動態
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發布了文章 2022-04-12 01:12
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發布了文章 2022-04-12 01:07
10.3.7 量子線材料∈《集成電路產業全書》
QuantumWireMaterials審稿人:南方科技大學段天利https://www.sustech.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說552瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-11 03:02
10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7508瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-11 01:12
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發布了文章 2022-04-11 01:07
10.3.6 鍺錫 GeSn∈《集成電路產業全書》
GeSn審稿人:南方科技大學王輝https://www.sustech.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、540瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-10 01:09
10.2.2 橫向漂移區∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.2.2橫向漂移區10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK485瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-10 01:07
10.3.5 碳納米管(CNT)∈《集成電路產業全書》
CarbonNanotube(CNT)審稿人:北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC648瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-09 04:17
10.2.1 垂直漂移區(SM)JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.2.1垂直漂移區10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK463瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-09 01:31
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發布了文章 2022-04-08 05:02
10.1.7 多浮空區(MFZ)JTE和空間調制(SM)JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.7多浮空區(MFZ)JTE和空間調制(SM)JTE10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILIN750瀏覽量