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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發

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  • 發布了文章 2022-03-24 18:29

    9.2.4 器件參數的溫度特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    9.2.4器件參數的溫度特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微
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  • 發布了文章 2022-03-24 16:57

    9.2.3 開關特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    9.2.3開關特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK720
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  • 發布了文章 2022-03-24 16:55

    10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產業全書》

    MagnetoresistiveRandomAccessMemory(MRAM)審稿人:北京大學蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC
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  • 發布了文章 2022-03-22 03:01

    9.2.2 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    9.2.2阻斷電壓壓關系9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK
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  • 發布了文章 2022-03-22 01:05

    10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產業全書》

    NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人:北京大學蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTM
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  • 發布了文章 2022-03-21 01:05

    9.2.1 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    9.2.1電流-電壓關系9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK
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  • 發布了文章 2022-03-21 01:04

    10.1.4 自旋場效應晶體管∈《集成電路產業全書》

    SpinField-effectTransistor撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代A
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  • 發布了文章 2022-03-20 01:06

    10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產業全書》

    ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型
    MOS
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  • 發布了文章 2022-03-19 01:07

    9.1.10阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    9.1.10阻斷電壓9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V
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  • 發布了文章 2022-03-19 01:06

    10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產業全書》

    TunnelingField-effectTransistor撰稿人:清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAP
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地址:福田區金田路2022號華軒大廈305

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