(shù)位運算無所不在，大量的電子產(chǎn)品彼此互聯(lián)而產(chǎn)生更多的數(shù)據(jù)，許多新的應(yīng)用和產(chǎn)品都嵌入了AI，半導(dǎo)體正變得愈形普及。市場對于更高效能、更低功耗、更高程度系統(tǒng)整合的需求，將進(jìn)一步驅(qū)動產(chǎn)品的進(jìn)步，而臺積電將協(xié)助其實現(xiàn)。

在制程布建上，臺積電去年7納米快速量產(chǎn)，并獲得最先進(jìn)智能手機（指蘋果iPhone）及更多移動裝置及高效能運算應(yīng)用的采用，去年完成40件客戶產(chǎn)品設(shè)計定案，今年可取得超過100件客戶芯片設(shè)計定案。支援極紫外光（EUV）的第二季7納米（N7+）將在今年進(jìn)入量產(chǎn)，并成為半導(dǎo)體業(yè)界首家商用EUV微影技術(shù)。

臺積電5納米第二季進(jìn)入試產(chǎn)，客戶產(chǎn)品設(shè)計定案上半年開始進(jìn)行，預(yù)計在明年上半年達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)，預(yù)期看到很多的客戶采用5納米制程技術(shù)來為建立領(lǐng)導(dǎo)地位。此外，臺積電3 納米技術(shù)也已經(jīng)進(jìn)入全面開發(fā)的階段。至于整合扇出型（InFO）及CoWoS等先進(jìn)封裝亦引領(lǐng)業(yè)界成為最先進(jìn)系統(tǒng)級方案，臺積電去年宣布系統(tǒng)整合芯片（SoICs）的3D封裝技術(shù)，能夠整合多個非常鄰近的異質(zhì)小芯片（chiplets）及提供更佳的系統(tǒng)效能。。

臺積電去年投入研發(fā)費用達(dá)28.5億美元，延續(xù)技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位，并優(yōu)化28納米開發(fā)出22納米，特殊制程上，以鰭式場效電晶體（FinFET）為基礎(chǔ)的16納米精簡型射頻制程，已證明可提供業(yè)界第一個量產(chǎn)的5G移動網(wǎng)路芯片。