中芯國(guó)際5月24日發(fā)布公告宣布，本公司已于二零一九年五月二十四日（美國(guó)東部時(shí)間）通知紐約證券交易所，本公司將根據(jù)一九三四年美國(guó)證券交易法（經(jīng)修訂）申請(qǐng)自愿將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市，并撤銷該等美國(guó)預(yù)托證券股份和相關(guān)普通股的注冊(cè)。

公告稱，出于一些考慮因素，包括中芯國(guó)際美國(guó)預(yù)托證券股份的交易量與其全球交易量相比有限，以及為維持美國(guó)預(yù)托證券股份在紐約證券交易所上市及在美國(guó)證券交易委員會(huì)注冊(cè)并遵守交易法的定期報(bào)告和相關(guān)義務(wù)中所涉及的重大行政負(fù)擔(dān)和成本，中芯國(guó)際董事會(huì)批準(zhǔn)將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市，并根據(jù)交易法撤銷該等美國(guó)預(yù)托證券股份和相關(guān)普通股的注冊(cè)。

因此，中芯國(guó)際擬于2019年6月3日或前后向美國(guó)證交會(huì)提交表格25，將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市。將美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市一事，預(yù)期將于提交表格25后十日生效。美國(guó)預(yù)托證券股份在紐約證券交易所交易的最后日期為2019年6月13日或前后。于該日期及自該日期之后，中芯國(guó)際的美國(guó)預(yù)托證券股份(以美國(guó)預(yù)托收據(jù)為憑證)將不再于紐約證券交易所上市。

中芯國(guó)際在企業(yè)間競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)際新形勢(shì)下或正醞釀一場(chǎng)變局。

此前外媒報(bào)道，兩名中芯國(guó)際聯(lián)合CEO在業(yè)務(wù)戰(zhàn)略上發(fā)生分歧，而焦點(diǎn)問題集中在公司應(yīng)該打造盈利業(yè)務(wù)還是聚焦于尖端技術(shù)。其中，主導(dǎo)技術(shù)方向的梁孟松或?qū)@得支持，而趙海軍可能面臨“離場(chǎng)”。

中芯國(guó)際此后發(fā)表聲明，稱上述報(bào)道不實(shí)，兩位CEO在公司戰(zhàn)略上意見一致。

雙方各執(zhí)一詞，哪一方是“真相”不得而知。但可以確定的是，中芯國(guó)際正面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

目前，臺(tái)積電和三星正大舉加碼7nm、5nm工藝，并紛紛宣布將于明年量產(chǎn)5nm芯片。臺(tái)積電曾宣稱其7nm技術(shù)領(lǐng)先主要對(duì)手至少一年，而三星則試圖設(shè)計(jì)規(guī)劃3nm芯片以實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的“彎道超車”。

鑒于芯片工藝上落后于臺(tái)積電、三星等，以及在中美貿(mào)易摩擦新形勢(shì)下，中芯國(guó)際似乎正在經(jīng)歷一場(chǎng)內(nèi)部演化，以進(jìn)一步規(guī)劃其技術(shù)“圖騰”。

營(yíng)收下滑兩成，現(xiàn)“技術(shù)”與“盈利”之爭(zhēng)？

作為后進(jìn)者，梁孟松在2017年加入中芯國(guó)際后，與趙海軍“雙劍合璧”，逐步打開國(guó)內(nèi)晶圓代工市場(chǎng)局面，并取得14nm、12nm等工藝突破。

如今，二人的組合出現(xiàn)松動(dòng)，趙海軍被傳出將離開中芯國(guó)際。

此前，據(jù)EE Times報(bào)道，紫光集團(tuán)有意從中芯國(guó)際挖角趙海軍，來(lái)主導(dǎo)一家全新的DRAM廠，但隨后遭到中芯國(guó)際否認(rèn)。

5月10日，據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，趙海軍和梁孟松在業(yè)務(wù)戰(zhàn)略上產(chǎn)生了分歧，且趙海軍博士正考慮離開公司。

而兩位聯(lián)合CEO分歧的焦點(diǎn)問題在于，中芯國(guó)際應(yīng)該打造盈利業(yè)務(wù)還是聚焦于尖端技術(shù)。

《金融時(shí)報(bào)》援引七位知情人士的消息稱，“中芯國(guó)際更專注于開發(fā)先進(jìn)的14nm（140億分之一米）及更小的芯片工藝，目前這方面的工作優(yōu)先于趙海軍領(lǐng)導(dǎo)的利用老一代工藝技術(shù)擴(kuò)大商業(yè)可行業(yè)務(wù)。”

上述消息人士還稱，為了使管理層圍繞梁孟松的目標(biāo)統(tǒng)一認(rèn)識(shí)，數(shù)十名高管正被撤換。

在此情況下，一位接近趙海軍的人士稱是他自己想要離開。而另一位知情人士表示，中國(guó)明年必須掌握14nm的制造工藝，實(shí)際上取得的進(jìn)展比預(yù)期要快得多，政府或?qū)⑷χС至好纤伞?/p>

但中芯國(guó)際對(duì)此再予以否認(rèn)，并于5月10日晚間發(fā)表聲明，稱《金融時(shí)報(bào)》的報(bào)道違背事實(shí)，兩位CEO在公司戰(zhàn)略上意見一致。

據(jù)了解，梁孟松在加入中芯國(guó)際后，獲得了較多技術(shù)開發(fā)和聘用高端技術(shù)人才的權(quán)限，并主導(dǎo)了公司的技術(shù)研發(fā)和相關(guān)布建。

《商業(yè)周刊》去年8月的報(bào)道稱，由于梁孟松的到來(lái)，中芯國(guó)際的14nm試產(chǎn)良率，已快速?gòu)?%提升到95%。

里昂證券半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師侯明孝對(duì)此表示，雖然試產(chǎn)良率高，不等于未來(lái)量產(chǎn)量率高，若中芯成功量產(chǎn)14nm制程，等同該公司的技術(shù)正式追上聯(lián)電。

據(jù)悉，中芯國(guó)際于去年8月進(jìn)入14nm工藝客戶導(dǎo)入階段，今年2月進(jìn)入了客戶驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)于今年6月量產(chǎn)。

這其中，梁孟松及其帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)被認(rèn)為功不可沒。據(jù)公開報(bào)道，梁孟松在加盟中芯國(guó)際后，從中國(guó)***地區(qū)及韓國(guó)帶來(lái)了相關(guān)技術(shù)人員。

此外，他還進(jìn)行了一系列調(diào)整，包括加強(qiáng)研發(fā)隊(duì)伍建設(shè)，強(qiáng)化責(zé)任制，調(diào)整更新14nm FinFET規(guī)劃，將3D FinFET工藝鎖定在高性能運(yùn)算、低功耗芯片應(yīng)用等。

5月8日，中芯國(guó)際發(fā)布了2019年第一季度財(cái)報(bào)。報(bào)告期內(nèi)中芯國(guó)際總營(yíng)收為6.689億美元，相比于去年同期的8.310億美元下滑了19.5%；凈利潤(rùn)2437.70萬(wàn)美元，同比減少9.98%。

趙海軍表示，第一季度為今年?duì)I收低谷，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存周期調(diào)整已經(jīng)結(jié)束，預(yù)計(jì)第二季度收入將環(huán)比（相對(duì)一季度）上升17%-19%。

次日在面向投資者的電話會(huì)議上，趙海軍表示將繼續(xù)提高中芯國(guó)際的業(yè)務(wù)效率，并使之成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)力。他還提到，公司擁有“穩(wěn)固的客戶基礎(chǔ)和合理的需求”。

而《金融時(shí)報(bào)》援引分析師的話表示，中芯國(guó)際此前成功借助比較成熟的技術(shù)贏得客戶，但很難提高盈利能力。客戶在14nm技術(shù)上很可能選擇臺(tái)積電的產(chǎn)品。

對(duì)此，在今年一季度營(yíng)收同比下滑近20%的情況下，國(guó)內(nèi)分析師認(rèn)為，中芯國(guó)際與其在預(yù)期收益不理想且競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已成熟應(yīng)用的工藝上“掙扎”，不如集中精力做技術(shù)追趕。

“跨越式”發(fā)展，追趕臺(tái)韓廠商

目前來(lái)看，在世界范圍內(nèi)，中國(guó)***及韓國(guó)企業(yè)在晶圓代工方面處于領(lǐng)先地位。其中，臺(tái)積電和三星成為僅有的兩家能量產(chǎn)7nm芯片的制造商。

據(jù)美國(guó)科技媒體GSMArena 5月9日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電已開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)5nm芯片，預(yù)計(jì)明年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。和當(dāng)前7納米芯片比，其全新的5nm芯片面積將減少45%，性能將提升15%。

在制程工藝上，臺(tái)積電去年量產(chǎn)了7nm芯片。今年將量產(chǎn)第二代7nm芯片，并會(huì)用上EUV光刻工藝。該芯片晶體管密度相對(duì)第一代提升20%，并且能功耗降低6%-12%。

臺(tái)積電的7nm技術(shù)現(xiàn)已相對(duì)成熟應(yīng)用，且在全球市場(chǎng)占有重要地位。例如，華為的麒麟980、巴龍5000芯片，蘋果的A12芯片，以及之前一些7nm礦機(jī)芯片等都由臺(tái)積電制造。

另外，據(jù)韓國(guó)《亞洲日?qǐng)?bào)》5月6日?qǐng)?bào)道，三星目前正積極準(zhǔn)備投入大量資本，用以鞏固半導(dǎo)體市場(chǎng)，并且搶占晶圓代工龍頭臺(tái)積電的市場(chǎng)。

三星預(yù)計(jì)5月14 日開始在美國(guó)舉辦“三星代工論壇 2019”大會(huì)。該會(huì)議將于下個(gè)月 5 日將在中國(guó)上海進(jìn)行，并計(jì)劃此后數(shù)月在韓國(guó)首爾、日本東京、德國(guó)慕尼黑舉辦。

據(jù)悉，三星將在美國(guó)的代工論壇上展示一份3納米以下的技術(shù)路線圖。而此前業(yè)界公認(rèn)3nm節(jié)點(diǎn)是摩爾定律最終失效的時(shí)刻，三星在該領(lǐng)域的進(jìn)展或影響未來(lái)晶圓代工市場(chǎng)格局。

《亞洲日?qǐng)?bào)》的報(bào)道還提到，三星近期開始出貨7nm EUV制程的產(chǎn)品，而在年初成功開發(fā)5nm EUV制程，預(yù)計(jì)2020年，三星將啟動(dòng)首爾近郊華城EUV專用生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)5nm的產(chǎn)品。

另外，三星日前曾在其“半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展愿景”表示，要在 2030 年超越臺(tái)積電，成為產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。根據(jù)計(jì)劃，三星將投入60萬(wàn)億韓元（約3480億人民幣）建設(shè)晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施。

在中芯國(guó)際方面，據(jù)其第一季度財(cái)報(bào)披露，中芯國(guó)際將在下半年量產(chǎn)14nm芯片。中芯南方Fab SN1規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月，這相當(dāng)于當(dāng)前全球14nm產(chǎn)能的10%。

財(cái)報(bào)還提到，突破14nm節(jié)點(diǎn)將會(huì)進(jìn)一步縮小與國(guó)際一線大廠的差距，預(yù)計(jì)未來(lái)下游應(yīng)用將進(jìn)入中高端智能手機(jī)、高性能計(jì)算、AI等領(lǐng)域。

梁孟松對(duì)于一季報(bào)評(píng)論指出，中芯國(guó)際的FinFET研發(fā)進(jìn)度喜人，目前12nm工藝開發(fā)也已經(jīng)進(jìn)入到了客戶導(dǎo)入階段。上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。

中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司12英寸集成電路生產(chǎn)線

他還表示，此前中芯國(guó)際在28nm到14nm節(jié)點(diǎn)中跳過了20nm工藝，在14nm到未來(lái)工藝中應(yīng)該也會(huì)跳過10nm工藝，因?yàn)楹笳卟⒎歉咝阅芄に嚕?nm FinFET工藝才是下一代的重點(diǎn)工藝。

值得注意的是，去年年中，中芯國(guó)際向荷蘭ASML(阿斯麥)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV極紫外***，單價(jià)1.2億美元，這臺(tái)機(jī)器據(jù)稱將用于中芯國(guó)際的7nm工藝。

市場(chǎng)低谷、貿(mào)易摩擦下的國(guó)際較量

目前，在市場(chǎng)需求繼續(xù)疲弱、庫(kù)存位偏高等情況下，晶圓代工行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

據(jù)TrendForce旗下拓墣產(chǎn)研院日前發(fā)布的報(bào)告，世界集成電路晶圓代工在2019年第一季度同比下降了16%，晶圓代工總值為146.2億美元。

其中，臺(tái)積電以70.28億美元營(yíng)收排名第一，市場(chǎng)份額為48.1%。三星以19.1%的市場(chǎng)份額居次。而中芯國(guó)際位列第五，營(yíng)收6.54億美元（注：與中芯國(guó)際財(cái)報(bào)有部分出入），市場(chǎng)占比為4.5%。

值得注意的是，前五大晶圓代工企業(yè)均出現(xiàn)較大幅度的下降，同比下滑幅度接近兩成。

在行業(yè)低谷環(huán)境下，存量競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)重要，臺(tái)積電、三星大舉進(jìn)軍7nm以及5nm工藝，以期在新技術(shù)領(lǐng)域突破從而獲得未來(lái)的市場(chǎng)。

對(duì)中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)，除了旨在制程工藝突破追趕，還需要加碼其電腦、消費(fèi)、通訊等業(yè)務(wù)的商用。而這正是中芯國(guó)際面臨的兩大選擇性議題。

《金融時(shí)報(bào)》援引一位與趙海軍關(guān)系密切人士的話表示，“中芯國(guó)際更偏向于先進(jìn)工藝，而國(guó)家正大力推動(dòng)對(duì)于尖端技術(shù)的專注。梁孟松已經(jīng)不可替代。”

然而，韓國(guó)、***在2014年已量產(chǎn)14nm芯片。即便中芯國(guó)際今年實(shí)現(xiàn)14nm工藝量產(chǎn)，與臺(tái)積電、三星早已量產(chǎn)應(yīng)用的7nm還有兩代際的差距。

未來(lái)，無(wú)論是獨(dú)掌中芯國(guó)際，還是和趙海軍繼續(xù)合力進(jìn)擊，如何助力中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)快速追趕，都將是梁孟松及其團(tuán)隊(duì)的的艱巨挑戰(zhàn)。

2018年，上海展開集成電路產(chǎn)業(yè)系列調(diào)研，梁孟松作為中芯國(guó)際高層對(duì)外接待官員

此外，值得考慮的是，趙海軍同樣在中芯國(guó)際的商用業(yè)務(wù)上擁有拓展經(jīng)驗(yàn)并作出貢獻(xiàn)，建立了一些相對(duì)穩(wěn)定的客戶基礎(chǔ)和產(chǎn)生盈利的業(yè)務(wù)。其離開也或是中芯國(guó)際的損失。

在中國(guó)，一些企業(yè)的技術(shù)和市場(chǎng)出現(xiàn)不少“脫離”案例。由此，中芯國(guó)際兩位CEO也可以“和而不同”，發(fā)揮各自的特色，以引領(lǐng)公司的動(dòng)態(tài)平衡發(fā)展。

另一方面，在戰(zhàn)略意義上，晶圓代工等半導(dǎo)體正成為各國(guó)在國(guó)際新形勢(shì)下的尖端科技較量。在貿(mào)易摩擦加劇之下，該領(lǐng)域與5G一樣成為中美角力的戰(zhàn)場(chǎng)。

當(dāng)前，為保障集成電路產(chǎn)業(yè)自主安全，中國(guó)需要突破芯片制造工藝。而中芯國(guó)際屬于國(guó)內(nèi)芯片制造的代表性企業(yè)，公司的發(fā)展?fàn)顩r關(guān)乎重大。

據(jù)悉，中國(guó)2015年啟動(dòng)了第七個(gè)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模計(jì)劃，旨在依靠私募融資和行業(yè)專家發(fā)展，讓渡過去由國(guó)家政策和補(bǔ)貼主導(dǎo)的方法。

不過，由于國(guó)內(nèi)晶圓代工制造商在追趕全球領(lǐng)先企業(yè)的進(jìn)度方面仍較為緩慢，且在中美貿(mào)易摩擦下，產(chǎn)業(yè)外部環(huán)境進(jìn)一步惡化。

由此，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展策略調(diào)整成為新要?jiǎng)?wù)，而中芯國(guó)際成為“再造的橋頭堡”。

“實(shí)際上中國(guó)正在回歸傳統(tǒng)的國(guó)家政策和補(bǔ)貼方式。”Gartner分析師Roger Sheng說(shuō)，在中國(guó)如果沒有政府資金，人們就不會(huì)加入（這個(gè)行業(yè)）。他還提到，有政府相關(guān)人士正在加入管理公司。

《中國(guó)制造2025》曾提出：2020年中國(guó)芯片自給率要達(dá)到40%，2025年要達(dá)到70%；國(guó)內(nèi)新一代集成電路設(shè)計(jì)公司可能在未來(lái)引領(lǐng)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。而這其中，代表中國(guó)晶圓代工水平的中芯國(guó)際或被打造成其中一股重要的“圖騰”力量。