動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-03-24 18:29
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發(fā)布了文章 2022-03-24 16:57
9.2.3 開關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.2.3開關(guān)特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK720548瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-24 16:55
10.1.6 磁阻式隨機(jī)存儲器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
MagnetoresistiveRandomAccessMemory(MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MC374瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-22 03:01
9.2.2 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.2.2阻斷電壓壓關(guān)系9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK406瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-22 01:05
10.1.5 負(fù)柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTM489瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-21 01:05
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發(fā)布了文章 2022-03-21 01:04
10.1.4 自旋場效應(yīng)晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
SpinField-effectTransistor撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A295瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-20 01:06
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型560瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-19 01:07
9.1.10阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.1.10阻斷電壓9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V324瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-03-19 01:06
10.1.2 隧道場效應(yīng)晶體管(TFET)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
TunnelingField-effectTransistor撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP828瀏覽量