動態

• 發布了文章 2022-03-24 18:29

  ９.２.４　器件參數的溫度特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  ９.２.４器件參數的溫度特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微

  元器件 晶體管

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• 發布了文章 2022-03-24 16:57

  ９.２.３　開關特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  ９.２.３開關特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK720

  開關

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• 發布了文章 2022-03-24 16:55

  10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產業全書》

  

  MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC

  存儲器

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• 發布了文章 2022-03-22 03:01

  ９.２.２　阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  ９.２.２阻斷電壓壓關系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  電壓

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• 發布了文章 2022-03-22 01:05

  10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產業全書》

  

  NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人：北京大學蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTM

  晶體管

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• 發布了文章 2022-03-21 01:05

  ９.２.１　電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  ９.２.１電流-電壓關系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  電壓 SiC

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• 發布了文章 2022-03-21 01:04

  10.1.4 自旋場效應晶體管∈《集成電路產業全書》

  

  SpinField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  晶體管

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• 發布了文章 2022-03-20 01:06

  10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產業全書》

  

  ImpactIonizationMOS撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

  MOS

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• 發布了文章 2022-03-19 01:07

  ９.１.１０阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  ９.１.１０阻斷電壓９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V

  電壓

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• 發布了文章 2022-03-19 01:06

  10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產業全書》

  

  TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAP

  晶體管

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