10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產業全書》
Impact Ionization MOS
撰稿人：清華大學 許軍 梁仁榮
https://www.tsinghua.edu.cn
審稿人：北京大學 張興 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.1 非傳統新結構器件
第10章 集成電路基礎研究與前沿技術發展
《集成電路產業全書》下冊
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